【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體結構、半導體結構的形成方法及電子設備。
技術介紹
1、車用三維距離成像系統通常具有高增益，高敏感度，高時間分辨率的性能指標需求。三維距離成像系統的光學傳感器一種常見的表現形式為硅光電倍增管(sipm)，sipm由多個單光子雪崩二極管(spad)并聯組成，通常每個spad單元獨立串聯一個淬滅電阻，陰極和陽極分別并聯，一個陣列作為一個像素(pixel)輸出信號，多個陣列可實現三維成像。三維距離成像系統對spad傳感器高增益的需求，要求spad的過電壓較高從而以獲得更高的光子探測效率，然而過高的工作電壓對器件的電學隔離/直流電阻(directive?currentresistance，dcr)降低等需求提出了更高的挑戰。
2、為了滿足設計需求，多晶硅電阻(poly)層與深溝槽隔離結構(dti)之間通常會加高壓。相關技術為了實現高壓下poly與dti電學隔離，通常在襯底上沉積碳化硅和隔離層(dep?sin?and?ox)，并在隔離層上形成多晶硅電阻層(poly)。然而，相關技術在有源區(aa)上形成的接觸孔(ct-aa)，與在poly上形成的接觸孔(ct-poly)之間會存在將近2000埃的臺階高度差，臺階高度差過大，導致接觸孔刻蝕(ct?etch)工藝沒有足夠的工藝窗口(工藝window)，從而影響半導體器件的驗收測試(waferacceptance?test，wat)性能。
技術實現思路
1、本申請提供一種半導體結構、半導體結構的
2、為了解決上述技術問題，本申請的技術方案如下：
3、根據本申請實施例的第一方面，提供一種半導體結構，包括：
4、襯底，包括相對的第一表面和第二表面；
5、從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構，以及從所述襯底的第二表面形成位于所述襯底內的深溝槽隔離結構；
6、位于所述襯底中的至少兩個有源區，相鄰的所述有源區通過所述淺溝槽隔離結構和所述深溝槽隔離結構間隔；
7、形成于所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部的多晶硅電阻層；所述多晶硅電阻層與所述有源區電性連接；
8、形成于所述有源區的表面的第一接觸孔，以及形成于所述多晶硅電阻層遠離所述淺溝槽隔離結構的表面的第二接觸孔；
9、其中，所述第一接觸孔的高度與所述第二接觸孔的高度之間的高度差小于預設高度閾值，所述預設高度閾值為使所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的形成過程滿足預設工藝窗口的閾值。
10、在一個可選的實施例中，所述預設高度閾值的大小與所述多晶硅電阻層的厚度成正比關系。
11、在一個可選的實施例中，所述預設高度閾值為500埃～1000埃。
12、在一個可選的實施例中，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部上形成有所述多晶硅電阻層。
13、在一個可選的實施例中，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離大于0。
14、在一個可選的實施例中，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離為0.5um～2um。
15、在一個可選的實施例中，所述深溝槽隔離結構延伸至所述淺溝槽隔離結構，且所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸。
16、在一個可選的實施例中，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述淺溝槽隔離結構分布在所述深溝槽隔離結構的四周區域。
17、在一個可選的實施例中，所述深溝槽隔離結構位于相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸，且相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間的距離小于或等于所述深溝槽隔離結構的寬度。
18、在一個可選的實施例中，所述半導體結構還包括位于所述第二表面的限光槽，所述限光槽用于調整照射至所述第二表面的光量。
19、在一個可選的實施例中，所述限光槽為倒三角形結構。
20、根據本申請實施例的第二方面，提供一種半導體結構的形成方法，包括：
21、提供襯底；所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；
22、從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構；
23、在所述襯底中形成至少兩個有源區；
24、在所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部形成多晶硅電阻層；所述多晶硅電阻層與所述有源區電性連接；
25、在所述有源區上形成第一接觸孔，以及在所述多晶硅電阻層遠離所述淺溝槽隔離結構的表面上形成第二接觸孔；其中，所述第一接觸孔的高度與所述第二接觸孔的高度之間的高度差小于預設高度閾值，所述預設高度閾值為使所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的形成過程滿足預設工藝窗口的閾值；
26、從所述襯底的第二表面形成位于所述襯底內的深溝槽隔離結構；所述深溝槽隔離結構和所述淺溝槽隔離結構用于隔離相鄰的所述有源區。
27、在一個可選的實施例中，所述從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構，包括：
28、在所述襯底的第一表面上形成隔離層，在所述隔離層上形成零層光罩層；所述零層光罩層中重組有零層標記圖案和第一層主芯片區域圖案；所述第一層主芯片區域圖案中定義有所述淺溝槽隔離結構的尺寸，以及定義有所述淺溝槽隔離結構與所述深溝槽隔離結構之間的位置關系；
29、以所述零層光罩層為掩膜依次蝕刻所述隔離層和部分所述襯底，以在所述襯底中形成所述淺溝槽隔離結構以及在切割道區形成零層標記；所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸。
30、在一個可選的實施例中，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述深溝槽隔離結構位于相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸，且相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間的距離小于或等于所述深溝槽隔離結構的寬度。
31、在一個可選的實施例中，在所述從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構之后，所述方法還包括：
32、通過高密度等離子體方法在所述淺溝槽隔離結構中填充絕緣物，得到填充后的淺溝槽隔離結構；
33、對所述填充后的淺溝槽隔離結構進行化學機械拋光處理，停止于所述隔離層遠離所述第一表面的表面，得到拋光處理后的淺溝槽隔離結構。
