【技術實現步驟摘要】
本公開總體涉及形成半導體結構。更具體地，本公開涉及在半導體器件的制造期間形成半導體結構和相關的計算機程序產品。
技術介紹
1、例如在半導體器件的制造期間，材料層通常沉積到襯底上。材料層沉積通常通過將襯底加熱到期望的沉積壓力，并在選擇的環境條件下將襯底暴露于材料層前體以使材料層沉積到襯底上來完成。一旦材料層發展出所需的一種或多種性質，襯底通常被送去進一步處理，以適合于正在制造的器件。
2、在一些材料層沉積方法中，沉積可能需要將襯底暴露于一種以上的材料層前體。在前體包括具有完全不同的結合親和力和/或遷移傾向的成分(例如硼)的情況下，可能需要采取對策來抵消完全不同的親和力和遷移傾向，例如通過在沉積覆蓋層之前停止一層的沉積。雖然通常令人滿意，但采用這種對策的沉積過程可能會延長沉積過程。
3、這種系統和方法已經被普遍接受用于它們的預期目的。然而，仍需要形成半導體結構、半導體處理系統和相關計算機程序產品的改進方法。本公開提供了對這種需求的解決方案。
技術實現思路
1、提供了一種形成半導體處理系統的方法。該方法包括：將襯底安置在布置在半導體處理系統的室裝置內的襯底支撐件上；以第一含硼前體質量流量將含硼前體流動到室裝置；以及使用含硼前體沉積第一sige:b層的第一部分。將含硼前體的質量流量增加至中間含硼前體流量；使用含硼前體沉積第一sige:b層的第二部分；將到室裝置的含硼前體的質量流量進一步增加至第二含硼前體質量流量；以及使用含硼前體將第二sige:b層沉積到第一sige
2、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括：在第一部分沉積間隔期間形成第一sige:b層的第一部分，在第二部分沉積間隔期間形成第一sige:b層的第二部分，并且第二部分沉積間隔比第一部分沉積間隔短。
3、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第一sige:b層中間含硼前體質量流量介于第一sige:b層第一含硼前體質量流量的約110％和約200％之間。該方法可以包括第一sige:b層第二含硼前體的質量流量介于第一sige:b層中間含硼前體質量流量的約150％和約250％之間。
4、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第二部分沉積間隔介于第一部分沉積間隔的約10％和約40％之間。
5、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在第一部分沉積間隔期間含硼前體的質量流量可以基本恒定。
6、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在第二部分沉積間隔期間含硼前體的質量流量可以逐漸增加。
7、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在第一sige:b層的第一部分的沉積期間，將含硅前體流動到室裝置；在第一sige:b層的第一部分的沉積期間，使含鍺前體流動到室裝置；以及在第一sige:b層的第二部分的沉積期間，增加含鍺前體質量流量(和/或質量)與含硅前體質量流量(和/或質量)的比率。
8、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括：在sige:b層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率包括：在第一sige:b層的第一部分的沉積期間，使含鍺前體以第一含鍺前體質量流量流動到室裝置；在第一sige:b層的第二部分的沉積期間，將第一含鍺前體質量流量增加到第二含鍺前體質量流量；以及在第二sige:b層的沉積期間，使含鍺前體以第二含鍺前體質量流量流動到室裝置。
9、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第二含鍺前體質量流量可以介于第一含鍺前體質量流量的約150％和約400％之間。
10、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在第二sige:b層的沉積期間第二含鍺前體質量流量可以保持基本恒定。
11、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在限定第一sige:b層與第二sige:b層界面期間，含鍺前體的質量流量可以保持基本恒定。
12、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在sige:b層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率可以包括：在第一sige:b層的第一部分的沉積期間，使含硅前體以第一含硅前體質量流量流動到室裝置；在第一sige:b層的第二部分的沉積期間，將第一含硅前體質量流量增加至第二含硅前體質量流量；以及在第二sige:b層的沉積期間，使含硅前體以第二含硅前體質量流量流動到室裝置。
13、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第二含硅前體質量流量可以介于第一含硅前體質量流量的約105％和約125％之間。
14、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在限定第一sige:b層和第二sige:b層之間的第一sige:b層與第二sige:b層界面期間，流動到室裝置的第一含硅前體質量流量保持恒定。
15、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括在第一sige:b層的第一部分的沉積期間，使蝕刻劑以第一蝕刻劑質量流量流動到室裝置；在沉積第一sige:b層的第二部分期間，將蝕刻劑的流量增加到第二蝕刻劑質量流量；以及在第二sige:b層的沉積期間，使蝕刻劑以第二蝕刻劑質量流量流動到室裝置。
16、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第二蝕刻劑質量流量介于第一蝕刻劑質量流量的約150％和約600％之間。
17、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括連續且沒有中斷地沉積第一sige:b層和第二sige:b層。
18、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括襯底具有限定在襯底的上表面內的溝槽。該方法還可以包括將硅鍺(sige)層沉積到界定溝槽的下表面和側壁上，并且第一sige:b層沉積到sige層上。
