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【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及金屬和使用了該金屬的電子裝置。
技術介紹
1、以往以來,嘗試提供液體金屬,例如在日本特表2019-516208號中,提出了提供一種導電性剪切減粘凝膠組成,其具備共晶鎵合金、和在鎵合金內作為微觀結構分布的氧化鎵片,共晶鎵合金與氧化鎵的混合物具有以重量百分比(wt%)計約59.9%~約99.9%的共晶鎵合金、和以wt%計約0.1%~約2.0%的氧化鎵。
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、在如日本特表2019-516208號中公開的包含含有ga的液體金屬的金屬中,由于ga容易氧化的性質,在產生氫的同時氧化物生長,從而存在形狀變化、散熱性降低的問題。特別是在高溫高濕下,ga選擇性地氧化的傾向變強。
3、在本專利技術中,提供一種雖然含有ga、含有液體金屬、但是不易氧化的金屬,和使用了該金屬的電子裝置。
4、用于解決課題的手段
5、[概念1]
6、根據本專利技術的金屬可以含有ga和bi,并且在35℃下含有液體金屬、或者含有液體金屬和固體金屬。
7、[概念2]
8、根據概念1的金屬可以以0.01質量%以上且30質量%以下含有bi。
9、[概念3]
10、根據概念1或2的金屬可以進一步含有in、sn、zn和ag中的任一種以上。
11、[概念4]
12、根據概念1~3中的任一項所述的金屬可以進一步含有ag、sb、cu、fe、al、as、ni、a
13、[概念5]
14、根據概念1~4中的任一項所述的金屬可以以30質量%以上且99.99質量%以下含有ga,并且
15、以0.01質量%以上且30質量%以下含有bi。
16、[概念6]
17、在根據概念1~5中的任一項所述的金屬中,
18、ga和bi以外的剩余部分可以由in、sn、zn和ag中的任一種以上構成。
19、[概念7]
20、在根據概念1~5中的任一項所述的金屬中,
21、ga和bi以外的剩余部分可以由如下構成:
22、in、sn、zn和ag中的任一種以上,以及
23、sb、cu、fe、al、as、ni、au、ti、cr、la、mg、mn、co、ge、cd、pb、p、s和si中的任一種以上。
24、[概念8]
25、根據概念1~7中的任一項所述的金屬可以用作散熱材料。
26、[概念9]
27、根據本專利技術的電子裝置可以使用根據概念1~7中的任一項所述的金屬作為散熱材料。
28、根據本專利技術,能夠提供雖然含有ga、含有液體金屬、但是不易氧化的金屬等。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種金屬,含有Ga和Bi,并且在35℃下含有液體金屬、或者含有液體金屬和固體金屬。
2.根據權利要求1所述的金屬,以0.01質量%以上且30質量%以下含有Bi。
3.根據權利要求1或2所述的金屬,進一步含有In、Sn、Zn和Ag中的任一種以上。
4.根據權利要求1或2所述的金屬,進一步含有Ag、Sb、Cu、Fe、Al、As、Ni、Au、Ti、Cr、La、Mg、Mn、Co、Ge、Cd、Pb、P、S和Si中的任一種以上。
5.根據權利要求1或2所述的金屬,以30質量%以上且99.99質量%以下含有Ga,并且
6.根據權利要求1或2所述的金屬,其中,
7.根據權利要求1或2所述的金屬,其中,
8.根據權利要求1或2所述的金屬,用作散熱材料。
9.一種電子裝置,使用了權利要求1或2所述的金屬作為散熱材料。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種金屬,含有ga和bi,并且在35℃下含有液體金屬、或者含有液體金屬和固體金屬。
2.根據權利要求1所述的金屬,以0.01質量%以上且30質量%以下含有bi。
3.根據權利要求1或2所述的金屬,進一步含有in、sn、zn和ag中的任一種以上。
4.根據權利要求1或2所述的金屬,進一步含有ag、sb、cu、fe、al、as、ni、au、ti、cr、la、mg、m...
【專利技術屬性】
技術研發人員:赤冢秀太,橋本裕,大田健吾,岡田笑枝,
申請(專利權)人:千住金屬工業株式會社,
類型:發明
國別省市:
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