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    存取快閃存儲器模塊的方法及相關的快閃存儲器控制器與記憶裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44461512 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-03-04 17:35
    本發明專利技術揭露了一種存取快閃存儲器模塊的方法及相關的快閃存儲器控制器與記憶裝置。該存取快閃存儲器模塊的方法,包含有以下步驟:分別使用一第一組臨界電壓、一正向調整后第一組臨界電壓及一負向調整后第一組臨界電壓來讀取該快閃存儲器模塊中一實體數據頁的一第一邏輯數據頁,以分別得到一第一讀出資訊、一第二讀出資訊以及一第三讀出資訊;對該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊進行解碼以產生該第一邏輯數據頁的一解碼后數據;根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生一LLR映射表。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術系有關于快閃存儲器控制器。


    技術介紹

    1、快閃存儲器可透過電子式的抹除(erase)與寫入/程序化(program)以進行數據儲存,并且廣泛地應用于記憶卡(memory?card)、固態硬碟(solid-state?drive)與可攜式多媒體播放器等等。由于快閃存儲器系為非揮發性(non-volatile)存儲器,因此,不需要額外電力來維持快閃存儲器所儲存的資訊,此外,快閃存儲器可提供快速的數據讀取與較佳的抗震能力,而這些特性也說明了快閃存儲器為何會如此普及的原因。

    2、快閃存儲器可區分為nor型快閃存儲器與nand型快閃存儲器。對于nand型快閃存儲器來說,其具有較短的抹除及寫入時間且每一記憶單元需要較少的芯片面積,因而相較于nor型快閃存儲器,nand型快閃存儲器會允許較高的儲存密度以及較低之每一儲存位元的成本。一般來說,快閃存儲器系以記憶單元陣列的方式來儲存數據,而記憶單元是由一浮動閘極晶體管(floating-gate?transistor)來加以實作,且每一記憶單元可透過適當地控制浮動閘極晶體管之浮動閘極上的電荷個數來設定導通該浮動閘極晶體管所實作之該記憶單元的所需臨界電壓,進而儲存單一個位元的資訊或者一個位元以上的資訊,如此一來,當一或多個預定閘極控制電壓施加于浮動閘極晶體管的控制閘極之上,則浮動閘極晶體管的導通狀態便會指示出浮動閘極晶體管中所儲存的一或多個二進位數字(binary?digit)。

    3、然而,由于某些因素,記憶單元中原本儲存的電荷的個數可能會受到影響/擾亂,舉例來說,快閃存儲器中所存在的干擾可能來自于寫入干擾(write/programdisturbance)、讀取干擾(read?disturbance)及/或保持干擾(retention?disturbance)。以具有各自儲存一個位元以上的資訊之記憶單元的nand型快閃存儲器為例,一個實體存儲器分頁(physical?page)會包含多個邏輯數據頁(logical?page),且每一邏輯數據頁系采用一或多個閘極控制電壓來進行讀取。舉例來說,對于一個用以儲存4個位元之資訊的記憶單元來說,該記憶單元會具有分別對應不同電荷個數(亦即不同臨界電壓)之16種狀態(亦即電荷位準)的其中之一,然而,由于寫入/抹除次數(program/erase?count,p/e?count)及/或數據保留時間(retention?time)的緣故,記憶單元中的記憶單元的臨界電壓分布(threshold?voltage?distribution)便會有所改變,因此,使用原本的閘極控制電壓設定(亦即臨界電壓設定)來讀取記憶單元中所儲存的資訊可能會因為改變后的臨界變壓分布而無法正確地獲得所儲存的資訊。


    技術實現思路

    1、因此,本專利技術的目的之一在于提供一種快閃存儲器控制器及相關的控制方法,其可以有效率地根據快閃存儲器的讀出資訊來建立/更新對數似然比(log-likelihoodratio,llr)映射表,以供后續解碼使用,以解決先前技術中所述的問題。

    2、在本專利技術的一個實施例中,揭露了一種存取一快閃存儲器模塊的方法,其包含有以下步驟:分別使用一第一組臨界電壓、一正向調整后第一組臨界電壓及一負向調整后第一組臨界電壓來讀取該快閃存儲器模塊中一實體數據頁的一第一邏輯數據頁,以分別得到一第一讀出資訊、一第二讀出資訊以及一第三讀出資訊;對該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊進行解碼以產生該第一邏輯數據頁的一解碼后數據;根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生一llr映射表,以供后續對讀取其他邏輯數據頁并進行解碼時使用。

    3、在本專利技術的一個實施例中,揭露了一種快閃存儲器控制器,其中該快閃存儲器控制器系用來存取一快閃存儲器模塊,且該快閃存儲器控制器包含有:一只讀存儲器,用來儲存一程序碼;一緩沖存儲器;以及一微處理器,用來執行該程序碼以控制對該快閃存儲器模塊之存取;其中該微處理器用以執行以下操作:分別使用一第一組臨界電壓、一正向調整后第一組臨界電壓及一負向調整后第一組臨界電壓來讀取該快閃存儲器模塊中一實體數據頁的一第一邏輯數據頁,以分別得到一第一讀出資訊、一第二讀出資訊以及一第三讀出資訊;對該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊進行解碼以產生該第一邏輯數據頁的一解碼后數據;根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生一llr映射表,以供后續對讀取其他邏輯數據頁并進行解碼時使用。

    4、在本專利技術的一個實施例中,揭露了一種記憶裝置,其包含有一快閃存儲器模塊以及一快閃存儲器控制器。該快閃存儲器控制器執行以下操作:分別使用一第一組臨界電壓、一正向調整后第一組臨界電壓及一負向調整后第一組臨界電壓來讀取該快閃存儲器模塊中一實體數據頁的一第一邏輯數據頁,以分別得到一第一讀出資訊、一第二讀出資訊以及一第三讀出資訊;對該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊進行解碼以產生該第一邏輯數據頁的一解碼后數據;根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生一llr映射表,以供后續對讀取其他邏輯數據頁并進行解碼時使用。

