【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種濺射靶以及濺射靶的制造方法。
技術介紹
1、在硬盤驅動器所代表的磁記錄的領域中，作為承擔記錄的磁性薄膜的材料，使用了以作為強磁性金屬的co為基底的材料。在磁記錄用濺射靶中，大多使用了由強磁性合金和非磁性材料構成的復合材料，已知添加有氧化硼作為非磁性材料的濺射靶。
2、例如，在日本專利第5878242號公報(專利文獻1)中記載了如下的例子：一種磁記錄膜形成用濺射靶，其包含如下燒結體：該燒結體至少包含鈷作為金屬、且包含硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，在包含氧化物的相中存在cr(bo3)、co2b2o5、co3b2o6中的至少一種以上。通過使用cr(bo3)等復合氧化物來進行燒結，能得到品質更高、生產效率更良好的含硼濺射靶。
3、現有技術文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1：日本專利第5878242號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的問題
2、添加氧化硼作為非磁性材料的濺射靶存在如下問題：燒結后氧化硼的粒子變大，若為了抑制晶粒生長而降低燒結溫度，則密度得不到提高，會大量產生顆粒。
3、例如，由于作為非磁性材料之一的b2o3的熔點低，因此若直接使用b2o3原料，則在熔點以下進行了燒結時，密度有時會無法充分提高，大量產生顆粒的風險上升。但是，在熔點以上進行了燒結的情況下，不僅在燒結中b2o3熔解而成為組成不均的原因，還形成粗大的粒子并大量產生顆粒，難以穩定地得到品質高的濺射靶
4、另一方面，例如，在專利文獻1中，通過利用cr(bo3)、co2b2o5、co3b2o6等熔點高的復合氧化物，提高燒結溫度而提高密度，抑制了濺射過程中的顆粒產生。但是，例如若在co－pt－b2o3－sio2等的制作中利用co2b2o5、co3b2o6，則會變為使用金屬b，根據燒結條件，金屬b與sio2進行反應而產生大的粒子，若將由此得到的燒結體用作靶，則有時會大量產生顆粒。金屬b與氧化物的反應即使是sio2以外的氧化物也能發生。
5、鑒于上述問題，本公開提供一種能減少顆粒的產生的濺射靶及其制造方法。
6、用于解決問題的方案
7、本專利技術的實施方式的濺射靶在一個方案中，為一種濺射靶，其特征在于，包含10mol％以上且85mol％以下的co、0mol％以上且47mol％以下的pt、0mol％以上且47mol％以下的cr作為金屬成分，至少包含b6o作為氧化物成分。
8、專利技術效果
9、根據本公開，能提供一種能減少顆粒的產生的濺射靶及其制造方法。
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1.一種濺射靶的制造方法，其包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
3.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
4.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
5.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
6.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
7.一種濺射靶，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種濺射靶的制造方法，其包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
3.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，
4.根據權利要求1...
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