【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體，特別涉及一種半導體結構及其形成方法。
技術介紹
1、隨著半導體技術的飛速發展，為了使半導體器件具有更加優異的性能，對半導體器件的材料性質產生了更多的要求，一些潛在材料具有突出的物理性能和化學性能，因此，這些潛在材料更適于應用在半導體器件中，例如有機材料，由于其彈性優異，因此有機材料的振動幅度比諸如多晶硅等無機材料的振動幅度大得多，更適用于作為振動膜，此外，有機材料的防潮性優異，也可以充當保護層。
2、然而，由于潛在材料與光刻膠的材料性質接近，使得潛在材料與光刻膠的材料不兼容，因此使得潛在材料難以集成到半導體制造工藝中。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供了一種半導體結構及其形成方法，至少有利于解決目標層的材料與光刻膠層的材料不兼容所導致的無法形成圖形化目標層的問題。
2、本專利技術實施例一方面提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成初始光刻膠層，圖形化初始光刻膠層以形成光刻膠層，光刻膠層內具有貫穿光刻膠層厚度的多個定位開口；形成初始目標層，初始目標層位于光刻膠層遠離基底的表面，且初始目標層填充定位開口；去除高于光刻膠層頂面的初始目標層，位于定位開口的初始目標層作為目標層；去除光刻膠層。
3、在一些實施例中，目標層的材料包括有機材料。
4、在一些實施例中，形成初始目標層后還包括：對初始目標層遠離基底的表面進行平坦化處理；去除高于光刻膠層頂面的初始目標層包括：刻蝕去除部分厚度的初始目標層，
5、在一些實施例中，形成初始目標層的工藝包括：涂布工藝、熱壓工藝、軋制工藝、電鍍工藝或者沉積工藝。
6、在一些實施例中，去除高于光刻膠層頂面的初始目標層包括：采用干法刻蝕工藝去除高于光刻膠層頂面的初始目標層。
7、在一些實施例中，去除光刻膠層包括：采用第一刻蝕工藝去除光刻膠層，在第一刻蝕工藝下，光刻膠層的刻蝕速率大于目標層的刻蝕速率。
8、在一些實施例中，提供基底包括：提供初始基底；在初始基底上形成功能層，初始基底和功能層共同構成基底。
9、本專利技術實施例另一方面提供一種半導體結構，半導體結構采用上述實施例所述的半導體結構的形成方法形成，半導體結構包括：基底；圖形化的目標層，目標層位于基底上，且目標層露出部分基底。
10、本專利技術實施例的有益效果在于：先對基底上的初始光刻膠層進行刻蝕，以形成具有定位開口的光刻膠層，在光刻膠層的定位開口內形成目標層，如此，避免了在目標層上形成初始光刻膠層，解決了目標層的材料與初始光刻膠層的材料不兼容所導致的初始光刻膠層無法圖案化的技術問題，進而解決了由于目標層的材料與光刻膠層的材料不兼容所導致的無法形成圖形化的目標層的問題。
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1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述目標層的材料包括有機材料。
3.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述初始目標層后還包括：對所述初始目標層遠離所述基底的表面進行平坦化處理；
4.根據權利要求1或3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述初始目標層的工藝包括：涂布工藝、熱壓工藝、軋制工藝、電鍍工藝或者沉積工藝。
5.根據權利要求1或3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除高于所述光刻膠層頂面的所述初始目標層包括：采用干法刻蝕工藝去除高于所述光刻膠層頂面的所述初始目標層。
6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠層包括：采用第一刻蝕工藝去除所述光刻膠層，在所述第一刻蝕工藝下，所述光刻膠層的刻蝕速率大于所述目標層的刻蝕速率。
7.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，提供所述基底包括：提供初始基底，在所述初始基底上形成功能層，所述初始基底和所述
8.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構采用權利要求1至7中任一項所述的半導體結構的形成方法形成，所述半導體結構包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述目標層的材料包括有機材料。
3.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述初始目標層后還包括：對所述初始目標層遠離所述基底的表面進行平坦化處理；
4.根據權利要求1或3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述初始目標層的工藝包括：涂布工藝、熱壓工藝、軋制工藝、電鍍工藝或者沉積工藝。
5.根據權利要求1或3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除高于所述光刻膠層頂面的所述初始目標...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李仲民，吳健興，但強，黎家健，
申請(專利權)人：瑞聲科技新加坡有限公司，
類型：發明
國別省市：
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