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    化合物及包含其的有機(jī)發(fā)光器件制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44465515 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-03-04 17:38
    本說(shuō)明書(shū)涉及化學(xué)式1的化合物及包含其的有機(jī)發(fā)光器件,上述化學(xué)式1的化合物用于有機(jī)發(fā)光器件,可以降低有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓,可以提高光效率,可以利用化合物的熱穩(wěn)定性來(lái)提高器件的壽命特性。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

    本申請(qǐng)主張于2023年3月28日向韓國(guó)專利局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2023-0040680號(hào)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容包含在本說(shuō)明書(shū)中。本說(shuō)明書(shū)涉及化合物及包含其的有機(jī)發(fā)光器件


    技術(shù)介紹

    1、通常情況下,有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象是指利用有機(jī)物質(zhì)將電能轉(zhuǎn)換為光能的現(xiàn)象。利用有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光器件通常具有包括陽(yáng)極和陰極以及位于它們之間的有機(jī)物層的結(jié)構(gòu)。在這里,為了提高有機(jī)發(fā)光器件的效率和穩(wěn)定性,有機(jī)物層大多情況下由分別利用不同的物質(zhì)構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)形成,例如,可以由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等形成。對(duì)于這樣的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)而言,如果在兩電極之間施加電壓,則空穴從陽(yáng)極注入有機(jī)物層,電子從陰極注入有機(jī)物層,當(dāng)所注入的空穴和電子相遇時(shí)會(huì)形成激子(exciton),該激子重新躍遷至基態(tài)時(shí)就會(huì)發(fā)出光。

    2、持續(xù)要求開(kāi)發(fā)用于如上所述的有機(jī)發(fā)光器件的新的材料。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、技術(shù)課題

    2、本說(shuō)明書(shū)提供化合物及包含其的有機(jī)發(fā)光器件。

    3、課題的解決方法

    4、本說(shuō)明書(shū)的一實(shí)施方式提供下述化學(xué)式1的化合物。

    5、[化學(xué)式1]

    6、

    7、在上述化學(xué)式1中,

    8、r1至r10中的任一個(gè)為與l1結(jié)合的部分,其余彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為氫、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基,或者與相鄰的基團(tuán)彼此結(jié)合而形成取代或未取代的環(huán),

    >9、l1為取代或未取代的亞芳基、或者取代或未取代的2價(jià)的雜環(huán)基,

    10、ar1為取代或未取代的芘基、取代或未取代的熒蒽基、或者取代或未取代的菲基,

    11、x為1或2,

    12、m為0至3,m為2以上時(shí),2個(gè)以上的l1彼此相同或不同,

    13、y為1或2,y為2時(shí),2個(gè)ar1彼此相同或不同。

    14、另外,本說(shuō)明書(shū)的另一實(shí)施方式提供一種有機(jī)發(fā)光器件,其中,包括:

    15、陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在上述陽(yáng)極與上述陰極之間的第一發(fā)光層、以及設(shè)置在上述第一發(fā)光層與陰極之間且與上述第一發(fā)光層相接的第二發(fā)光層,

    16、上述第一發(fā)光層包含上述化學(xué)式1的化合物,

    17、上述第二發(fā)光層包含下述化學(xué)式2的化合物和化學(xué)式3的化合物中的至少1種化合物。

    18、[化學(xué)式2]

    19、

    20、在上述化學(xué)式2中,

    21、r11至r20中的1個(gè)以上與下述化學(xué)式2-1的*部位結(jié)合,其余彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素基團(tuán)、氰基、硝基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的雜芳基、或者取代或未取代的甲硅烷基,

    22、[化學(xué)式2-1]

    23、

    24、l2為直接鍵合、取代或未取代的亞芳基、或者取代或未取代的亞雜芳基,

    25、ar2為取代或未取代的芳基,

    26、p為1至3的整數(shù),

    27、[化學(xué)式3]

    28、

    29、在上述化學(xué)式3中,

    30、y1至y10中的1個(gè)以上與下述化學(xué)式3-1的*部位結(jié)合,其余彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素基團(tuán)、氰基、硝基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的雜芳基、或者取代或未取代的甲硅烷基,

    31、[化學(xué)式3-1]

    32、

    33、a和b彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為取代或未取代的芳香族烴環(huán)、或者取代或未取代的芳香族雜環(huán),

    34、l3為直接鍵合、取代或未取代的亞芳基、或者取代或未取代的亞雜芳基,

    35、q為1至3的整數(shù)。

    36、專利技術(shù)效果

    37、根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一實(shí)施方式的化合物用于有機(jī)發(fā)光器件,可以降低有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓,可以提高光效率。此外,可以利用化合物的熱穩(wěn)定性來(lái)提高器件的壽命特性。

    本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種下述化學(xué)式1的化合物:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為下述化學(xué)式1-A、化學(xué)式1-B和化學(xué)式1-C中的任一個(gè):

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1包含至少一個(gè)氘。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1的氘取代率為40%至99%。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    11.一種有機(jī)發(fā)光器件,其中,包括:陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在所述陽(yáng)極與所述陰極之間的第一發(fā)光層、以及設(shè)置在所述第一發(fā)光層與所述陰極之間且與所述第一發(fā)光層相接的第二發(fā)光層,

    12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述第一發(fā)光層包含所述化合物作為所述第一發(fā)光層的主體,

    13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層各自進(jìn)一步包含摻雜劑,所述摻雜劑包含熒光性摻雜劑。

    14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述熒光性摻雜劑包含選自芘系化合物和非芘系化合物中的1種以上。

    15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述非芘系化合物包含硼系化合物。

    16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述第二發(fā)光層包含所述化學(xué)式2的化合物或所述化學(xué)式3的化合物。

    17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述第二發(fā)光層包含所述化學(xué)式2的化合物和所述化學(xué)式3的化合物。

    18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述化學(xué)式2和化學(xué)式3的氘取代率各自為40%至99%。

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    【技術(shù)特征摘要】
    【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

    1.一種下述化學(xué)式1的化合物:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為下述化學(xué)式1-a、化學(xué)式1-b和化學(xué)式1-c中的任一個(gè):

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1包含至少一個(gè)氘。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1的氘取代率為40%至99%。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中,所述化學(xué)式1為選自下述化合物中的任一個(gè):

    11.一種有機(jī)發(fā)光器件,其中,包括:陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在所...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:河宰承琴水井李多精全智藝曹宇珍崔地寧李禹哲
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:株式會(huì)社LG化學(xué)
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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