【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種被配置為在光刻設備中支撐襯底的襯底支撐件、將襯底裝載到襯底支撐件上的方法、包括襯底支撐件的光刻設備以及制造器件的方法，該方法包括將襯底裝載到襯底支撐件上的方法。
技術介紹
1、光刻設備是被構造為將期望的圖案施加到襯底上的機器。光刻設備可以被用于例如集成線路（ic）的制造中。例如，光刻設備可以將圖案形成裝置（例如掩模）的圖案（通常也稱為“設計布局”或“設計”）投影到提供在襯底（例如晶片）上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上。已知的光刻設備包括所謂的步進器（其中每個目標部分通過將整個圖案一次曝光到目標部分上來輻照）以及所謂的掃描儀（其中每個目標部分通過在給定方向（“掃描”方向）上通過輻射束掃描圖案，同時同步掃描平行或反平行于該方向的襯底來輻照）。
2、隨著半導體制造過程的不斷發展，遵循一般稱為‘摩爾定律’的趨勢，線路元件的尺寸被不斷減小，但幾十年來每個裝置的功能元件（諸如晶體管）的數量卻穩定增加。為了跟上摩爾定律，半導體行業正在尋求能夠創建越來越小的特征的技術。為了將圖案投影到襯底上，光刻設備可以使用電磁輻射。該輻射的波長確定了在襯底上圖案化的特征的最小尺寸。當前使用的典型波長是365?nm（i線）、248?nm、193?nm和13.5?nm。
3、通過在曝光期間在襯底上提供具有相對較高折射率的浸沒流體（諸如水），可以實現較小特征的分辨率的進一步提高。浸沒流體的效果是能夠對較小的特征進行成像，因為曝光輻射在流體中的波長比氣體中短。浸沒流體的效果也可以被視為增大了系統的有效數值孔徑（na），并且也增
4、浸沒流體可以通過流體處理結構被限制在光刻設備的投影系統和襯底之間的局部區域。
技術實現思路
1、在半導體制造過程中，襯底被支撐在襯底支撐件上。具體地，襯底被支撐在從襯底支撐件的表面突出的多個突節上。
2、在半導體行業中，通過收縮和增加襯底上的堆疊膜層數量，將更多功能性集成到襯底的單位表面上的趨勢越來越明顯。增加襯底上堆疊的層數會增加膜和襯底之間產生的應力，這可能會導致襯底嚴重翹曲。
3、這可能會導致突節的外圓周環和襯底下側之間的可變摩擦，從而導致襯底的高再現性。這可以通過用流體（即，浸沒流體）包圍突節的外圓周環來減輕。然而，這會導致更高的濕度梯度，從而導致襯底支撐件的平坦度漂移。
4、本專利技術的目的是在不增加襯底支撐件的平坦度漂移的情況下減輕與翹曲襯底的負載相關聯的問題。
5、根據本專利技術，提供了一種被配置為在光刻設備中支撐襯底的襯底支撐件，包括：
6、第一圓周壁；
7、第一開口，在第一圓周壁的徑向外側并且被配置為供應和/或抽取氣體；
8、第二圓周壁，在第一開口的徑向外側；
9、第二開口，與環境壓力流體連通并且在第二圓周壁的徑向外側；
10、第三圓周壁，在第二開口的徑向外側；
11、第三開口，在第三圓周壁的徑向外側并且被配置為抽取流體；以及
12、第四圓周壁，在第三開口的徑向外側。
13、根據本專利技術，還提供了一種將襯底裝載到襯底支撐件上的方法，該襯底支撐件具有第一圓周壁、在第一圓周壁的徑向外側的第二圓周壁、在第二圓周壁的徑向外側的第三圓周壁以及在第三圓周壁的徑向外側的第四圓周壁，其中第一區域在第一圓周壁和第二圓周壁之間，第二區域在第二圓周壁和第三圓周壁之間并且第三區域在第三圓周壁和第四圓周壁之間，該方法包括：
14、襯底裝載步驟，其中氣體被供應給第一區域；
15、襯底夾持步驟，其中氣體從第一區域抽取，并且流體從第三區域抽取。
16、根據本專利技術，還提供了一種包括襯底支撐件的光刻設備。
17、根據本專利技術，還提供了一種制造器件的方法，包括將襯底裝載到襯底支撐件上的方法。
18、下面參照附圖詳細描述本專利技術的其他實施例、特征和優點以及本專利技術的各種實施例、特征和優點的結構和操作。
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1.一種襯底支撐件，被配置為在光刻設備中支撐襯底，所述襯底支撐件包括：
2.根據權利要求1所述的襯底支撐件，還包括：第四開口，在所述第一圓周壁的徑向內側被配置為抽取氣體，和/或其中所述襯底支撐件被配置為使得所述第一圓周壁、第二圓周壁、第三圓周壁和第四圓周壁與所述襯底的底表面形成至少部分密封。