34、在一個可選的實施例中，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述在所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部形成多晶硅電本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述預設高度閾值的大小與所述多晶硅電阻層的厚度成正比關系。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述預設高度閾值為500埃～1000埃。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部上形成有所述多晶硅電阻層。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離大于0。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離為0.5um～2um。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構延伸至所述淺溝槽隔離結構，且所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述淺溝
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構位于相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸，且相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間的距離小于或等于所述深溝槽隔離結構的寬度。
10.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括位于所述第二表面的限光槽，所述限光槽用于調整照射至所述第二表面的光量。
11.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述限光槽為倒三角形結構。
12.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構，包括：
14.根據權利要求13所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述深溝槽隔離結構位于相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸，且相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間的距離小于或等于所述深溝槽隔離結構的寬度。
15.根據權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構之后，所述方法還包括：
16.根據權利要求15所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述在所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部形成多晶硅電阻層，包括：在目標淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部上沉積所述多晶硅電阻層；所述目標淺溝槽隔離結構為相鄰兩個拋光處理后的淺溝槽隔離結構。
17.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述有源區上形成第一接觸孔，以及在所述多晶硅電阻層遠離所述淺溝槽隔離結構的表面上形成第二接觸孔之后，所述方法還包括：
18.根據權利要求17所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述從翻轉后的結構的上表面形成所述深溝槽隔離結構，包括：
19.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離大于0。
20.根據權利要求19所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離為0.5um～2um。
21.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述預設高度閾值的大小與所述多晶硅電阻層的厚度成正比關系。
22.根據權利要求21所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述預設高度閾值為500埃～1000埃。
23.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述方法還包括：
24.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1-11任一所述的半導體結構。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述預設高度閾值的大小與所述多晶硅電阻層的厚度成正比關系。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述預設高度閾值為500埃～1000埃。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構靠近所述第一表面的端部上形成有所述多晶硅電阻層。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離大于0。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部與所述第一表面之間的距離為0.5um～2um。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構延伸至所述淺溝槽隔離結構，且所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為至少兩個，所述淺溝槽隔離結構分布在所述深溝槽隔離結構的四周區域。
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述深溝槽隔離結構位于相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間，所述深溝槽隔離結構遠離所述第二表面的端部，與相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構遠離所述多晶硅電阻層的端部相接觸，且相鄰兩個所述淺溝槽隔離結構之間的距離小于或等于所述深溝槽隔離結構的寬度。
10.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括位于所述第二表面的限光槽，所述限光槽用于調整照射至所述第二表面的光量。
11.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述限光槽為倒三角形結構。
12.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述從所述襯底的第一表面形成位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構，包括：
14.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張川，王志高，陳星，張宇清，王康杰，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。