【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及點(diǎn)火控制方法和基片處理裝置。
技術(shù)介紹
1、在即將施加高頻電壓之前，將阻抗匹配裝置所具有的可變電容器或可變電抗器的調(diào)整位置設(shè)定為適當(dāng)?shù)奈恢?預(yù)設(shè)值)，由此穩(wěn)定地使等離子體點(diǎn)火。
2、例如，專利文獻(xiàn)1公開了不包含機(jī)械要素而能夠高速地進(jìn)行阻抗匹配的電子匹配器。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2017-118434號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題
2、本專利技術(shù)提供能夠提高可變電抗器的預(yù)設(shè)值的精度的技術(shù)。
3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
4、根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)技術(shù)方案，點(diǎn)火控制方法在基片處理裝置中執(zhí)行，上述基片處理裝置包括：收納基片的處理容器；形成于上述處理容器的一對(duì)電極；阻抗匹配裝置，其具有可變電抗器和控制流過上述可變電抗器的電流的電子電路；rf電源，其經(jīng)由上述阻抗匹配裝置與上述一對(duì)電極連接；和溫度傳感器，其檢測(cè)上述可變電抗器的溫度。點(diǎn)火控制方法包括：步驟(a)，測(cè)量第一信息，上述第一信息表示將上述可變電抗器的溫度設(shè)定為第一溫度，從上述rf電源向上述一對(duì)電極施加規(guī)定頻率的高頻電壓時(shí)上述可變電抗器的多個(gè)調(diào)整位置各自所對(duì)應(yīng)的上述電極間的電壓；步驟(b)，基于測(cè)量出的上述第一信息來決定上述可變電抗器的預(yù)設(shè)值；步驟(c)，獲取上述溫度傳感器檢測(cè)出的上述可變電抗器的溫度作為第二溫度；步驟(d)，在上述第一溫度和上述第二溫度不同的情況下，通過控制上述電子電
5、專利技術(shù)效果
6、根據(jù)一個(gè)方面，能夠提高可變電抗器的預(yù)設(shè)值的精度。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種在基片處理裝置中執(zhí)行的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
2.如權(quán)利要求1所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
3.如權(quán)利要求1或2所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
4.如權(quán)利要求1或2所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
5.如權(quán)利要求1或2所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
6.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：
7.如權(quán)利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種在基片處理裝置中執(zhí)行的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
2.如權(quán)利要求1所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
3.如權(quán)利要求1或2所述的點(diǎn)火控制方法，其特征在于：
4.如權(quán)利要求1或...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小林健，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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