【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本說明書大體上涉及半導(dǎo)體部件，并且更具體地涉及半導(dǎo)體部件中的金屬化系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、集成電路芯片上的金屬化層(例如，再分布層(rdl))包括對芯片上的晶體管與其他部件進行連接的電導(dǎo)體(導(dǎo)線)。鋁和銅是兩種常用于集成電路金屬化的普通金屬。隨著電路尺寸減小到0.25μm水平以下，銅開始取代鋁作為主要的金屬化介質(zhì)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在大體方面中，一種半導(dǎo)體器件部件包括：接觸墊，該接觸墊設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的表面上；種子金屬層，該種子金屬層設(shè)置在該接觸墊上；和互連件，該互連件設(shè)置在該種子金屬層上。該種子金屬層具有比該互連件的寬度大的寬度，其中該種子金屬層的腳部部分延伸到該互連件的該寬度之外。該半導(dǎo)體器件部件還包括抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)，該抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)設(shè)置在該互連件的表面以及該種子金屬層的延伸到該互連件的該寬度之外的該腳部部分的表面上。
2、在大體方面中，一種半導(dǎo)體器件部件包括：接觸墊，該接觸墊設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面上；金屬線，該金屬線由銅制成；和種子金屬層，該種子金屬層插置在該接觸墊與該金屬線之間。該種子金屬層具有比該金屬線的寬度大的寬度，其中該種子金屬層的腳部部分從該金屬線之下延伸到該金屬線的側(cè)邊。該半導(dǎo)體器件部件還包括抗銅蝕刻保護結(jié)構(gòu)，該抗銅蝕刻保護結(jié)構(gòu)設(shè)置在該金屬線的頂部和該側(cè)邊以及該種子金屬層的該腳部部分的頂部和邊緣上。
3、在大體方面中，一種方法包括：在半導(dǎo)體襯底的表面上設(shè)置接觸墊；在該接觸墊上設(shè)置由銅制成的金屬線；以及在該接觸墊與該金屬線之間插置種子金屬層。該
4、一個或多個具體實施的細(xì)節(jié)在附圖和以下描述中闡明。其他特征將從說明書和附圖中以及從權(quán)利要求書中顯而易見。
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1.一種半導(dǎo)體器件部件，所述半導(dǎo)體器件部件包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述互連件由銅制成，并且所述接觸墊包括鋁或鋁-銅合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括由鈦Ti、鈦-鎢TiW、鉭Ta和鉭-鎢TaW中的至少一者制成的阻隔金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括具有約至約的厚度的Ti或TiW層以及具有約至約的厚度的銅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述互連件包括電鍍在所述種子金屬層上的銅材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括濺射在所述接觸墊上的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括抗銅蝕刻劑的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括鎳層和金層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)密封所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的邊緣和表面。
12.一種半導(dǎo)體器件部件，所述半導(dǎo)體器件部件包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括銅以及鉭Ta、鉭-鎢TW、鈦Ti、鈦-鎢TiW中的至少一者。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述抗銅蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括鎳、金、鈀和錫-銀合金中的至少一者。
15.一種方法，所述方法包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述接觸墊與所述金屬線之間插置所述種子金屬層包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述金屬線的寬度W在5μm至30μm的范圍內(nèi)，并且所述金屬線的高度H在5μm至20μm的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中設(shè)置抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括在所述金屬線和所述種子金屬層的所述腳部部分之上設(shè)置鎳層以及金、鈀或錫-銀合金中的一者的層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中設(shè)置所述鎳層以及所述金、鈀或錫-銀合金中的一者的層包括所述鎳層的無電沉積以及所述金、鈀或錫-銀合金中的一者的層的無電沉積。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述種子金屬層包括銅以及濺射沉積在所述半導(dǎo)體襯底上的鉭Ta、鉭-鎢TW、鈦Ti、鈦-鎢TiW中的至少一者。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述種子金屬層包括具有至的范圍內(nèi)的厚度的Ti或TiW層以及具有至的范圍內(nèi)的厚度的銅層。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種半導(dǎo)體器件部件，所述半導(dǎo)體器件部件包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述互連件由銅制成，并且所述接觸墊包括鋁或鋁-銅合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括由鈦ti、鈦-鎢tiw、鉭ta和鉭-鎢taw中的至少一者制成的阻隔金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括具有約至約的厚度的ti或tiw層以及具有約至約的厚度的銅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述互連件包括電鍍在所述種子金屬層上的銅材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中所述種子金屬層包括濺射在所述接觸墊上的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括抗銅蝕刻劑的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括鎳、鈀、金和錫-銀合金中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述種子金屬層的延伸到所述互連件的所述寬度之外的所述腳部部分的表面上的所述抗蝕刻保護結(jié)構(gòu)包括鎳層和金層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件部件，其中設(shè)置在所述互連件的表面以及所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黑瀨英司，
申請(專利權(quán))人：半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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