【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及太陽(yáng)能電池，尤其是涉及一種n型topcon單面電池。
技術(shù)介紹
1、作為新型可替代能源的太陽(yáng)能電池以其自身綠色、安全及可再生能力的優(yōu)勢(shì)，得到了長(zhǎng)足發(fā)展，目前太陽(yáng)能電池光伏發(fā)電已較為成熟，隨著光伏技術(shù)日新月異的發(fā)展，n型電池以更高的發(fā)電效率受到了行業(yè)的熱捧，其中n型topcon電池已陸續(xù)量產(chǎn)。
2、現(xiàn)有的專利（公告號(hào)：cn112349816a）公開了一種基于pecvd技術(shù)的高效低成本n型topcon電池的制備方法，包括裸硅片去損傷并進(jìn)行表面形貌處理，采用板式pecvd沉積隧穿氧化層、本征多晶硅層和原位摻雜非晶硅層，穿氧化層的厚度為1-2nm，本征多晶層厚為10-60nm；制備工藝基于pecvd技術(shù)，采用先制備背面的隧穿氧化層疊加摻雜多晶硅層，然后通過(guò)后續(xù)硼擴(kuò)高溫工藝實(shí)現(xiàn)晶化，再制備正面pn結(jié)，然后再鈍化、印刷電極，但是得到的topcon電池原位摻雜多晶硅層厚度不均勻，很難通過(guò)調(diào)節(jié)原位摻雜的工藝參數(shù)而使該缺陷發(fā)生實(shí)質(zhì)性改變。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了改善上述提到的得到的topcon電池原位摻雜多晶硅層厚度不均勻，很難通過(guò)調(diào)節(jié)原位摻雜的工藝參數(shù)而使該缺陷發(fā)生實(shí)質(zhì)性改變問(wèn)題，本技術(shù)提供一種n型topcon單面電池。
2、本技術(shù)提供一種n型topcon單面電池，采用如下的技術(shù)方案：
3、一種n型topcon單面電池，包括放置箱，所述放置箱內(nèi)壁的底面設(shè)置有多晶硅層，所多晶硅層的上側(cè)粘貼有p型發(fā)射極，所述p型發(fā)射極的上側(cè)粘貼有防護(hù)層，所述防護(hù)層的上側(cè)粘
4、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于保護(hù)所述摻雜多晶硅層，提升topcon電池的轉(zhuǎn)換效率，且能夠保證電池的堅(jiān)硬程度與使用壽命。
5、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述鈍化層采用厚度為mm的氧化鋁制作而成。
6、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于氧化鋁材質(zhì)的鈍化層的熔點(diǎn)為2054℃，沸點(diǎn)為2980℃，且具有極高的硬度。
7、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述鈍化層的上側(cè)與放置箱（1）的底面均涂抹有eva膠膜。
8、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于eva膠膜材質(zhì)的鈍化層具有高透明度，高粘著力，良好的耐久性可以抵抗高溫、潮氣、紫外線等。
9、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述多晶硅層的厚度為70nm，且多晶硅層的材質(zhì)為n型多晶硅薄膜。
10、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于通過(guò)多晶硅層材質(zhì)的n型多晶硅薄膜可以通過(guò)控制反應(yīng)條件，如溫度、沉積速率、氣體流量等參數(shù)，來(lái)調(diào)控多晶硅薄膜的物理化學(xué)性質(zhì)，相對(duì)于其他太陽(yáng)能電池材料，多晶硅薄膜的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，多晶硅薄膜的晶粒的尺寸在數(shù)十至數(shù)百個(gè)納米之間，晶界較多，具有良好的吸收性能，且多晶硅薄膜的吸收系數(shù)對(duì)光的波長(zhǎng)非常敏感，吸收性能主要集中在400~800nm波段，多晶硅薄膜在這個(gè)波段內(nèi)的吸收率較高，透過(guò)率較低，對(duì)于太陽(yáng)能電池非常重要，能夠通過(guò)控制薄膜厚度和摩擦表面的反射率來(lái)提高其吸收效率。
11、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述放置箱的材質(zhì)為鋼化玻璃，且放置箱的厚度為4mm。
12、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于鋼化玻璃材質(zhì)的放置箱整體較為堅(jiān)硬。