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    【技術保護點】

    1.一種存取一快閃存儲器模塊的方法,包含有:

    2.如權利要求13所述的方法,其特征在于,該第一組臨界電壓至少包含一第一臨界電壓、一第二臨界電壓及一第三臨界電壓;該正向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓加上一調整值、該第二臨界電壓加上該調整值以及該第三臨界電壓加上該調整值;以及該負向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓減去該調整值、該第二臨界電壓減去該調整值以及該第三臨界電壓減去該調整值。

    3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;以及第一讀出資訊包含了每一個記憶單元的一硬位元、第二讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元、以及一第三讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生該LLR映射表的步驟包含有:

    4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該解碼后數據為一第一解碼后數據,且該方法另包含有:

    5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁是對應到相同的位元值,且在第三邏輯數據頁也是對應到相同的位元值;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁所對應到的位元值以及在第三邏輯數據頁所對應到的位元值具有不同的組合;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊、該第三讀出資訊、該第二邏輯數據頁的該第二解碼后數據以及該第三邏輯數據頁的該第三解碼后數據,以至少產生該第一LLR映射表、該第二LLR映射表以及該第三LLR映射表的步驟包含有:

    6.一種快閃存儲器控制器,其中該快閃存儲器控制器系用來存取一快閃存儲器模塊,且該快閃存儲器控制器包含有:

    7.如權利要求6所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該第一組臨界電壓至少包含一第一臨界電壓、一第二臨界電壓及一第三臨界電壓;該正向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓加上一調整值、該第二臨界電壓加上該調整值以及該第三臨界電壓加上該調整值;以及該負向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓減去該調整值、該第二臨界電壓減去該調整值以及該第三臨界電壓減去該調整值。

    8.如權利要求6所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;以及第一讀出資訊包含了每一個記憶單元的一硬位元、第二讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元、以及一第三讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生該LLR映射表的步驟包含有:

    9.如權利要求6所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該解碼后數據為一第一解碼后數據,且該方法另包含有:

    10.如權利要求9所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁是對應到相同的位元值,且在第三邏輯數據頁也是對應到相同的位元值;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁所對應到的位元值以及在第三邏輯數據頁所對應到的位元值具有不同的組合;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊、該第三讀出資訊、該第二邏輯數據頁的該第二解碼后數據以及該第三邏輯數據頁的該第三解碼后數據,以至少產生該第一LLR映射表、該第二LLR映射表以及該第三LLR映射表的步驟包含有:

    11.一種記憶裝置,包含有:

    12.如權利要求11所述的記憶裝置,其特征在于,該第一組臨界電壓至少包含一第一臨界電壓、一第二臨界電壓及一第三臨界電壓;該正向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓加上一調整值、該第二臨界電壓加上該調整值以及該第三臨界電壓加上該調整值;以及該負向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓減去該調整值、該第二臨界電壓減去該調整值以及該第三臨界電壓減去該調整值。

    13.如權利要求11所述的記憶裝置,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記...

    【技術特征摘要】

    1.一種存取一快閃存儲器模塊的方法,包含有:

    2.如權利要求13所述的方法,其特征在于,該第一組臨界電壓至少包含一第一臨界電壓、一第二臨界電壓及一第三臨界電壓;該正向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓加上一調整值、該第二臨界電壓加上該調整值以及該第三臨界電壓加上該調整值;以及該負向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓減去該調整值、該第二臨界電壓減去該調整值以及該第三臨界電壓減去該調整值。

    3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;以及第一讀出資訊包含了每一個記憶單元的一硬位元、第二讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元、以及一第三讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊以及該第三讀出資訊以產生該llr映射表的步驟包含有:

    4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該解碼后數據為一第一解碼后數據,且該方法另包含有:

    5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁是對應到相同的位元值,且在第三邏輯數據頁也是對應到相同的位元值;該第一組臨界電壓中的每一個臨界電壓所相鄰的兩個狀態在第二邏輯數據頁所對應到的位元值以及在第三邏輯數據頁所對應到的位元值具有不同的組合;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出資訊、該第三讀出資訊、該第二邏輯數據頁的該第二解碼后數據以及該第三邏輯數據頁的該第三解碼后數據,以至少產生該第一llr映射表、該第二llr映射表以及該第三llr映射表的步驟包含有:

    6.一種快閃存儲器控制器,其中該快閃存儲器控制器系用來存取一快閃存儲器模塊,且該快閃存儲器控制器包含有:

    7.如權利要求6所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該第一組臨界電壓至少包含一第一臨界電壓、一第二臨界電壓及一第三臨界電壓;該正向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓加上一調整值、該第二臨界電壓加上該調整值以及該第三臨界電壓加上該調整值;以及該負向調整后第一組臨界電壓包含了該第一臨界電壓減去該調整值、該第二臨界電壓減去該調整值以及該第三臨界電壓減去該調整值。

    8.如權利要求6所述的快閃存儲器控制器,其特征在于,該實體數據頁包含了多個記憶單元,每一記憶單元系用來儲存多個位元,每一記憶單元具有多個狀態,且該多個狀態系用來指出該多個位元的不同的組合;以及第一讀出資訊包含了每一個記憶單元的一硬位元、第二讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元、以及一第三讀出資訊包含了每一個記憶單元的一第一軟位元;以及根據該第一邏輯數據頁的該解碼后數據、該第一讀出資訊、該第二讀出...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:楊宗杰
    申請(專利權)人:慧榮科技股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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