3.根據權利要求2所述的襯底支撐件，其中所述襯底的所述底表面與所述第三圓周壁和所述第四圓周壁的所述頂表面之間的距離比所述襯底的所述底表面與所述第一圓周壁和所述第二圓周壁的所述頂表面之間的距離大，和/或其中所述襯底的所述底表面與所述第一圓周壁、第二圓周壁、第三圓周壁和第四圓周壁中的至少一個的所述頂表面之間的距離在1和10?μm之間，優選地在1和5?μm之間，并且進一步優選地在3和5?μm之間。
4.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，其中所述襯底支撐件被配置為使得當氣體由所述第一開口供應時，能夠使所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的第一區域中的壓力大于所述襯底周圍的所述環境壓力，和/或其中所述第三圓周壁和所述第四圓周壁的寬度比所述第一圓周壁和所述第二圓
5.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，其中所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的距離大于0.5?mm，優選地大于1?mm并且進一步優選地大于1.5?mm，并且小于10mm，和/或其中所述第二圓周壁和所述第三圓周壁之間的距離小于1?mm，優選地小于0.8?mm并且進一步優選地小于0.6?mm，并且大于0.2?mm，和/或其中所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的距離大于所述襯底的直徑的0.15%，優選地大于所述襯底的所述直徑的0.3%，并且進一步優選地大于所述襯底的所述直徑的0.5%，并且小于所述襯底的所述直徑的3.3%，和/或其中所述第三圓周壁在徑向方向上的所述中心與所述第四圓周壁在徑向方向上的所述中心之間的距離大于0.45?mm，優選地大于0.6?mm，并且優選地大于0.68?mm，并且小于1.05?mm，優選地小于0.9?mm，并且進一步優選地小于0.83?mm。
6.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，還包括以多個圓周環布置的多個突節。
7.根據權利要求6所述的襯底支撐件，其中所述突節的直徑取決于其在所述襯底支撐件上的徑向位置，和/或其中突節的徑向最外圓周環位于所述第三圓周壁上或周圍，和/或其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環以及第四徑向最外圓周環中的突節的直徑大于其他環中的突節的直徑。
8.根據權利要求6或7所述的襯底支撐件，其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環和第四徑向最外圓周環中的突節的直徑比其他環中的突節的直徑大超過10%，優選地比其他環中的突節的所述直徑大超過20%并且進一步優選地比其他環中的突節的所述直徑大超過25%，并且比其他環中的突節的所述直徑大不到100%，優選地比其他環中的突節的所述直徑大不到50%，并且進一步優選地比其他環中的突節的所述直徑的大不到30%，和/或其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環和第四徑向最外圓周壁中的突節的直徑在200?μm和350?μm之間，并且其他環中的突節的直徑在150?μm和250?μm之間，優選地其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環以及第四徑向最外圓周環中的突節的直徑在250μm和330?μm之間，并且其他環中的突節的直徑在190?μm和240?μm之間，并且進一步優選地其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環以及第四徑向最外圓周環中的突節的所直徑在260?μm和280?μm之間，并且其他環中的突節的直徑在200?μm和220?μm之間，和/或其他所述第三圓周壁的徑向中心和所述第四圓周壁的徑向中心之間的距離大于突節節距的30%，優選地大于所述突節節距的40%，并且優選地大于所述突節節距的45%，并且小于所述突節節距的70%，優選地小于所述突節節距的60%，并且進一步優選地小于所述突節節距的55%。
