【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及電子電路及操作方法。
技術(shù)介紹
1、寬帶功率放大器是一種跨越寬頻率范圍放大信號的通用電子裝置。由于它能夠遞送高功率且跨越寬頻譜維持一致放大，所以其在各種領(lǐng)域都有應(yīng)用。寬帶功率放大器用于電信系統(tǒng)(例如蜂窩網(wǎng)絡(luò))中，其中它們用于放大rf(射頻)范圍內(nèi)的信號，確保信號跨越多個頻帶的高效發(fā)射及接收，且實現(xiàn)寬覆蓋區(qū)域內(nèi)的可靠通信。在無線通信系統(tǒng)(例如wi-fi網(wǎng)絡(luò)、藍(lán)牙裝置或衛(wèi)星通信系統(tǒng))中，寬帶功率放大器用于放大所需頻率范圍內(nèi)的信號以實現(xiàn)長距離通信，改進信號質(zhì)量，且確?？缭礁鞣N無線協(xié)議的可靠數(shù)據(jù)發(fā)射。
2、在使用寬帶功率放大器(例如rf功率放大器、驅(qū)動放大器及低噪聲放大器)的許多應(yīng)用中，可需要諧波控制來最小化二次諧波的存在以維持信號完整性，改進線性度，且防止整個操作頻率范圍內(nèi)的失真。本申請案提供一種用于在寬頻率范圍內(nèi)控制功率放大器的二次諧波的簡單但有效的方法及設(shè)備。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在一個方面，本公開提供一種設(shè)備，其包括：第一電路，其包括分別耦合到第三晶體管及第四晶體管的第一晶體管及第二晶體管，所述第一晶體管包括經(jīng)配置以接收第一電壓輸入的第一柵極，所述第二晶體管包括經(jīng)配置以接收第二電壓輸入的第二柵極，所述第三晶體管包括耦合到所述第一晶體管的漏極的源極，且所述第四晶體管包括耦合到所述第二晶體管的漏極的源極；第二電路，其包括具有第一繞組及第二繞組的變壓器，所述第一繞組包括耦合到所述第三晶體管的漏極的第一端子及耦合到所述第四晶體管的漏極的第二端子，所述第一繞組經(jīng)配置以汲取
2、在另一方面，本公開提供一種設(shè)備，其包括：第一對晶體管，其經(jīng)配置以在其柵極端子處分別接收第一電壓輸入及第二電壓輸入；第二對晶體管，其包括耦合到所述第一對晶體管的相應(yīng)漏極的相應(yīng)源極，所述第二對晶體管經(jīng)配置以基于所述第一電壓輸入及所述第二電壓輸入提供差分電壓信號；變壓器，其包括初級繞組及次級繞組，所述初級繞組耦合到所述第二對晶體管的相應(yīng)漏極以接收與所述差分電壓信號相關(guān)聯(lián)的電流信號，所述初級繞組包括將所述初級繞組分成具有相等電阻的兩個區(qū)段的中點，所述次級繞組耦合在接地端子與輸出端子之間；及至少一個可編程電容器，其耦合在所述初級繞組的所述中點與耦合到所述第一對晶體管的第一共同節(jié)點之間。
3、在另一方面，本公開提供一種用于抑制寬帶功率放大器中的二次諧波的方法，所述方法包括：配置第一對晶體管以使相應(yīng)兩個柵極分別接收第一電壓輸入及第二電壓輸入；配置第二對晶體管以基于所述第一電壓輸入及所述第二電壓輸入提供差分電壓信號；提供包括第一繞組及第二繞組的變壓器，所述第一繞組包括將所述第一繞組分成具有相等電阻的兩個區(qū)段的中點；將所述第一繞組耦合在所述第二對晶體管的相應(yīng)漏極之間以接收與所述差分電壓信號相關(guān)聯(lián)的電流信號；將所述第二繞組耦合在接地端子與輸出端子之間；將至少一個可編程電容器耦合在所述第一繞組的所述中點與耦合到所述第一對晶體管的相應(yīng)源極的第一共同節(jié)點之間，所述可編程電容器經(jīng)配置以允許從0.1pf到10μf的電容調(diào)整；將電源耦合到中心抽頭線的第二共同節(jié)點，所述第二共同節(jié)點經(jīng)由第一電阻器連接到所述第一繞組的所述中點且經(jīng)由第二電阻器連接到所述可編程電容器；及將所述第一共同節(jié)點經(jīng)由第三電阻器耦合到所述可編程電容器且經(jīng)由第四電阻器耦合到接地。
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1.一種設(shè)備，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括第四電路，所述第四電路包括具有耦合到DC電壓VDD的第一端子及耦合到所述第二共同節(jié)點的第二端子的第五電阻器，所述第二共同節(jié)點連接到所述第一電阻器及所述第二電阻器兩者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括開關(guān)電容器陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括數(shù)字控制電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括基于MEMS的電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括電容，所述電容能由控制器基于在從1MHz到19GHz的范圍內(nèi)的所述差分電壓信號的頻率在從0.1pF到10μF的范圍內(nèi)調(diào)整以將所述輸出端子處的二次諧波信號減小至少10dBm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一電壓輸入包括在從1MHz到19GHz選擇的頻率下的第一電壓信號，所述第二電壓輸入包括在所述相同頻率下與所述第一電壓信號具有相同值但呈相反極性的第二電壓信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一晶體管包括耦合到第七電阻器的源極，所述第七電阻器耦合到所述第一共同節(jié)點。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二晶體管包括耦合到第八電阻器的源極，所述第八電阻器耦合到所述第一共同節(jié)點。
