【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及一種基板處理方法和基板處理系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、在專利文獻1中記載了在半導(dǎo)體裝置的制造過程中對進行了濕式清洗的基板進行干式清潔。在專利文獻1中，對于進行了濕式清洗的基板，首先，在溫度為600℃～800℃、壓力為1×10-6pa～1×10-8pa的高真空氣氛下進行第一熱清潔，來去除殘留在基板上的氧化膜。接下來，在溫度為750℃～800℃(根據(jù)情況為800℃～900℃)、壓力為133.3pa～1000pa的氫氣氛下進行第二熱清潔，來去除碳等污染物。專利文獻1中的干式清潔作為在去除了氧化膜的基板上使結(jié)晶層外延生長的工序的預(yù)處理來進行，至少氫氣氛下的第二熱清潔與外延生長工序在相同的腔室中連續(xù)地進行。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：國際公開wo01/033618
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開提供一種能夠去除在液處理后附著于基板的附著物的技術(shù)。
2、根據(jù)本公開的一個實施方式，提供一種基板處理方法，包括：將通過被供給處理液而進行了液處理的基板搬入真空腔室的工序；以及真空烘烤工序，在將所述真空腔室內(nèi)設(shè)為比常壓低的預(yù)先決定的處理壓力的狀態(tài)下，以預(yù)先決定的處理溫度來加熱所述基板，由此去除由于所述液處理而附著于所述基板的表面的附著物，其中，所述處理溫度是比大氣壓下的所述附著物的沸點低的溫度。
3、根據(jù)本公開，能夠去除在液處理后附著于基板的附著物。
【技術(shù)保護點】
1.一種基板處理方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，
12.一種基板處理系統(tǒng)，具備：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理系統(tǒng)，其中，
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種基板處理方法，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小杉仁，
申請(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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