【技術實現步驟摘要】
本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種封裝結構及其制造方法、封裝器件。
技術介紹
1、近來，在電子產品市場中對便攜式裝置的需求迅速增加，因此，不斷要求安裝在電子產品上的電子組件的小型化和輕量化。隨著對電子產品的優異性能、高速度和緊湊性的要求，封裝結構需要良好的性能。
技術實現思路
1、根據本公開實施例的第一方面，提供一種封裝結構，包括：
2、第一互連層；
3、芯片，位于所述第一互連層上；
4、填充層，位于所述第一互連層上，以及填充在所述第一互連層與所述芯片之間；
5、塑封層，覆蓋所述第一互連層、所述芯片和所述填充層，所述塑封層的寬度大于所述第一互連層的寬度，所述填充層的寬度小于所述塑封層的寬度。
6、在一些實施例中，所述第一互連層的寬度大于所述填充層的寬度。
7、在一些實施例中，還包括第二互連層，所述第二互連層位于所述第一互連層上，所述芯片位于所述第二互連層上，其中，所述第一互連層的寬度大于所述第二互連層的寬度。
8、在一些實施例中，所述填充層位于所述第二互連層上，且填充在所述第二互連層和所述芯片之間，所述填充層的寬度小于所述第二互連層的寬度。
9、在一些實施例中，所述第一互連層的邊緣、所述第二互連層的邊緣上設置有阻擋墻。
10、在一些實施例中，所述塑封層覆蓋所述第一互連層的側邊緣，以及所述第二互連層的側邊緣。
11、在一些實施例中，所述塑封層的底面與所述第一互連層
12、在一些實施例中，所述第一互連層的寬度與所述第二互連層的寬度的差值小于所述第一互連層的寬度與所述塑封層的寬度的差值。
13、在一些實施例中，所述第二互連層的寬度與所述填充層的寬度的差值小于所述第一互連層的寬度與所述第二互連層的寬度的差值。
14、根據本公開實施例的第二方面，提供一種封裝結構的制造方法，包括：
15、提供臨時基板，所述臨時基板包括貼片區域和劃片區域，所述劃片區域位于所述貼片區域之間；
16、在所述臨時基板上形成第一互連層，所述第一互連層位于所述貼片區域中；
17、將芯片設置在所述第一互連層上；
18、在所述第一互連層上形成填充層，所述填充層還位于所述第一互連層與所述芯片之間；
19、形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述第一互連層、所述芯片和所述填充層，所述塑封層的寬度大于所述第一互連層的寬度，所述填充層的寬度小于所述塑封層的寬度。
20、在一些實施例中，形成所述第一互連層的步驟包括：
21、在所述臨時基板上形成第一初始層，所述第一初始層覆蓋所述貼片區域和所述劃片區域；
22、移除位于所述劃片區域中的所述第一初始層；
23、固化所述第一初始層
24、在所述第一初始層上形成第一互連線，以形成所述第一互連層。
25、在一些實施例中，在形成所述第一互連層之后，還包括在所述第一互連層上第二互連層，形成所述第二互連層的步驟包括：
26、在所述第一互連層上形成第二初始層，所述第二初始層還位于所述劃片區域中；
27、移除位于所述劃片區域中的所述第二初始層，以及，移除位于所述劃片區域兩側的部分所述第二初始層，以使所述第二初始層的寬度小于所述第一互連層的寬度；
28、固化所述第二初始層；
29、在所述第二初始層中形成第二互連線，以形成所述第二互連層。
30、在一些實施例中，形成所述塑封層的步驟包括：
31、將塑封材料覆蓋在所述臨時基板上，所述塑封材料覆蓋所述第一互連層、第二互連層、所述芯片和所述填充層；
32、其中，所述塑封材料還覆蓋所述劃片區域。
33、在一些實施例中，該封裝結構的制造方法還包括：
34、移除所述臨時基板；
35、對位于所述劃片區域中的所述塑封材料進行切割，以使所述塑封材料覆蓋所述第一互連層的側邊緣、所述第二互連層的側邊緣。
36、在一些實施例中，在固化所述第一初始層和第二初始層的過程中，還在所述第一初始層的邊緣，所述第二初始層的邊緣形成阻擋墻。
37、在一些實施例中，形成所述填充層的步驟包括：
38、將填充材料注入所述第一互連層上，所述填充材料還進入所述第一互連層和所述芯片之間；
39、其中，所述阻擋墻將所述填充材料阻擋在所述第一互連層上，以使所述填充層的寬度小于所述第一互連層的寬度。
40、根據本公開實施例的第三方面，提供一種封裝器件，包括：
41、基板和上述封裝結構，封裝結構設置在基板上。
42、綜上所述，本公開實施例提出一種封裝結構及其制造方法、封裝器件。首先將芯片放置在第一互連層上，然后在第一互連層上形成填充層，然后將塑封層覆蓋在第一互連層、芯片和填充層，同時使得塑封層的寬度大于第一互連層的寬度。本公開實施例中，由于塑封層的寬度大于第一互連層的寬度，即塑封層可以覆蓋第一互連層的側邊緣。同時，由于填充層的寬度小于塑封層的寬度，即不會在該封裝結構側壁上形成塑封層、填充層和第一互連層的多個交界面，也就是說在該封裝結構的外表面上只有塑封層這一種材料，因此可以改善由于各個材料的熱膨脹系數不同帶來的分層問題。
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1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的寬度大于所述填充層的寬度。
3.根據權利要求1或2所述的封裝結構，其特征在于，還包括第二互連層，所述第二互連層位于所述第一互連層上，所述芯片位于所述第二互連層上，其中，所述第一互連層的寬度大于所述第二互連層的寬度。
4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述填充層位于所述第二互連層上，且填充在所述第二互連層和所述芯片之間，所述填充層的寬度小于所述第二互連層的寬度。
5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的邊緣、所述第二互連層的邊緣上設置有阻擋墻。
6.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述塑封層覆蓋所述第一互連層的側邊緣，以及所述第二互連層的側邊緣，所述塑封層的底面與所述第一互連層的底面共面。
7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的寬度與所述第二互連層的寬度的差值小于所述第一互連層的寬度與所述塑封層的寬度的差值。
8.根據權利要求3所述的
9.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的制造方法，形成所述第一互連層的步驟包括：
11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一互連層之后，還包括在所述第一互連層上第二互連層，形成所述第二互連層的步驟包括：
12.根據權利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，形成所述塑封層的步驟包括：
13.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，還包括：
14.根據權利要求11所述的制造方法，其特征在于，在固化第一初始層以及所述第二初始層的過程中，還在第一初始層的邊緣，所述第二初始層的邊緣上形成阻擋墻。
15.根據權利要求14所述的制造方法，其特征在于，形成所述填充層的步驟包括：
16.一種封裝器件，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的寬度大于所述填充層的寬度。
3.根據權利要求1或2所述的封裝結構，其特征在于，還包括第二互連層，所述第二互連層位于所述第一互連層上，所述芯片位于所述第二互連層上，其中，所述第一互連層的寬度大于所述第二互連層的寬度。
4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述填充層位于所述第二互連層上，且填充在所述第二互連層和所述芯片之間，所述填充層的寬度小于所述第二互連層的寬度。
5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的邊緣、所述第二互連層的邊緣上設置有阻擋墻。
6.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述塑封層覆蓋所述第一互連層的側邊緣，以及所述第二互連層的側邊緣，所述塑封層的底面與所述第一互連層的底面共面。
7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連層的寬度與所述第二互連層的寬度的差值小于所述第一互連層的寬度與所述塑封層...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱斌，
申請(專利權)人：長鑫科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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