【技術實現步驟摘要】
本申請涉及用于流體傳感器的金屬內襯封裝空腔。
技術介紹
1、集成電路(ic)形成于半導體裸片上，所述半導體裸片隨后被封裝于模塑料內部，以保護半導體裸片免受由如水分、熱和鈍力的外部元素造成的損壞。半導體裸片還可耦合到封裝襯底，如包含導電端子的引線框架，以促進與封裝外部的電子器件的通信。部分導電端子由模塑料覆蓋，而部分導電端子暴露。通過將導電端子的所暴露部分耦合到模塑料外部的電子器件，提供了用于經由導電端子在封裝內的電路與封裝外部的電子器件之間交換電信號的通路。一些封裝的傳感器裝置或傳感器封裝可包含ic，所述ic包含形成于半導體裸片上的流體傳感器，其中流體傳感器可部分地由模塑料覆蓋。
技術實現思路
1、在實例中，感測裝置包括半導體裸片，所述半導體裸片包含裝置側和裝置側中的流體傳感器。所述裝置包括金屬環，所述金屬環在流體傳感器上方形成開口，金屬環具有頂部表面、底部表面和在頂部表面與底部表面之間延伸的內表面，且底部表面位于裝置側上。內表面的對接裝置側的至少一部分鍍覆有貴金屬。裝置包含模塑料，所述模塑料覆蓋半導體裸片和金屬環的第一部分，其中金屬環的具有頂部表面的第二部分突出于模塑料且提供套筒接口或管接口中的至少一個。
2、在實例中，一種用于制造感測裝置的方法包括將光刻膠層沉積于半導體裸片的第一表面上，第一表面包含傳感器。所述方法包括對光刻膠層進行曝光及顯影以產生中心光刻膠構件、包圍中心光刻膠構件的環形光刻膠構件和位于中心光刻膠構件與環形光刻膠構件之間的環形空腔。中心光刻膠構件接觸
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1.一種感測裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述金屬環包括銅。
3.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述貴金屬包括金。
4.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述第二部分具有均一側向厚度且提供所述套筒接口。
5.根據權利要求4所述的感測裝置，其進一步包括通過絕緣粘著層耦合到所述套筒接口的套筒，所述套筒包含流體通道。
6.根據權利要求5所述的感測裝置，其中所述金屬環電耦合到所述套筒上的導電跡線。
7.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述第二部分包含第一子部分和第二子部分，所述第一子部分比所述第二子部分更靠近所述流體傳感器，所述第一子部分具有第一側向厚度，且所述第二子部分具有超出所述第一側向厚度的第二側向厚度。
8.根據權利要求7所述的感測裝置，其進一步包括通過絕緣粘著層耦合到所述套筒接口的套筒，所述套筒包含流體通道。
9.根據權利要求7所述的感測裝置，其中所述第二側向厚度從所述第二子部分的底部表面到所述第二子部分的頂部表面逐漸減小。
10.根據權利要
11.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述貴金屬是第一貴金屬，且所述感測裝置包括：
12.根據權利要求11所述的感測裝置，其中所述金屬柱包含第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述半導體裸片，所述第一部分具有第一寬度，且所述第二部分具有大于所述第一寬度的第二寬度。
13.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述流體傳感器包含離子敏感場效應晶體管ISFET。
14.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述金屬環的水平橫截面具有長橢圓形形狀。
15.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述金屬環的水平橫截面具有圓形形狀。
16.一種感測系統，其包括：
17.根據權利要求16所述的感測系統，其中所述第二部分包含第一子部分和第二子部分，所述第一子部分比所述第二子部分更靠近所述流體傳感器，所述第一子部分具有第一側向厚度，且所述第二子部分具有超出所述第一側向厚度的第二側向厚度；且
18.根據權利要求17所述的感測系統，其中所述第二側向厚度是可變的，且包含超出所述第一側向厚度且小于所述第一側向厚度的厚度。
19.根據權利要求17所述的感測系統，其中所述第二側向厚度從最靠近所述流體傳感器的近端到最遠離所述流體傳感器的遠端逐漸減小。
20.根據權利要求16所述的感測系統，其進一步包括包含凸緣的管，所述凸緣耦合到所述第一金屬環和所述第二金屬環。
21.根據權利要求16所述的感測系統，其進一步包括包含導線跡線的印刷電路板PCB，其中所述導電跡線接觸所述第二金屬環。
22.根據權利要求16所述的感測系統，其進一步包括：
23.根據權利要求16所述的感測系統，其中所述開口是第一開口，且所述感測系統包括第三金屬環，所述第三金屬環形成配置成與所述流體傳感器流體連通的第二開口，其中所述第三金屬環包含第一部分和第二部分，所述模塑料覆蓋所述第三金屬環的所述第一部分，且所述第三金屬環的具有第三頂部表面的所述第二部分突出于所述模塑料。
24.根據權利要求23所述的感測系統，其進一步包括耦合到所述第三金屬環的管。
25.一種用于制造感測裝置的方法，其包括：
26.根據權利要求25所述的方法，其中鍍覆所述金屬環包括：
27.根據權利要求25所述的方法，其進一步包括在去除所述中心光刻膠構件和所述環形光刻膠構件之后且在涂覆所述模塑料之前，在所述金屬環上鍍覆所述貴金屬。
...【技術特征摘要】
1.一種感測裝置，其包括：
2.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述金屬環包括銅。
3.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述貴金屬包括金。
4.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述第二部分具有均一側向厚度且提供所述套筒接口。
5.根據權利要求4所述的感測裝置，其進一步包括通過絕緣粘著層耦合到所述套筒接口的套筒，所述套筒包含流體通道。
6.根據權利要求5所述的感測裝置，其中所述金屬環電耦合到所述套筒上的導電跡線。
7.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述第二部分包含第一子部分和第二子部分，所述第一子部分比所述第二子部分更靠近所述流體傳感器，所述第一子部分具有第一側向厚度，且所述第二子部分具有超出所述第一側向厚度的第二側向厚度。
8.根據權利要求7所述的感測裝置，其進一步包括通過絕緣粘著層耦合到所述套筒接口的套筒，所述套筒包含流體通道。
9.根據權利要求7所述的感測裝置，其中所述第二側向厚度從所述第二子部分的底部表面到所述第二子部分的頂部表面逐漸減小。
10.根據權利要求7所述的感測裝置，其進一步包括耦合到所述金屬環的管。
11.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述貴金屬是第一貴金屬，且所述感測裝置包括：
12.根據權利要求11所述的感測裝置，其中所述金屬柱包含第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述半導體裸片，所述第一部分具有第一寬度，且所述第二部分具有大于所述第一寬度的第二寬度。
13.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述流體傳感器包含離子敏感場效應晶體管isfet。
14.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所述金屬環的水平橫截面具有長橢圓形形狀。
15.根據權利要求1所述的感測裝置，其中所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：S·邁爾，R·穆杰，托比亞斯·弗里茨，S·K·科杜里，
申請(專利權)人：德州儀器公司，
類型：發明
國別省市：
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