13、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述防護(hù)層的厚度為3nm，且防護(hù)層的材質(zhì)為氮化硅。
14、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于氮化硅具有硬度大，具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體，高溫時(shí)抗氧化，而且它還能抵抗冷熱沖擊，同時(shí)在空氣中加熱到1000度是也不會(huì)出現(xiàn)碎裂的特點(diǎn)。
15、可選的，上述一種n型topcon單面電池中，所述放置箱的形狀為方形，且方形的放置箱其四角均做倒角處理。
16、通過(guò)上述技術(shù)方案，便于做倒角處理的放置箱減小了磕碰到物件時(shí)出現(xiàn)損壞的可能。
17、綜上所述，本技術(shù)包括以下至少一種有益效果：
18、1、通過(guò)多晶硅層的材質(zhì)為n型多晶硅薄膜與氮化硅材質(zhì)的防護(hù)層能夠大大改善摻雜多晶硅層的均勻性，進(jìn)而縮減整體的工藝時(shí)間，保護(hù)所述摻雜多晶硅層，提升topcon電池的轉(zhuǎn)換效率。
19、2、通過(guò)eva膠膜材質(zhì)的鈍化層具有高透明度，高粘著力，良好的耐久性可以抵抗高溫、潮氣、紫外線與氮化硅材質(zhì)的防護(hù)層具有硬度大，具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體，高溫時(shí)抗氧化，而且它還能抵抗冷熱沖擊，同時(shí)在空氣中加熱到1000度是也不會(huì)出現(xiàn)碎裂的特點(diǎn)，進(jìn)而能夠保證電池的堅(jiān)硬程度與使用壽命。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種N型TOPCON單面電池，包括放置箱（1），其特征在于：所述放置箱（1）內(nèi)壁的底面設(shè)置有多晶硅層（2），所多晶硅層（2）的上側(cè)粘貼有p型發(fā)射極（3），所述p型發(fā)射極（3）的上側(cè)粘貼有防護(hù)層（4），所述防護(hù)層（4）的上側(cè)粘貼有鈍化層（5）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型TOPCON單面電池，其特征在于：所述鈍化層（5）采用厚度為2mm的氧化鋁制作而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型TOPCON單面電池，其特征在于：所述鈍化層（5）的上側(cè)與放置箱（1）的底面均涂抹有eva膠膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型TOPCON單面電池，其特征在于：所述多晶硅層（2）的厚度為70nm，且多晶硅層（2）的材質(zhì)為N型多晶硅薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型TOPCON單面電池，其特征在于：所述放置箱（1）的材質(zhì)為鋼化玻璃，且放置箱（1）的厚度為4mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型TOPCON單面電池，其特征在于：所述防護(hù)層（4）的厚度為3nm，且防護(hù)層（4）的材質(zhì)為氮化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種n型topcon單面電池，包括放置箱（1），其特征在于：所述放置箱（1）內(nèi)壁的底面設(shè)置有多晶硅層（2），所多晶硅層（2）的上側(cè)粘貼有p型發(fā)射極（3），所述p型發(fā)射極（3）的上側(cè)粘貼有防護(hù)層（4），所述防護(hù)層（4）的上側(cè)粘貼有鈍化層（5）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種n型topcon單面電池，其特征在于：所述鈍化層（5）采用厚度為2mm的氧化鋁制作而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種n型topcon單面電池，其特征在于：所述鈍化層（5）的上側(cè)與放置箱（1）的底面均涂抹有eva膠膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：宋劍，沐楊，侯奎，李亞楠，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇宏潤(rùn)光電科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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