【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開的實施例總體上涉及處理基板的方法。更具體而言，本文所描述的實施例涉及在半導體處理腔室內加熱預熱環及前驅物的方法。
技術介紹
1、處理半導體基板用于各種各樣的應用，包括制造整合裝置及微裝置。一種基板處理方法包括在處理腔室中的基板的上表面上沉積材料，諸如介電材料或導電材料。例如，外延是在基板表面上生長(通常是硅或鍺的)薄的超純層的沉積處理。通過使處理氣體與支撐件上定位的基板表面平行地流動并且熱分解處理氣體以將來自處理氣體的材料沉積到基板表面上，可在側向流動腔室中沉積材料。
2、在外延沉積期間，處理氣體在基板及基座的頂表面上方流動。處理氣體溫度用于在基板上形成膜或層。在處理期間在基板的前端與后端之間的處理氣體的溫度變化。處理氣體的不均勻性導致沿著基板長度的不均勻沉積。不均勻沉積是經由基板的旋轉來解決的，但仍損失了大量前驅物氣體并且在基板邊緣處的生長速率仍與基板中心中的生長速率不同。
3、由此，需要對處理腔室內的處理氣體的改進的溫度控制。
技術實現思路
1、在一個實施例中，一種被配置為在半導體處理期間使用的處理腔室包括：腔室主體，包含在腔室主體的第一側面上的多個氣體入口及在腔室主體的與第一側面相對的第二側面上的一個或多個排放出口；基板支撐件，在腔室主體的處理容積內設置；以及預熱環組件，在多個氣體入口與基板支撐件之間設置。該預熱環組件包括：預熱環；一個或多個加熱器，鄰近預熱環設置；以及一個或多個溫度傳感器，鄰近預熱環設置。
2、在另一實施例中，一種被
3、一種被配置為在半導體處理腔室內加熱預熱環的加熱器插入件，包括加熱器殼體，該加熱器殼體包含：透射部分；不透明部分，耦接到該透射部分的遠端；以及加熱器基底，耦接到透射部分的遠端，與該透射部分相對，使得不透明部分與加熱器基底的接觸表面相交并且接觸表面具有設置于其中的一個或多個溝槽；反射器，在加熱器殼體內設置并且形成前加熱器容積及后加熱器容積；以及加熱元件，在前加熱器容積內以及加熱器殼體的透射部分內設置。
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1.一種處理腔室，被配置為在半導體處理期間使用，包括：
2.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述預熱環外接所述基板支撐件并且進一步包括：
3.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述一個或多個加熱器耦接到所述預熱環的下側面，并且所述預熱環擱置在所述一個或多個加熱器的頂部上。
4.如權利要求3所述的處理腔室，其中所述加熱器進一步包括：
5.如權利要求4所述的處理腔室，其中所述加熱元件為燈或電阻加熱元件中的一者。
6.如權利要求4所述的處理腔室，其中加熱器基底耦接到所述腔室主體的外表面并且耦接到所述加熱器殼體。
7.如權利要求1所述的處理腔室，進一步包括：
8.一種預熱環組件，被配置為在半導體處理腔室內使用，包括：
9.如權利要求8所述的預熱環組件，其中所述第一預熱環區段由碳化硅材料形成。
10.如權利要求8所述的預熱環組件，其中所述兩個或更多個加熱器至少部分地在加熱器插入件主體內設置，并且所述第一預熱環區段在所述加熱器插入件主體的頂部上設置。
11.如權利要求10所述
12.如權利要求8所述的預熱環組件，其中所述加熱器殼體由石英材料形成。
13.如權利要求12所述的預熱環組件，其中所述加熱器殼體進一步包括：
14.如權利要求8所述的預熱環組件，其中一個或多個溫度傳感器在所述第一預熱環區段內設置。
15.一種加熱器插入件，被配置為在半導體處理腔室內加熱預熱環，包括：
16.如權利要求15所述的加熱器插入件，其中所述加熱元件為燈或電阻加熱元件中的一者。
17.如權利要求16所述的加熱器插入件，其中所述加熱元件具有約500W至約3000W的電力輸出。
18.如權利要求15所述的加熱器插入件，其中所述透射部分為具有大于約90％的透明度的透射石英，并且所述不透明部分為具有小于約50％的透明度的不透明石英。
19.如權利要求15所述的加熱器插入件，其中所述一個或多個溝槽被配置為固持熱屏蔽環及密封環。
20.如權利要求15所述的加熱器插入件，其中壓縮墊圈及壓縮蓋耦接到所述加熱器基底，使得所述壓縮墊圈在所述壓縮蓋與所述加熱器基底之間設置。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種處理腔室，被配置為在半導體處理期間使用，包括：
2.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述預熱環外接所述基板支撐件并且進一步包括：
3.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述一個或多個加熱器耦接到所述預熱環的下側面，并且所述預熱環擱置在所述一個或多個加熱器的頂部上。
4.如權利要求3所述的處理腔室，其中所述加熱器進一步包括：
5.如權利要求4所述的處理腔室，其中所述加熱元件為燈或電阻加熱元件中的一者。
6.如權利要求4所述的處理腔室，其中加熱器基底耦接到所述腔室主體的外表面并且耦接到所述加熱器殼體。
7.如權利要求1所述的處理腔室，進一步包括：
8.一種預熱環組件，被配置為在半導體處理腔室內使用，包括：
9.如權利要求8所述的預熱環組件，其中所述第一預熱環區段由碳化硅材料形成。
10.如權利要求8所述的預熱環組件，其中所述兩個或更多個加熱器至少部分地在加熱器插入件主體內設置，并且所述第一預熱環區段在所述加熱器插入件主體的頂部上設置。
11.如權利要求10所述的預熱環組件，其中所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：叢者澎，阿舒爾·J·阿塔諾斯，盛濤，尼姆羅德·史密斯，維恩·N·德蘭，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
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