【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及sic單晶晶塊(boule)、sic單晶晶塊的制造方法及sic基板的制造方法。本申請基于2023年08月31日在日本申請的特愿2023－141660來主張優先權，將其內容援用于此。
技術介紹
1、相比于硅(si)，碳化硅(sic)的絕緣擊穿電場大1個數量級，帶隙大3倍。另外，碳化硅(sic)具有導熱率比硅(si)高3倍左右等的特性。因此，碳化硅(sic)被期待應用于功率器件、高頻器件、高溫工作器件等。因此，近年來，在上述那樣的半導體器件中使用sic外延晶片。
2、sic外延晶片是通過在sic基板的表面層疊sic外延層來獲得的。以下，將層疊sic外延層之前的基板稱為sic基板，將層疊sic外延層之后的基板稱為sic外延晶片。功率器件、高頻器件、高溫工作器件等的sic器件是在sic外延晶片的sic外延層上形成器件之后對sic外延晶片進行芯片化來獲得的。
3、sic基板是對sic晶錠(ingot)進行切片來獲得的。sic晶錠是被加工為圓筒狀的單晶，是對sic單晶晶塊進行加工來獲得的。為了提高生產效率，要求從一個sic單晶晶塊取得許多sic基板。
4、例如，專利文獻1公開了通過制作大口徑的硅單晶錠、對該硅單晶錠進行分割來一次制作許多si晶片的方法。
5、現有技術文獻
6、專利文獻1：日本特開2002-75923號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的技術問題
2、sic單晶中，si和c的元素相結合，比僅
3、本專利技術是鑒于上述問題而完成的，目的在于提供能夠高效地取得許多sic基板的sic單晶晶塊。
4、用于解決問題的技術方案
5、本專利技術人發現了制作大口徑的sic單晶晶塊的方法，求出了適于從同一面內取得多片sic基板的sic單晶晶塊的大小。
6、(1)第1技術方案涉及的sic單晶晶塊在與晶體生長方向正交的切割面中，包括通過所述切割面所內包的最大的內接圓的中心且將所述切割面的第1外周點與第2外周點連接的線段的長度為211mm以上且221mm以下的部分。
7、(2)在上述技術方案涉及的sic單晶晶塊中，所述線段的長度也可以為214mm以上且218mm以下。
8、(3)第2技術方案涉及的sic單晶晶塊在與晶體生長方向正交的切割面中，包括通過所述切割面所內包的最大的內接圓的中心且將所述切割面的第1外周點與第2外周點連接的線段的長度為236mm以上且248mm以下的部分。
9、(4)在上述技術方案涉及的sic單晶晶塊中，所述線段的長度也可以為240mm以上且244mm以下。
10、(5)第3技術方案涉及的sic單晶晶塊在與晶體生長方向正交的切割面中，包括通過所述切割面所內包的最大的內接圓的中心且將所述切割面的第1外周點與第2外周點連接的線段的長度為319mm以上且329mm以下的部分。
11、(6)在上述技術方案涉及的sic單晶晶塊中，所述線段的長度也可以為322mm以上且326mm以下。
12、(7)第4技術方案涉及的sic單晶晶塊在與晶體生長方向正交的切割面中，包括通過所述切割面所內包的最大的內接圓的中心且將所述切割面的第1外周點與第2外周點連接的線段的長度為357mm以上且368mm以下的部分。
13、(8)在上述技術方案涉及的sic單晶晶塊中，所述線段的長度也可以為361mm以上且365mm以下。
14、(9)第5技術方案涉及的sic單晶晶塊的制造方法包括使用升華法使sic單晶在種晶的第1面進行晶體生長的晶體生長工序，在所述晶體生長工序中，一邊使所述種晶旋轉，一邊對所述種晶的與所述第1面相對向的第2面照射激光，以使得相對于所述種晶的徑向中心的溫度成為±5℃以內的方式對所述激光的照射位置的溫度進行控制。
15、(10)第6技術方案涉及的sic基板的制造方法包括：在上述技術方案涉及的sic單晶晶塊的中心形成開口的工序；從所述開口朝向徑向的外側切割所述sic單晶晶塊，將所述sic單晶晶塊分割為多個部分的工序；以及將所述多個部分分別加工為sic晶錠，對所述sic晶錠進行切片的工序。
16、專利技術效果
17、上述技術方案涉及的sic單晶晶塊能夠高效地取得許多sic基板。
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1.一種SiC單晶晶塊，
2.根據權利要求1所述的SiC單晶晶塊，
3.一種SiC單晶晶塊，
4.根據權利要求3所述的SiC單晶晶塊，
5.一種SiC單晶晶塊，
6.根據權利要求5所述的SiC單晶晶塊，
7.一種SiC單晶晶塊，
8.根據權利要求7所述的SiC單晶晶塊，
9.一種SiC單晶晶塊的制造方法，
10.一種SiC基板的制造方法，包括：
【技術特征摘要】
1.一種sic單晶晶塊，
2.根據權利要求1所述的sic單晶晶塊，
3.一種sic單晶晶塊，
4.根據權利要求3所述的sic單晶晶塊，
5.一種sic單晶晶塊，
6.根...
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