【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體領域，尤其涉及一種晶圓吸附裝置。
技術介紹
1、當前半導體量測機臺真空吸附手臂均采用點式吸附，通過真空管道使點式吸附位置壓力遠低于附近位置，將晶圓吸于真空吸附手臂上。請參閱圖1～圖2，其中，圖1為真空吸附手臂的結構示意圖，圖2為沿圖1中aa’方向的剖視圖。如圖1～圖2所示，所述真空吸附手臂包括手臂11及真空管路12。所述手臂11內包括真空通道21及吸附孔22。所述真空吸附管路12與所述手臂11內的真空通道21連通，為所述手臂11提供真空環境，并通過所述吸附孔22吸附所述晶圓。然而，當晶圓發生碎片時，晶圓碎片會通過所述吸附孔22進入所述手臂11，造成堵塞，降低真空吸附手臂的吸附力，影響機臺正常運行。而更換真空吸附手臂會導致機臺長時間宕機，影響生產效率。
2、因此，如何減少晶圓碎片導致的宕機時長，進而提高生產效率，是目前需要解決的問題。
技術實現思路
1、本技術所要解決的技術問題是如何減少晶圓碎片導致的宕機時長，進而提高生產效率，提供一種晶圓吸附裝置。
2、為了解決上述問題，本技術提供了一種晶圓吸附裝置，包括：吸附手臂，用于吸附晶圓，所述吸附手臂內設置有真空通道，所述吸附手臂的第一表面包括至少一吸附孔，所述吸附孔與所述真空通道連通；真空管路，與所述吸附手臂的真空通道連通，用于提供真空環境；清洗管路，與所述真空管路及所述吸附手臂的真空通道連通，用于提供清洗氣體。
3、在一些實施例中，所述清洗管路通過一三通閥與所述真空管路及所述吸附手臂的
4、在一些實施例中，所述清洗管路還包括一控制閥，以切換所述清洗管路的開閉狀態。
5、在一些實施例中，所述吸附手臂還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述吸附孔遠離第一表面的一側具有開槽，所述開槽貫穿所述第二表面，所述晶圓吸附裝置還設置有能夠插入所述開槽的堵頭。
6、在一些實施例中，所述堵頭包括能夠插入所述開槽的柱體及連接至所述柱體的密封圈。
7、在一些實施例中，所述密封圈突出于所述第二表面，且所述柱體靠近所述密封圈的一側設置有螺紋。
8、在一些實施例中，所述柱體為具有光滑表面的圓柱體。
9、在一些實施例中，所述堵頭能夠在晶圓碎片進入所述吸附手臂內發生堵塞時被取出，以通過所述吸附孔與所述開槽形成貫穿所述第一表面與所述第二表面的通道，進而清理所述晶圓碎片。
10、在一些實施例中，所述控制閥進一步用于在晶圓碎片進入所述吸附手臂內發生堵塞時開啟，以使清洗氣體進入所述吸附手臂，進而清洗所述吸附手臂內的所述晶圓碎片。
11、在一些實施例中，所述清洗氣體為高純氮氣。
12、上述技術方案通過在晶圓吸附裝置內設置與真空管路及吸附手臂的真空通道連通的清洗管路，能夠對吸附手臂進行清洗。當晶圓發生碎片、晶圓碎片通過吸附孔進入吸附手臂造成堵塞時，通過清洗管路可以將吸附手臂內的晶圓碎片清理干凈。通過清洗管路對吸附手臂進行清洗，能夠減少復機時間，增加晶圓吸附裝置的使用時長，避免因碎片導致需要更換吸附手臂的長時間宕機，影響生產效率。也可以通過清洗管路定期對吸附手臂進行清洗，避免吸附手臂因長期使用累積顆粒物影響機臺正常運行，以能夠滿足日常使用過程中對吸附手臂的清洗保養。
13、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本技術。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。
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1.一種晶圓吸附裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述清洗管路通過一三通閥與所述真空管路及所述吸附手臂的真空通道連通。
3.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述清洗管路上還設置有一控制閥，以切換所述清洗管路的開閉狀態。
4.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述吸附手臂還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述吸附孔遠離第一表面的一側具有開槽，所述開槽貫穿所述第二表面，所述晶圓吸附裝置還設置有能夠插入所述開槽的堵頭。
5.根據權利要求4所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述堵頭包括能夠插入所述開槽的柱體及連接至所述柱體的密封圈。
6.根據權利要求5所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述密封圈突出于所述第二表面，且所述柱體靠近所述密封圈的一側設置有螺紋。
7.根據權利要求5所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述柱體為具有光滑表面的圓柱體。
8.根據權利要求4所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述堵頭能夠在晶圓碎片進入所述吸附手臂內發生堵塞時被
9.根據權利要求3所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述控制閥進一步用于在晶圓碎片進入所述吸附手臂內發生堵塞時開啟，以使清洗氣體進入所述吸附手臂，進而清洗所述吸附手臂內的所述晶圓碎片。
10.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述清洗氣體為高純氮氣。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓吸附裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述清洗管路通過一三通閥與所述真空管路及所述吸附手臂的真空通道連通。
3.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述清洗管路上還設置有一控制閥，以切換所述清洗管路的開閉狀態。
4.根據權利要求1所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述吸附手臂還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述吸附孔遠離第一表面的一側具有開槽，所述開槽貫穿所述第二表面，所述晶圓吸附裝置還設置有能夠插入所述開槽的堵頭。
5.根據權利要求4所述的晶圓吸附裝置，其特征在于，所述堵頭包括能夠插入所述開槽的柱體及連接至所述柱體的密封圈。
6.根據權利要求5所述的晶圓...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王光，蔣文軍，嚴翔，閆曉暉，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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