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    熱處理裝置制造方法及圖紙
    
                            
    技術編號：44461416 閱讀：3 留言：0更新日期：2025-03-04 17:35
    
                        
    
                        
    
                            
                            本發(fā)明專利技術提供一種熱處理裝置，其能夠減少設置于裝置的元件數(shù)。對并聯(lián)連接的3根閃光燈(FL)，設置分別包含各1個電容器(93)、線圈(94)、晶閘管(96)及再生二極管(97)的元件組。1個晶閘管(96)統(tǒng)一對流經(jīng)對應的并聯(lián)連接的3根閃光燈(FL)的電流進行接通斷開控制。能夠通過晶閘管(96)抑制閃光照射時流經(jīng)閃光燈(FL)的尾電流。此外，因為設置了個數(shù)比并聯(lián)連接的閃光燈(FL)的根數(shù)少的元件組，所以與在閃光燈(FL)個別地設置元件組的情況相比較，能夠減少設置于熱處理裝置的元件數(shù)。由此，能夠抑制裝置成本的增大，且元件的設置空間也成為小型。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術實現(xiàn)步驟摘要】
    
                                
    本專利技術涉及一種通過對襯底照射閃光來加熱所述襯底的熱處理裝置。成為處理對象的襯底例如包含半導體晶片、液晶顯示裝置用襯底、平板顯示器(fpd：flat?paneldisplay)用襯底、光盤用襯底、磁盤用襯底或太陽能電池用襯底等。

    技術介紹
    1、在半導體器件的制造過程中，在極短時間內(nèi)加熱半導體晶片的閃光燈退火(fla：flashlampannealing)備受注目。閃光燈退火是通過使用氙閃光燈(以下，在簡單設為“閃光燈”時意味著氙閃光燈)對半導體晶片的表面照射閃光，而只使半導體晶片的表面在極短時間(數(shù)毫秒以下)內(nèi)升溫的熱處理技術。
    2、氙閃光燈的放射分光分布是從紫外域到近紅外域，波長比以往的鹵素燈短，與硅的半導體晶片的基礎吸收帶大體一致。因此，在從氙閃光燈向半導體晶片照射閃光時，透射光較少，能夠使半導體晶片急速升溫。此外，還判明，如果為數(shù)毫秒以下的極短時間的閃光照射，那么能夠只使半導體晶片的表面附近選擇性地升溫。
    3、這種閃光燈退火用于需要極短時間加熱的處理，例如典型地用于注入半導體晶片的雜質(zhì)的活性化。如果從閃光燈向通過離子注入法注入了雜質(zhì)的半導體晶片的表面照射閃光，那么能夠使所述半導體晶片的表面極短時間內(nèi)升溫到活性化溫度，能夠不使雜質(zhì)深度擴散而只執(zhí)行雜質(zhì)活性化。
    4、作為使用了這種氙閃光燈的熱處理裝置，在專利文獻1、2披露著一種在閃光燈的放電電路設置絕緣柵極雙極晶體管(igbt：insulated?gate?bipolar?transistor)而控制閃光燈的發(fā)光的裝置。在專利文獻1、2披露的裝置中，通過向igbt的柵極輸入指定的脈沖信號，而規(guī)定流經(jīng)閃光燈的電流的波形并控制燈發(fā)光，能夠自由調(diào)整閃光燈的發(fā)光時間及發(fā)光強度。在專利文獻1、2披露的裝置中，閃光燈與igbt以1對1串聯(lián)連接設置。
    5、[
    技術介紹
    文獻]
    6、[專利文獻]
    7、[專利文獻1]日本專利特開2009-070948號公報
    8、[專利文獻2]日本專利特開2011-119562號公報