11.一種設(shè)備，其包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其進一步包括：第一電阻器，其耦合在所述初級繞組的所述中點與第二共同節(jié)點之間；第二電阻器，其耦合在所述第二共同節(jié)點與所述可編程電容器之間；第三電阻器，其耦合在所述可編程電容器與所述第一共同節(jié)點之間；第四電阻器，其耦合在所述第一共同節(jié)點與接地之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進一步包括第五電阻器，所述第五電阻器耦合在DC電壓VDD與所述第二共同節(jié)點之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其進一步包括：第六電阻器，其耦合在所述次級繞組與接地之間；第七電阻器，其耦合在所述第一對晶體管中的第一者的漏極與所述第一共同節(jié)點之間；及第八電阻器，其耦合在所述第一對晶體管中的第二者的漏極與所述第一共同節(jié)點之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括開關(guān)電容器陣列。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括基于MEMS的電容器。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述差分電壓信號包括從1MHz到19GHz的頻率范圍。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括電容，所述電容能在從0.1pF到10μF的范圍內(nèi)調(diào)整以將所述輸出端子處的二次諧波信號減小至少10dBm。
19.一種用于抑制寬帶功率放大器中的二次諧波的方法，所述方法包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進一步包括使用控制器來調(diào)整所述可編程電容器的電容以針對所述差分電壓信號的每一頻率減小所述輸出端子處的二次諧波信號。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種設(shè)備，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括第四電路，所述第四電路包括具有耦合到dc電壓vdd的第一端子及耦合到所述第二共同節(jié)點的第二端子的第五電阻器，所述第二共同節(jié)點連接到所述第一電阻器及所述第二電阻器兩者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括開關(guān)電容器陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括數(shù)字控制電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括基于mems的電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述可編程電容器包括電容，所述電容能由控制器基于在從1mhz到19ghz的范圍內(nèi)的所述差分電壓信號的頻率在從0.1pf到10μf的范圍內(nèi)調(diào)整以將所述輸出端子處的二次諧波信號減小至少10dbm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一電壓輸入包括在從1mhz到19ghz選擇的頻率下的第一電壓信號，所述第二電壓輸入包括在所述相同頻率下與所述第一電壓信號具有相同值但呈相反極性的第二電壓信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第三晶體管及所述第四晶體管包括接地的共同柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一晶體管包括耦合到第七電阻器的源極，所述第七電阻器耦合到所述第一共同節(jié)點。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二晶體管包括耦合到第八電阻器的源極，所述第八電阻器耦合到所述第一共同節(jié)點。
11.一種設(shè)備，其包括：
12.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：A·阿芙薩希，權(quán)大玄，
申請(專利權(quán))人：安華高科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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