19、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括第一sige:b層沉積在溝槽內并且沉積到sige層上，第二sige:b層突出到襯底的上表面上方，并且該方法還包括將摻硼硅層沉積到第二sige:b層上。
20、除了上述的一個或多個特征之外，或者作為替代，該方法的其他示例可以包括將sige中間層沉積到第二sige:b層上。可以設想，摻硼硅(si:b)層可以沉積到sige中間層上。
21、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種制造半導體結構的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一SiGe:B層的第一部分在第一部分沉積間隔期間形成，其中，所述第一SiGe:B層的第二部分在第二部分沉積間隔期間形成，并且其中第二部分沉積間隔比第一部分沉積間隔短。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二部分沉積間隔介于所述第一部分沉積間隔的約10％和約40％之間。
4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述含硼前體的質量流量在所述第一部分沉積間隔期間基本恒定。
5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述含硼前體的質量流量在所述第二部分沉積間隔期間逐漸增加。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述SiGe:B層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第二含鍺前體質量流量介于所述第一含鍺前體質量流量的150％和400％之間。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，在所述第二SiGe:B層的沉積
10.根據權利要求7所述的方法，其中，在限定所述第一SiGe:B層與第二SiGe:B層界面期間，所述含鍺前體的質量流量保持恒定。
11.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述SiGe:B層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率包括：
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二含硅前體質量流量介于所述第一含硅前體質量流量的約105％和約125％之間。
13.根據權利要求11所述的方法，其中，在限定所述第一SiGe:B層和第二SiGe:B層之間的第一SiGe:B層與第二SiGe:B層界面期間，流動到室裝置的第一含硅前體質量流量保持恒定。
14.根據權利要求1所述的方法，還包括：
15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述第二蝕刻劑質量流量介于所述第一蝕刻劑質量流量的約150％和約600％之間。
16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一SiGe:B層和第二SiGe:B層被連續且沒有中斷地沉積。
17.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括限定在襯底的上表面內的溝槽，所述方法還包括將硅鍺(SiGe)層沉積到界定溝槽的下表面和側壁上。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述第一SiGe:B層沉積在所述溝槽內并且沉積到所述SiGe層上，其中，所述第二SiGe:B層突出到襯底的上表面上方，并且其中，所述方法還包括將摻硼硅層沉積到第二SiGe:B層上。
19.根據權利要求1所述的方法，還包括：
20.一種使用根據權利要求1所述的方法形成的半導體結構，其中第二SiGe:B層具有比第一SiGe:B層更大的厚度，其中第二SiGe:B層具有比第一SiGe:B層更大的鍺濃度，并且其中第二SiGe:B層具有比第一SiGe:B層更大的硼濃度。
21.根據權利要求19所述的半導體結構，還包括：
22.一種計算機程序產品，包括具有指令的非暫時性機器可讀介質，當由處理器讀取時，指令使處理器：
...【技術特征摘要】
1.一種制造半導體結構的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一sige:b層的第一部分在第一部分沉積間隔期間形成，其中，所述第一sige:b層的第二部分在第二部分沉積間隔期間形成，并且其中第二部分沉積間隔比第一部分沉積間隔短。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二部分沉積間隔介于所述第一部分沉積間隔的約10％和約40％之間。
4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述含硼前體的質量流量在所述第一部分沉積間隔期間基本恒定。
5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述含硼前體的質量流量在所述第二部分沉積間隔期間逐漸增加。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述sige:b層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第二含鍺前體質量流量介于所述第一含鍺前體質量流量的150％和400％之間。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，在所述第二sige:b層的沉積期間，所述第二含鍺前體質量流量保持基本恒定。
10.根據權利要求7所述的方法，其中，在限定所述第一sige:b層與第二sige:b層界面期間，所述含鍺前體的質量流量保持恒定。
11.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述sige:b層的第二部分的沉積期間，增加流動到室裝置的含鍺前體與含硅前體的比率包括：
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二含硅前體質量流量介于所述第一含硅...
【專利技術屬性】
技術研發人員：E·蘇亞雷斯，A·卡杰巴夫瓦拉，A·穆拉利，C·米斯金，A·德莫斯，
申請(專利權)人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發明
國別省市：
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