9.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，其中所述第一開口的直徑比所述第二開口的直徑小，和/或其中所述第二開口附加地與正壓源流體連通。
10.根據權利要求9所述的襯底支撐件，其中所述第二開口被配置為供應干燥或加濕的氣體。...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種襯底支撐件，被配置為在光刻設備中支撐襯底，所述襯底支撐件包括：
2.根據權利要求1所述的襯底支撐件，還包括：第四開口，在所述第一圓周壁的徑向內側被配置為抽取氣體，和/或其中所述襯底支撐件被配置為使得所述第一圓周壁、第二圓周壁、第三圓周壁和第四圓周壁與所述襯底的底表面形成至少部分密封。
3.根據權利要求2所述的襯底支撐件，其中所述襯底的所述底表面與所述第三圓周壁和所述第四圓周壁的所述頂表面之間的距離比所述襯底的所述底表面與所述第一圓周壁和所述第二圓周壁的所述頂表面之間的距離大，和/或其中所述襯底的所述底表面與所述第一圓周壁、第二圓周壁、第三圓周壁和第四圓周壁中的至少一個的所述頂表面之間的距離在1和10?μm之間，優選地在1和5?μm之間，并且進一步優選地在3和5?μm之間。
4.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，其中所述襯底支撐件被配置為使得當氣體由所述第一開口供應時，能夠使所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的第一區域中的壓力大于所述襯底周圍的所述環境壓力，和/或其中所述第三圓周壁和所述第四圓周壁的寬度比所述第一圓周壁和所述第二圓周壁的寬度大，和/或其中所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的距離大于所述第二圓周壁和所述第三圓周壁之間的距離以及所述第三圓周壁和所述第四圓周壁之間的距離，和/或其中所述第二圓周壁和所述第三圓周壁之間的距離小于所述襯底的直徑的0.5%，優選地小于所述襯底的所述直徑的0.25%，并且進一步優選地小于所述襯底的所述直徑的0.2%，并且大于所述襯底的所述直徑的0.05%。
5.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，其中所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的距離大于0.5?mm，優選地大于1?mm并且進一步優選地大于1.5?mm，并且小于10mm，和/或其中所述第二圓周壁和所述第三圓周壁之間的距離小于1?mm，優選地小于0.8?mm并且進一步優選地小于0.6?mm，并且大于0.2?mm，和/或其中所述第一圓周壁和所述第二圓周壁之間的距離大于所述襯底的直徑的0.15%，優選地大于所述襯底的所述直徑的0.3%，并且進一步優選地大于所述襯底的所述直徑的0.5%，并且小于所述襯底的所述直徑的3.3%，和/或其中所述第三圓周壁在徑向方向上的所述中心與所述第四圓周壁在徑向方向上的所述中心之間的距離大于0.45?mm，優選地大于0.6?mm，并且優選地大于0.68?mm，并且小于1.05?mm，優選地小于0.9?mm，并且進一步優選地小于0.83?mm。
6.根據前述權利要求中任一項所述的襯底支撐件，還包括以多個圓周環布置的多個突節。
7.根據權利要求6所述的襯底支撐件，其中所述突節的直徑取決于其在所述襯底支撐件上的徑向位置，和/或其中突節的徑向最外圓周環位于所述第三圓周壁上或周圍，和/或其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最外圓周環以及第四徑向最外圓周環中的突節的直徑大于其他環中的突節的直徑。
8.根據權利要求6或7所述的襯底支撐件，其中所述徑向最外圓周環、第三徑向最...
【專利技術屬性】
技術研發人員：D·蓬特托尼，N·J·J·羅塞，T·N·M·西格，J·惠伯特斯，S·K·拉文斯伯格，黃壯雄，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發明
國別省市：
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