【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
本公開涉及固態(tài)攝像元件和電子設(shè)備，并且特別地涉及能夠?qū)崿F(xiàn)更高圖像質(zhì)量的固態(tài)攝像元件和電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、常規(guī)地，使用堆疊有包括光電二極管的傳感器基板和包括邏輯電路的邏輯基板的堆疊式cmos(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器作為固態(tài)攝像裝置。
2、例如，cmos圖像傳感器構(gòu)造有以所需圖案布置的多個(gè)像素，所需圖案中各像素由光電二極管和多個(gè)晶體管(所謂的mos晶體管)形成。還開發(fā)了一種cmos圖像傳感器，該圖像傳感器中線間電容器連接至用于針對(duì)各像素累積從光電二極管傳輸?shù)碾姾傻膄d(浮動(dòng)擴(kuò)散)部。
3、例如，專利文獻(xiàn)1公開了一種圖像傳感器，該圖像傳感器中，在設(shè)置在包括光電二極管的第一層和包括邏輯電路的第二層之間的第三層中具有mim(金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)的線間電容器累積電荷。
4、引用文獻(xiàn)列表
5、專利文獻(xiàn)
6、專利文獻(xiàn)1
7、美國(guó)專利申請(qǐng)公開號(hào)2021/0134873(說明書)(us，a1)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、順便提及地，在如上所述的堆疊式cmos圖像傳感器中，已知當(dāng)驅(qū)動(dòng)邏輯基板時(shí)會(huì)出現(xiàn)頻帶噪聲，并且擔(dān)心由于線間電容器被頻帶噪聲影響而導(dǎo)致圖像質(zhì)量會(huì)降低。
3、鑒于這種情況，本公開旨在實(shí)現(xiàn)更高的圖像質(zhì)量。
4、技術(shù)問題的解決方案
5、根據(jù)本公開的一個(gè)方面的固態(tài)攝像元件針對(duì)各像素包括：光電轉(zhuǎn)換單元，其將光光電轉(zhuǎn)換為電荷；第一fd部，其累積從所述光電轉(zhuǎn)換
6、本公開的一個(gè)方面的電子設(shè)備包括固態(tài)攝像元件，所述固態(tài)攝像元件針對(duì)各像素包括：光電轉(zhuǎn)換單元，其將光光電轉(zhuǎn)換為電荷；第一fd部，其累積從所述光電轉(zhuǎn)換單元經(jīng)由傳輸晶體管傳輸?shù)碾姾桑詫⑺鲭姾赊D(zhuǎn)換為像素信號(hào)；經(jīng)由連接晶體管連接至所述第一fd部的第二fd部；以及連接至所述第二fd部以累積電荷的線間電容器，其中所述線間電容器構(gòu)造為包括連接至所述第二fd部的第一電極和隔著電介質(zhì)面對(duì)所述第一電極的第二電極，并且當(dāng)在從堆疊在設(shè)置有所述光電轉(zhuǎn)換單元的傳感器基板上的邏輯基板觀察的平面圖中觀察時(shí)，連接至所述第二電極的配線設(shè)置為至少覆蓋整個(gè)第二電極。
7、在本公開的一個(gè)方面中，各像素包括光電轉(zhuǎn)換單元，其將光光電轉(zhuǎn)換為電荷；第一fd部，其累積從所述光電轉(zhuǎn)換單元經(jīng)由傳輸晶體管傳輸?shù)碾姾桑詫⑺鲭姾赊D(zhuǎn)換為像素信號(hào)；經(jīng)由連接晶體管連接至所述第一fd部的第二fd部；以及連接至所述第二fd部以累積電荷的線間電容器。另外，所述線間電容器構(gòu)造為包括連接至所述第二fd部的第一電極和隔著電介質(zhì)面對(duì)所述第一電極的第二電極，并且當(dāng)在從堆疊在設(shè)置有所述光電轉(zhuǎn)換單元的傳感器基板上的邏輯基板觀察的平面圖觀察時(shí)，連接至所述第二電極的配線設(shè)置為至少覆蓋整個(gè)第二電極。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種固態(tài)攝像元件，其針對(duì)各像素包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，所述固態(tài)攝像元件具有如下結(jié)構(gòu)：當(dāng)用強(qiáng)度足以超過所述光電轉(zhuǎn)換單元的飽和容量的光照射所述光電轉(zhuǎn)換單元時(shí)，從所述光電轉(zhuǎn)換單元溢出的電荷累積在所述線間電容器中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，在所述像素被長(zhǎng)時(shí)間曝光并且在所述光電轉(zhuǎn)換單元中累積電荷的電荷累積時(shí)段期間，連接至所述線間電容器的所述第二電極的所述配線的電位被控制為低電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器和所述配線布置在所述傳感器基板側(cè)的配線層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器和所述配線布置在所述邏輯基板側(cè)的配線層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器布置在所述傳感器基板側(cè)的配線層中，并且所述配線布置在所述邏輯基板側(cè)的配線層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述像素包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)攝像元件，還包括第二線間電容器，所述第二線間電容器包括連接
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)攝像元件，其中，當(dāng)在從所述邏輯基板側(cè)觀察的平面圖中觀察時(shí)，所述線間電容器和所述第二線間電容器被連接至所述線間電容器的所述第二電極的配線和連接至所述第二線間電容器的所述第三電極的配線中的一者覆蓋。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，還包括溢流晶體管，當(dāng)用強(qiáng)度足以超過所述光電轉(zhuǎn)換單元的飽和容量的光照射所述光電轉(zhuǎn)換單元時(shí)，所述溢流晶體管使從所述光電轉(zhuǎn)換單元溢出的電荷溢出并累積在所述線間電容器中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器構(gòu)造為三維結(jié)構(gòu)。
12.一種包括固態(tài)攝像元件的電子設(shè)備，所述固態(tài)攝像元件針對(duì)各像素包括：
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
1.一種固態(tài)攝像元件，其針對(duì)各像素包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，所述固態(tài)攝像元件具有如下結(jié)構(gòu)：當(dāng)用強(qiáng)度足以超過所述光電轉(zhuǎn)換單元的飽和容量的光照射所述光電轉(zhuǎn)換單元時(shí)，從所述光電轉(zhuǎn)換單元溢出的電荷累積在所述線間電容器中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，在所述像素被長(zhǎng)時(shí)間曝光并且在所述光電轉(zhuǎn)換單元中累積電荷的電荷累積時(shí)段期間，連接至所述線間電容器的所述第二電極的所述配線的電位被控制為低電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器和所述配線布置在所述傳感器基板側(cè)的配線層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器和所述配線布置在所述邏輯基板側(cè)的配線層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像元件，其中，所述線間電容器布置在所述傳感器基板側(cè)的配線層中，并且所述配線布置在所述邏輯基板側(cè)的配線層中。
7.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：山中貴哉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：索尼半導(dǎo)體解決方案公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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