    技術實現(xiàn)思路
    1、[專利技術所要解決的問題]
    2、在近年的前端半導體的制造過程中，為了應對材料或構造的變化，謀求一種能夠加熱到高溫且實現(xiàn)低熱歷程的退火技術。低熱歷程的退火是指投入半導體晶片的總熱量較少的熱處理。在閃光燈退火中，要求在更短時間內(nèi)將半導體晶片的表面溫度急劇升溫到高溫。為此，必須以更短的照射時間照射強度較強的閃光。例如，要求以照射時間0.1毫秒的閃光照射將半導體晶片的表面升溫600℃以上。
    3、但是，為了以照射時間極短的閃光照射使半導體晶片的表面大幅升溫，閃光燈的根數(shù)也必須相當多。這樣一來，必須根據(jù)閃光燈的根數(shù)也設置多個igbt等元件。如果設置多個igbt等元件，那么會產(chǎn)生裝置成本增大、且設置空間也變大的問題。
    4、本專利技術是鑒于所述問題而完成的，目的在于提供一種能夠減少設置于裝置的元件數(shù)的熱處理裝置。
    5、[解決問題的技術方式]
    6、為了解決所述問題，本專利技術的第1方面是一種通過對襯底照射閃光來加熱所述襯底的熱處理裝置，具備：腔室，收容襯底；保持部，在所述腔室內(nèi)保持所述襯底；多根閃光燈，對保持于所述保持部的所述襯底照射閃光；放電電路，使電流流經(jīng)所述多根閃光燈而使所述多根閃光燈發(fā)光；及控制部，控制所述放電電路；且所述放電電路對于并聯(lián)連接的n根(n為2以上的整數(shù))閃光燈具備m個(m為小于n的整數(shù))元件組。
    7、此外，第2方面如第1方面的熱處理裝置，其中對于并聯(lián)連接的所述n根閃光燈具備1個元件組。
    8、此外，第3方面如第2方面的熱處理裝置，其中所述元件組包含控制流經(jīng)所述n根閃光燈的電流的1個開關元件。
    9、此外，第4方面如第3方面的熱處理裝置，其中所述元件組還包含各1個線圈、電容器及二極管。
    10、此外，第5方面如第3或第4方面的熱處理裝置，其中所述開關元件為晶閘管。
    11、此外，第6方面如第5方面的熱處理裝置，其中所述晶閘管為gto晶閘管或gct晶閘管。
    12、此外，第7方面如第3或第4方面的熱處理裝置，其中所述開關元件為igbt。
    13、[專利技術的效果]
    14、根據(jù)第1到第7方面的熱處理裝置，因為對于并聯(lián)連接的n根(n為2以上的整數(shù))閃光燈具備m個(m為小于n的整數(shù))元件組，所以與在閃光燈個別地設置元件組的情況相比較，能夠減少設置于熱處理裝置的元件數(shù)。
    本文檔來自技高網(wǎng)...
                            
    
                            
    【技術保護點】
    
                                
    1.一種熱處理裝置，其是通過對襯底照射閃光來加熱所述襯底的裝置，具備：
    2.根據(jù)權利要求1所述的熱處理裝置，其中
    3.根據(jù)權利要求2所述的熱處理裝置，其中
    4.根據(jù)權利要求3所述的熱處理裝置，其中
    5.根據(jù)權利要求3所述的熱處理裝置，其中
    6.根據(jù)權利要求5所述的熱處理裝置，其中
    7.根據(jù)權利要求3所述的熱處理裝置，其中
    
                            
    
                            
    【技術特征摘要】
    
                                
    1.一種熱處理裝置，其是通過對襯底照射閃光來加熱所述襯底的裝置，具備：
    2.根據(jù)權利要求1所述的熱處理裝置，其中
    3.根據(jù)權利要求2所述的熱處理裝置，其中
    4.根...
                            
    
                            
    【專利技術屬性】
    
                                技術研發(fā)人員：戶部龍?zhí)?/a>，森直人，北澤貴宏，
    
        申請(專利權)人：株式會社斯庫林集團，
    
        類型：發(fā)明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
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