【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本公開(kāi)涉及氟樹(shù)脂膜、金屬貼覆層積板和電路用基板。
技術(shù)介紹
1、電路基板中廣泛使用了環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂作為絕緣層。近年來(lái)，對(duì)于在數(shù)十千兆赫級(jí)別的高頻區(qū)域的用途中使用的高頻電路基板，從介電特性、吸濕性的方面出發(fā)，提出了一些在金屬箔上形成氟樹(shù)脂的絕緣層的構(gòu)成。
2、對(duì)于這樣的印刷布線基板而言，通過(guò)對(duì)氟樹(shù)脂膜實(shí)施表面處理，也可得到與金屬箔的粘接性。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2019-11413
6、專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2008-200991
7、專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)2020/066457
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的課題
2、本公開(kāi)的目的在于提供一種膜的粘接強(qiáng)度的均勻性高的氟樹(shù)脂膜。
3、用于解決課題的手段
4、本公開(kāi)涉及一種氟樹(shù)脂膜，其為由包含氟樹(shù)脂的組合物構(gòu)成的膜，其中，在至少一個(gè)表面，在中央和距左右各端100mm的部位，相對(duì)于行進(jìn)方向每隔100mm在5處測(cè)定的與水的接觸角的平均值為105°以下，相對(duì)于行進(jìn)方向每隔100mm在5處測(cè)定的與正十六烷的接觸角的平均值為45°以下。
5、上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選膜寬為400mm以上。
6、上述氟樹(shù)脂優(yōu)選包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(pfa)和/或四氟乙烯-六氟丙烯(fep)。
7、上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選10ghz下的介質(zhì)損耗角正切小于0.0015。
8、上述
9、上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選表面粗糙度rz為1.5μm以下的金屬箔與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
10、上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選包含環(huán)氧樹(shù)脂和/或聚苯撐醚的預(yù)浸料與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
11、上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選與金屬箔的粘接溫度為200℃以上。上述氟樹(shù)脂膜優(yōu)選用于金屬貼覆層積板。
12、本專利技術(shù)還涉及一種金屬貼覆層積體，其將金屬箔和上述氟樹(shù)脂膜作為必要的層。
13、本專利技術(shù)還涉及一種金屬貼覆層積體，其為由表面粗糙度rz為1.5μm以下的金屬箔和氟樹(shù)脂膜構(gòu)成的層積體，其特征在于，在不面向金屬箔的氟樹(shù)脂膜表面的中央、和距左右各端100mm的部位，與水的接觸角為105°以下，與正十六烷的接觸角為45°以下。
14、上述金屬貼覆層積體優(yōu)選金屬箔的表面粗糙度rz為1.5μm以下。
15、本公開(kāi)的金屬貼覆層積體優(yōu)選預(yù)浸料與層積體的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
16、本公開(kāi)的金屬貼覆層積體還具有金屬箔和氟樹(shù)脂膜以外的層，該金屬箔和氟樹(shù)脂膜以外的層優(yōu)選為選自由聚酰亞胺、液晶聚合物、聚苯硫醚、環(huán)烯烴聚合物、聚苯乙烯、環(huán)氧樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺、聚亞苯基氧化物、聚苯撐醚和聚丁二烯組成的組中的至少1種。
17、本公開(kāi)還涉及一種電路用基板，其特征在于，具有上述的金屬貼覆層積體。
18、專利技術(shù)的效果
19、本公開(kāi)的氟樹(shù)脂膜起到膜的粘接強(qiáng)度的均勻性高的效果。
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1.一種氟樹(shù)脂膜，其為由包含氟樹(shù)脂的組合物構(gòu)成的膜，其中，
2.如權(quán)利要求1所述的氟樹(shù)脂膜，其中，膜寬為400mm以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氟樹(shù)脂膜，其中，氟樹(shù)脂包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(PFA)和/或四氟乙烯-六氟丙烯(FEP)。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，10GHz下的介質(zhì)損耗角正切小于0.0015。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，10GHz下的介質(zhì)損耗角正切小于0.0010。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，在氟樹(shù)脂的每1×106個(gè)主鏈碳原子數(shù)中不穩(wěn)定官能團(tuán)數(shù)小于10個(gè)。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，表面粗糙度Rz為1.5μm以下的金屬箔與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8N/mm以上。
8.如權(quán)利要求1～7所述的氟樹(shù)脂膜，其中，包含環(huán)氧樹(shù)脂和/或聚苯撐醚的預(yù)浸料與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端50mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8N/mm以上。
9.如權(quán)利要求1～8
10.如權(quán)利要求1～9所述的氟樹(shù)脂膜，其特征在于，膜為長(zhǎng)條。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其用于金屬貼覆層積板。
12.一種金屬貼覆層積體，其將金屬箔和權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜作為必要的層。
13.一種金屬貼覆層積體，其為由表面粗糙度Rz為1.5μm以下的金屬箔和氟樹(shù)脂膜構(gòu)成的層積體，其特征在于，在不面向金屬箔的氟樹(shù)脂膜表面的中央、和距左右各端100mm的部位，與水的接觸角為105°以下，與正十六烷的接觸角為45°以下。
14.如權(quán)利要求13所述的金屬貼覆層積體，其中，金屬箔的表面粗糙度Rz為1.5μm以下。
15.如權(quán)利要求13或14所述的金屬貼覆層積體，其中，預(yù)浸料與層積體的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8N/mm以上。
16.如權(quán)利要求13～15中任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體，其還具有金屬箔和氟樹(shù)脂膜以外的層，
17.如權(quán)利要求13～16中任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體，其特征在于，層積體為長(zhǎng)條。
18.權(quán)利要求17所述的金屬貼覆層積體的制造方法，其特征在于，具有對(duì)權(quán)利要求10所述的氟樹(shù)脂膜層積金屬箔的工序。
19.一種電路用基板，其特征在于，具有權(quán)利要求13～16中任一項(xiàng)所述的金屬貼覆層積體。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
1.一種氟樹(shù)脂膜，其為由包含氟樹(shù)脂的組合物構(gòu)成的膜，其中，
2.如權(quán)利要求1所述的氟樹(shù)脂膜，其中，膜寬為400mm以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氟樹(shù)脂膜，其中，氟樹(shù)脂包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(pfa)和/或四氟乙烯-六氟丙烯(fep)。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，10ghz下的介質(zhì)損耗角正切小于0.0015。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，10ghz下的介質(zhì)損耗角正切小于0.0010。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，在氟樹(shù)脂的每1×106個(gè)主鏈碳原子數(shù)中不穩(wěn)定官能團(tuán)數(shù)小于10個(gè)。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，表面粗糙度rz為1.5μm以下的金屬箔與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端100mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
8.如權(quán)利要求1～7所述的氟樹(shù)脂膜，其中，包含環(huán)氧樹(shù)脂和/或聚苯撐醚的預(yù)浸料與氟樹(shù)脂膜的中央和距左右各端50mm的部位的粘接強(qiáng)度為0.8n/mm以上。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的氟樹(shù)脂膜，其中，對(duì)于僅單面或兩面而言，將膜的同一面內(nèi)彼此在200℃貼合時(shí)的粘接強(qiáng)度大于30n/m。
10.如權(quán)利要求1～9所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：河村昌彥，通口達(dá)也，高橋謙三，小森洋和，天花寺英明，寺田純平，小松信之，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：大金工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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