【技術實現步驟摘要】
本文獻涉及封裝用基板、半導體封裝件、封裝用基板的制造方法及半導體封裝件的制造方法等。
技術介紹
1、在制造電子部件時，在半導體晶圓上實現電路被稱為前端(fe：front-end)工序，將晶圓組裝成能夠在實際產品中使用的狀態(tài)被稱為后端(be：back-end)工序。在該后端工序中包括封裝工序。
2、作為最近實現電子產品快速發(fā)展的半導體行業(yè)的四項核心技術，有半導體技術、半導體封裝技術、制造工藝技術及軟件技術。半導體技術正在以各種形式發(fā)展，例如，微米以下的納米單位的線寬、一千萬個以上單元(cell)，高速運行以及釋放大量熱量等，但是還得不到相對完整封裝上述半導體的技術支持。因此，半導體的電性能有時取決于封裝技術和相應的電連接，而不是取決于半導體技術本身的性能。
3、作為封裝用基板的材料，適用陶瓷或樹脂。在如硅基板等的陶瓷基板的情況下，由于高電阻值或高介電常數而難以搭載高性能高頻半導體元件。在樹脂基板的情況下，雖然能夠搭載相對高性能高頻的半導體元件，但是在減小布線的間距方面存在局限性。
4、最近，可以將玻璃基板適用于高端封裝基板。通過在玻璃基板上形成通孔并將導電材料適用于該通孔，從而縮短元件和母板之間的布線長度，并且可以具有優(yōu)異的電特性。
5、并且，半導體封裝件在操作時會產生熱量，有時額外地包括用于釋放上述熱量的散熱裝置。
6、作為相關現有技術，有美國公開專利公報us20220293560a1、韓國公開專利公報第10-2018-0142742號等。
1、要解決的技術問題
2、本實施方式的目的在于，提供在使用玻璃基板的封裝基板中能夠防止由于空腔元件之間的間隙(gap)和/或空腔部與空腔元件之間的間隙等而產生起伏(undulation)現象的封裝基板的制造方法及使用其的封裝基板。
3、另外，本實施方式的目的在于，提供通過將第一絕緣層形成在布置在玻璃基板的空腔部的空腔元件的除了一表面之外的所有表面上或空腔元件的所有表面上，并形成層疊在玻璃基板的第一表面和第二表面的第二絕緣層來有效地制造封裝基板的封裝基板的制造方法及使用其的封裝基板。
4、解決技術問題的方案
5、為了實現上述目的，根據一實施方式的封裝基板包括芯層，上述芯層包括玻璃基板和空腔部，上述玻璃基板具有相向的第一表面和第二表面，上述空腔部貫穿上述玻璃基板，在上述空腔部布置有空腔模塊，上述空腔模塊包括空腔元件和圍繞上述空腔元件的第一絕緣層，上述第一絕緣層布置在上述空腔元件的除一個表面之外的所有表面上或布置在上述空腔元件的所有表面上，第二絕緣層以至少部分陷入的方式布置在上述空腔部的除了上述空腔模塊之外的部分，上述第一絕緣層和上述第二絕緣層具有不同的介電常數。
6、上述第一絕緣層的介電常數可以低于上述第二絕緣層的介電常數。
7、高頻相對介電常數dk可以為在5.8ghz高頻下的相對介電常數，上述第一絕緣層的高頻相對介電常數dk1與上述第二絕緣層的高頻相對介電常數dk2之差可以為0.1以上。
8、上述第一絕緣層的介質損耗率可以為df1，上述第二絕緣層的介質損耗率可以為df2，上述df1與上述df2之差可以為0.0001以上。
9、上述第一絕緣層可以包括液晶聚合物(liquid?crystal?polymer，lcp)、環(huán)氧模塑料(epoxy?molding?compound，emc)、味之素堆積膜(ajinomoto?build-up?film，abf)或改性聚酰亞胺(modified?polyimide，mpi)。
10、上述第二絕緣層可以包括絕緣混合物。
11、上述絕緣混合物可以包括無機顆粒和聚合物樹脂的混合物。
12、連接電極可以布置在上述空腔元件上。
13、上述空腔元件可以包括無源元件或有源元件。
14、上述第一絕緣層內可以布置有貫穿上述第一絕緣層的第一絕緣層通孔。
15、上述第一絕緣層通孔內部的一部分或全部可以填充有電極材料。
16、另一方面，為了實現上述目的，根據一實施方式的封裝基板的制造方法包括如下步驟：準備布置有空腔部的玻璃基板和空腔模塊；將上述空腔模塊排列在上述空腔部；以及在上述玻璃基板上層疊第二絕緣層；上述空腔模塊包括空腔元件和圍繞上述空腔元件的第一絕緣層，上述第一絕緣層布置在上述空腔元件的除一個表面之外的所有表面上或布置在上述空腔元件的所有表面上。
17、上述第一絕緣層和上述第二絕緣層可以具有不同的介電常數。
18、上述第一絕緣層可以包括液晶聚合物(lcp)、環(huán)氧模塑料(emc)、味之素堆積膜(abf)或改性聚酰亞胺(mpi)。
19、上述第二絕緣層可以包括味之素堆積膜(abf)或環(huán)氧模塑料(emc)。
20、連接電極可以形成在上述空腔元件上。
21、專利技術的效果
22、本實施方式的封裝基板的制造方法及使用其的封裝基板可以通過防止嵌入(embedded)空腔元件的空腔部中出現起伏現象，從而大大提高封裝基板的質量。
23、另外，通過改善空腔部的起伏現象，可以防止包括無源元件和/或有源元件的空腔元件中出現漏電流，從而可以大大提高封裝基板的質量。
24、另外，通過將具有與第二絕緣層的介電常數不同的介電常數的第一絕緣層形成在空腔元件的除了一表面之外的所有表面上或空腔元件的所有表面上，從而可以防止由于并排布置的空腔元件之間的接觸而導致的短路，并且能夠防止在空腔部的側面上形成導電層的制造過程中可能無意發(fā)生的短路。
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1.一種封裝基板，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，
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10.一種封裝基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
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12.根據權利要求10所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，
13.根據權利要求10所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，
14.根據權利要求10所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種封裝基板，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的封裝基板，其特征在于，
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8.根據權利要求1所述的封裝基板，...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：金性振，李奉烈，
申請(專利權)人：愛玻索立克公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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