【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及能夠通過氣相蒸鍍來進行薄膜蒸鍍的新型組合物、包含上述新型組合物的前體組合物、利用上述前體組合物的薄膜的制造方法。
技術介紹
1、隨著半導體元件的高集成化、高精細化，形成應用于微電子、磁信息存儲、催化劑等各種技術的厚度均勻的金屬和金屬氧化物薄膜變得越來越重要。
2、為了制造金屬和金屬氧化物薄膜，會利用化學氣相蒸鍍法(cvd)或原子層蒸鍍法(ald)，特別是，原子層蒸鍍法作為一種將反應物質依次注入至腔室內部并去除的方法，能夠形成期望的薄膜，且容易調節組成而能夠形成厚度均勻的薄膜。另外，原子層蒸鍍法的臺階覆蓋性十分優異，因而具有能夠在復雜且精密的元件上均勻生長薄膜的優點。
3、為了通過原子層蒸鍍法來制造薄膜，前體起著重要的作用，需要高揮發性、高熱穩定性、腔室中的高反應性等。迄今為止，應用各種配體來進行前體開發，作為已知的代表性配體，有鹵素、醇鹽、環戊二烯、β-二酮鹽(β-diketonate)、酰胺、脒化物(amidinate)等。但是，已知的前體大部分是固體化合物，或者揮發性或穩定性低，或者可能在薄膜蒸鍍時產生雜質污染等問題，因此需要開發如上所述的缺點得到改善的具有優異特性的新型前體。
4、特別是，目前為止，一直使用二氧化硅(sio2)來作為晶體管的柵極介電體物質，但最近，隨著半導體元件的尺寸逐漸變得更小，隧穿電流泄露以及隨之而來的功耗增加和發熱等問題變得嚴重。因此，已突顯出開發可替代sio2介電體的介電常數高的新物質的必要性，并且作為其有利候選者，正在對氧化物半導體進行積極研究。<...
【技術保護點】
1.一種組合物，其包含以下化學式1所表示的第一化合物和以下化學式2所表示的第二化合物，
2.根據權利要求1所述的組合物，R1、R2、R13和R14各自獨立地為選自由氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、OH基、OMe基、OEt基、OnPr基、OiPr基、NH2基、NHMe基、NHEt基、NHnPr基、NHiPr基、NMe2基、NMeEt基、NMenPr基、NMeiPr基、NEt2基、NEtnPr基、NEtiPr基、NnPr2基、NnPriPr基和NiPr2基組成的組中的任一種，
3.根據權利要求1所述的組合物，R3、R8、R9、R15、R20和R21各自獨立地為選自由氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、仲戊基、叔戊基、己基、異己基和它們的異構體組成的組中的任一種。
4.根據權利要求1所述的組合物，R4～R7和R16～R19各自獨立地為選自由氫、甲基、乙基、正丙基和異丙基組成的組中的任一種。
5.據權利要求1所述的組合物，R10～R12和R22～R24各自獨
6.根據權利要求1所述的組合物，所述第一化合物與所述第二化合物的摩爾比為1:1～5:1。
7.一種氣相蒸鍍用前體組合物，其包含權利要求1～6中任一項所述的組合物。
8.一種薄膜的制造方法，其包括將權利要求7所述的氣相蒸鍍用前體組合物導入到腔室中的步驟。
9.根據權利要求8所述的薄膜的制造方法，所述薄膜的制造方法包括原子層蒸鍍法ALD或化學氣相蒸鍍法CVD。
10.根據權利要求8所述的薄膜的制造方法，其進一步包括注入含氧(O)原子的化合物作為反應氣體的步驟，
11.一種薄膜，其通過權利要求8所述的薄膜的制造方法來制造。
...【技術特征摘要】
1.一種組合物，其包含以下化學式1所表示的第一化合物和以下化學式2所表示的第二化合物，
2.根據權利要求1所述的組合物，r1、r2、r13和r14各自獨立地為選自由氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、oh基、ome基、oet基、onpr基、oipr基、nh2基、nhme基、nhet基、nhnpr基、nhipr基、nme2基、nmeet基、nmenpr基、nmeipr基、net2基、netnpr基、netipr基、nnpr2基、nnpripr基和nipr2基組成的組中的任一種，
3.根據權利要求1所述的組合物，r3、r8、r9、r15、r20和r21各自獨立地為選自由氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、仲戊基、叔戊基、己基、異己基和它們的異構體組成的組中的任一種。
4.根據權利要求1所述的組合物，r4～...
【專利技術屬性】
技術研發人員：廉圭玄，文基寧，柳大元，昔壯炫，
申請(專利權)人：韓松化學株式會社，
類型：發明
國別省市：
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