【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及氟樹脂膜、金屬貼覆層積體和電路用基板。
技術(shù)介紹
1、在電路基板中，要求得到不易產(chǎn)生信號(hào)線的斷線的低傳輸損耗基板。因此，存在期望膜不變形地與銅箔貼合的一般需求，以往，提出了一些表面沒有凹凸、外觀良好的膜(專利文獻(xiàn)1～3)。
2、其中，例如，在專利文獻(xiàn)1中提出了一種卷膜，其是兩面的算術(shù)平均表面粗糙度為0.1μm以下的卷膜，其中，相對于卷取芯的軸向的卷繞偏移為5mm以下。
3、另外，在專利文獻(xiàn)4中記載了下述內(nèi)容：通過使電線用途中使用的含氟共聚物的-cf3基以外的末端基團(tuán)在每106個(gè)碳原子數(shù)中為50個(gè)以下，不存在由擠出成型時(shí)的熱分解導(dǎo)致的發(fā)泡，能夠減少成型不良，另外，不會(huì)引起導(dǎo)致魚眼的擠出成型時(shí)的含氟共聚物的分子彼此的再結(jié)合(交聯(lián))，能夠減少魚眼的個(gè)數(shù)。
4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)
6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2021-160856號(hào)公報(bào)
7、專利文獻(xiàn)2：國際公開2017/022575號(hào)
8、專利文獻(xiàn)3：日本特開2017-119741號(hào)公報(bào)
9、專利文獻(xiàn)4：國際公開2008/047906號(hào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的課題
2、本公開的目的在于獲得與銅箔等金屬箔的粘合良好的氟樹脂膜和使用了該氟樹脂膜的金屬貼覆層積體。
3、用于解決課題的手段
4、本公開涉及一種氟樹脂膜，其為由氟樹脂構(gòu)成的膜，其中，存在于膜中的膜的流動(dòng)方向的長度或?qū)挾确较虻拈L度
5、在氟樹脂的每1×106個(gè)主鏈碳原子數(shù)中，上述氟樹脂的不穩(wěn)定官能團(tuán)數(shù)優(yōu)選小于350個(gè)。
6、上述氟樹脂優(yōu)選為四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物(pfa)或四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(fep)。
7、在372℃、載荷49n下的氟樹脂的熔融流動(dòng)速度優(yōu)選為0.1g/10分鐘～50g/10分鐘。
8、上述膜優(yōu)選面積為1平方米以上。
9、上述導(dǎo)電性異物包含鎳和/或碳化物。
10、上述膜優(yōu)選與表面粗糙度rz為1.5μm以下的金屬箔粘接時(shí)的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
11、上述膜優(yōu)選用于金屬貼覆層積板。
12、本公開還涉及一種金屬貼覆層積體，其將金屬箔和上述任一種氟樹脂膜作為必要的層。
13、上述金屬貼覆層積體優(yōu)選還具有金屬箔和氟樹脂膜以外的層，
14、該金屬箔和氟樹脂膜以外的層為選自由聚酰亞胺、液晶聚合物、聚苯硫醚、環(huán)烯烴聚合物、聚苯乙烯、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺、聚亞苯基氧化物、聚苯撐醚和聚丁二烯組成的組中的至少1種。
15、上述金屬箔的表面粗糙度rz優(yōu)選為1.5μm以下。
16、上述金屬貼覆層積體優(yōu)選金屬箔與氟樹脂膜的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
17、本公開還涉及一種電路用基板，其特征在于，具有上述任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體。
18、專利技術(shù)的效果
19、本公開的氟樹脂膜是外觀不良和與金屬箔的粘合不良減少、與金屬箔的粘合良好的膜。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種氟樹脂膜，其為由氟樹脂構(gòu)成的膜，其中，存在于膜中的膜的流動(dòng)方向的長度或?qū)挾确较虻拈L度為50μm以上的導(dǎo)電性異物的個(gè)數(shù)小于60個(gè)/平方米。
2.如權(quán)利要求1所述的氟樹脂膜，其中，在氟樹脂的每1×106個(gè)主鏈碳原子數(shù)中所述氟樹脂的不穩(wěn)定官能團(tuán)數(shù)小于350個(gè)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氟樹脂膜，其中，所述氟樹脂為四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物或四氟乙烯/六氟丙烯共聚物。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，在372℃、載荷49N下的所述氟樹脂的熔融流動(dòng)速度為0.1g/10分鐘～50g/10分鐘。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其面積為1平方米以上。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，所述導(dǎo)電性異物包含鎳和/或碳化物。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，與表面粗糙度Rz為1.5μm以下的金屬箔粘接時(shí)的粘接強(qiáng)度為0.8N/mm以上。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其用于金屬貼覆層積板。
9.一種金屬貼覆層積
10.如權(quán)利要求9所述的金屬貼覆層積體，其還具有金屬箔和氟樹脂膜以外的層，該金屬箔和氟樹脂膜以外的層為選自由聚酰亞胺、液晶聚合物、聚苯硫醚、環(huán)烯烴聚合物、聚苯乙烯、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺、聚亞苯基氧化物、聚苯撐醚和聚丁二烯組成的組中的至少1種。
11.如權(quán)利要求9或10所述的金屬貼覆層積體，其中，金屬箔的表面粗糙度Rz為1.5μm以下。
12.如權(quán)利要求9～11中任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體，其中，金屬箔與氟樹脂膜的粘接強(qiáng)度為0.8N/mm以上。
13.一種電路用基板，其特征在于，具有權(quán)利要求9～12中任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種氟樹脂膜，其為由氟樹脂構(gòu)成的膜，其中，存在于膜中的膜的流動(dòng)方向的長度或?qū)挾确较虻拈L度為50μm以上的導(dǎo)電性異物的個(gè)數(shù)小于60個(gè)/平方米。
2.如權(quán)利要求1所述的氟樹脂膜，其中，在氟樹脂的每1×106個(gè)主鏈碳原子數(shù)中所述氟樹脂的不穩(wěn)定官能團(tuán)數(shù)小于350個(gè)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氟樹脂膜，其中，所述氟樹脂為四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物或四氟乙烯/六氟丙烯共聚物。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，在372℃、載荷49n下的所述氟樹脂的熔融流動(dòng)速度為0.1g/10分鐘～50g/10分鐘。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其面積為1平方米以上。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，所述導(dǎo)電性異物包含鎳和/或碳化物。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氟樹脂膜，其中，與表面粗糙度rz為1...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：立道麻有子，小松信之，通口達(dá)也，橫谷幸治，高橋謙三，大島健太郎，
申請(專利權(quán))人：大金工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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