【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本說明書涉及經訓練的模型。具體而言，本說明書涉及產生呈現用于與半導體處理相關聯的模型的模型學習的指示。
技術介紹
1、腔室用于許多類型的處理系統。腔室的示例包括蝕刻腔室、沉積腔室、退火腔室、及類似者。通常，基板（例如，半導體晶圓）被放置在腔室內的基板支撐件上，并且腔室中的條件被設置和維持以處理基板。通常，模型用于改善處理過程。模型可以包括經訓練的機器學習模型以及基于物理的模型。
技術實現思路
1、以下是本公開的簡化概述，以提供針對本公開的一些方面的基本理解。此概述并非本公開的廣泛概論。既非意欲識別本公開的關鍵或重要元素，亦非意欲描述本公開的特定實施方案的任何范圍或權利要求的任何范圍。唯一目的在于利用簡化形式來呈現本公開的一些概念，以作為稍后呈現的更詳細描述的序言。
2、在本公開的一個方面中，一種非瞬態機器可讀存儲介質存儲指令，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作。所述操作包括接收與模型的第一輸入參數相關聯的第一值。第一輸入參數與半導體晶圓處理過程的第一處理條件相關聯。所述操作進一步包括接收第一多個值。第一多個值的范圍是從第一多個值中的最低值到第一多個值中的最高值。第一多個值中的每一者與模型的第二輸入參數相關聯。第二輸入參數與半導體晶圓處理過程的第二處理條件相關聯。所述操作進一步包括向模型提供第一值和第一多個值。所述操作進一步包括接收來自模型的第一多個輸出。第一多個輸出中的每一者與第一值以及第一多個值中的一個值相關聯。第一多個輸出中的每一者與第一多個模擬基板中的一者的第一
3、在本公開的另一方面中，一種非瞬態機器可讀存儲介質存儲指令，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作。所述操作接收來自第一模型的第一多個輸出。第一多個輸出中的每一者與第一輸入值以及第一多個輸入值中的一個值相關聯。第一多個輸出中的每一者與第一多個模擬基板中的一者的第一特征相關聯。所述操作進一步包括接收來自第二模型的第二多個輸出。第二多個輸出中的每一者與第一值以及第一多個值中的一個值相關聯。第二多個輸出中的每一者與第一多個模擬基板中的一者的第二特征相關聯。所述操作進一步包括準備用于經由gui的呈現組件呈現的第一多個輸出及第二多個輸出。呈現組件包括兩個軸。第一軸對應于第一特征的第一性質。第二軸對應于第二特征的第二性質。準備用于呈現的第一多個輸出及第二多個輸出包括促進用于在呈現組件中顯示的圖形的產生，所述圖形指示針對第一多個模擬基板的每一模擬基板的第一特征的第一性質的值及第二特征的第二性質的值。
4、在本公開的另一方面中，一種方法包括接收與第一模型的第一輸入參數相關聯的第一值。第一輸入參數與用于處理基板的處理配方相關聯。所述方法進一步包括通過一個或多個處理器接收第一多個值。第一多個值的范圍是從最低值至最高值。第一多個值中的每一者與第一模型的第二輸入參數相關聯。第二輸入參數與處理配方相關聯。所述方法進一步包括向第一模型提供第一值以及第一多個值。所述方法進一步包括接收來自第一模型的第一多個輸出。第一多個輸出中的每一者與第一值以及第一多個值中的一者相關聯。第一多個輸出中的每一者與模擬基板的第一特征相關聯。所述方法進一步包括準備用于經由gui的呈現組件呈現的第一多個輸出。呈現組件包括兩個獨立軸。兩個獨立軸中的第一軸對應于第一特征的第一性質。準備用于呈現的第一多個輸出包括促進用于在呈現組件中的圖形的產生，所述圖形可視地顯示第一多個輸出中的輸出與第一特征的第一性質的關系。
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1.一種存儲指令的非瞬態機器可讀存儲介質，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作，所述操作包括：
2.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述模型包括機器學習模型。
3.根據權利要求2所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
4.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征包括以下中的至少一者：
5.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征的所述第一性質包括與所述模擬半導體晶圓的多個位置處的模擬計量測量相關聯的統計度量，其中所述統計度量包括以下中的至少一者：
6.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
7.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中通過所述處理裝置準備用于呈現的所述第一多個輸出進一步包括促進用于在所述呈現組件中顯示的圖形的產生，所述圖形在視覺上將與所述第一多個值中的所述最高值相關聯的所述第一多個輸出中的輸出和與所述第一多個值中的所述最低值相關聯的所述第一多個輸出中的輸出進行區分。
8.根據權利要
9.一種用于存儲指令的非瞬態機器可讀存儲介質，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作，所述操作包括：
10.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一模型包括第一機器學習模型，且其中所述第二模型包括第二機器學習模型。
11.根據權利要求10所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
12.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征包括以下中的至少一者：
13.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征的所述第一性質包括與所述第一多個模擬基板中的一者的多個位置處的模擬計量測量相關聯的統計度量，其中所述統計度量包括以下中的至少一者：
14.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中通過所述處理裝置準備用于呈現的所述第一多個輸出及所述第二多個輸出進一步包括：促進用于在所述呈現組件中顯示的圖形的產生，所述圖形在視覺上將與所述第一多個模擬基板中的與所述第一多個值中的所述最高值相關聯的第一模擬基板相關聯的呈現數據點和與所述第一多個模擬基板中的與所述第一多個值中的所述最低值相關聯的第二模擬基板相關聯的呈現數據點進行區分。
15.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，進一步包括：
16.根據權利要求15所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
17.根據權利要求15所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
18.一種方法，包括：
19.根據權利要求18所述的方法，進一步包括：
20.根據權利要求18所述的方法，進一步包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種存儲指令的非瞬態機器可讀存儲介質，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作，所述操作包括：
2.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述模型包括機器學習模型。
3.根據權利要求2所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
4.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征包括以下中的至少一者：
5.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一特征的所述第一性質包括與所述模擬半導體晶圓的多個位置處的模擬計量測量相關聯的統計度量，其中所述統計度量包括以下中的至少一者：
6.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
7.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中通過所述處理裝置準備用于呈現的所述第一多個輸出進一步包括促進用于在所述呈現組件中顯示的圖形的產生，所述圖形在視覺上將與所述第一多個值中的所述最高值相關聯的所述第一多個輸出中的輸出和與所述第一多個值中的所述最低值相關聯的所述第一多個輸出中的輸出進行區分。
8.根據權利要求1所述的非瞬態機器可讀存儲介質，所述操作進一步包括：
9.一種用于存儲指令的非瞬態機器可讀存儲介質，所述指令在執行時致使處理裝置執行操作，所述操作包括：
10.根據權利要求9所述的非瞬態機器可讀存儲介質，其中所述第一模型包括第一機器學...
【專利技術屬性】
技術研發人員：德莫特·帕特里克·坎特威爾，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
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