【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)總體涉及半導(dǎo)體處理設(shè)備，尤其涉及包括用于防止基座支撐的襯底污染的機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體處理設(shè)備。本公開總體還涉及處理襯底的方法，特別是在處理階段期間防止襯底污染的方法。
技術(shù)介紹
1、反應(yīng)室可以用于將各種材料層沉積到半導(dǎo)體襯底上。半導(dǎo)體襯底，例如硅襯底，可以放置在反應(yīng)室內(nèi)的基座上。襯底和基座都可被加熱到期望的襯底溫度設(shè)定點(diǎn)。在示例襯底處理過程中，一種或多種反應(yīng)物氣體可以通過加熱的襯底，導(dǎo)致材料薄膜沉積在襯底表面上。通過隨后的沉積、摻雜、光刻、蝕刻和其他過程，這些層被制成集成電路。
2、處理過程中一個(gè)重要的受控條件是襯底的溫度。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷進(jìn)步，快速調(diào)節(jié)襯底溫度的需求也在增加。目前，溫度調(diào)節(jié)是具有挑戰(zhàn)性的，因?yàn)榕c會(huì)將熱量輻射到襯底的快速改變室內(nèi)大量材料的溫度相關(guān)的困難阻礙了快速改變襯底溫度的努力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實(shí)施例的詳細(xì)描述中被進(jìn)一步詳細(xì)描述。本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
不旨在必要地標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。
2、在一方面，一種襯底處理組件包括基座、設(shè)置在基座上方的熱保護(hù)板，熱保護(hù)板包括從熱保護(hù)板的頂表面延伸到熱保護(hù)板的底表面的第一提升銷通孔，基座包括第二提升銷通孔和板提升構(gòu)件通孔，以及配置為可滑動(dòng)地接合板提升構(gòu)件通孔的板提升構(gòu)件。
3、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板具有表面并且包括拋光碳化硅、拋光類金剛石碳涂層、氮化鋁層
4、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板還包括在底表面上的板提升構(gòu)件觸點(diǎn)。
5、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板包括從底表面延伸并且與基座頂表面中的配合腔的形狀一致的特征。
6、該設(shè)備還可以包括其中基座包括從頂表面延伸并且與熱保護(hù)板中的配合腔的形狀一致的特征。
7、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板安裝表面是凹形的，以限制橫向移動(dòng)。
8、該設(shè)備還可以包括其中板提升構(gòu)件連接到致動(dòng)器。
9、該設(shè)備還可以包括設(shè)置在熱保護(hù)板的底表面上的多個(gè)觸點(diǎn)，其中多個(gè)觸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)配置為聯(lián)接到多個(gè)板提升構(gòu)件中的一個(gè)或多個(gè)。
10、該設(shè)備還可以包括其中板提升構(gòu)件通孔中的一個(gè)或多個(gè)與多個(gè)觸點(diǎn)中的至少一個(gè)軸向?qū)?zhǔn)。
11、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板的第一提升銷通孔與基座的第二提升銷通孔軸向?qū)?zhǔn)。
12、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板還包括安裝表面，安裝表面包括凹部，凹部配置為向設(shè)置在凹部中的襯底提供周向支撐。
13、該設(shè)備還可以包括其中板提升構(gòu)件包括在末端的配合表面。
14、該設(shè)備還可以包括其中配合表面包括以下中的至少一種：粗糙表面、粘合表面或緊固件，或其組合。
15、該設(shè)備還可以包括其中熱保護(hù)板安裝表面包括頂部安裝表面，頂部安裝表面包括傾斜側(cè)壁以限制橫向移動(dòng)。根據(jù)下面的附圖、描述和權(quán)利要求，其他技術(shù)特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
16、在一方面，一種半導(dǎo)體處理方法包括以下步驟：將襯底放置在室內(nèi)基座上方的熱保護(hù)板的表面上；使基座與熱保護(hù)板接觸；將襯底暴露于第一過程，將襯底加熱到第一溫度；將熱保護(hù)板移動(dòng)到斷開與基座接觸的位置；以及響應(yīng)于斷開接觸而冷卻襯底。
17、該方法還可以包括其中第一溫度在約200℃和約600℃之間。
18、該方法還可以包括將襯底暴露于第二過程，將襯底加熱到第二溫度，其中第二溫度低于第一溫度。根據(jù)下面的附圖、描述和權(quán)利要求，其他技術(shù)特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
19、該設(shè)備還可以包括其中板提升構(gòu)件接觸件包括凹部、配合表面、粗糙表面、粘合表面或緊固件，或其組合。
20、該方法還可以包括其中第一溫度在約200℃和約600℃之間。
21、該方法還可以包括其中第二溫度在約10℃和約200℃之間。根據(jù)下面的附圖、說明書和權(quán)利要求，其他技術(shù)特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
22、為了總結(jié)本公開和相對于現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)，上文已經(jīng)描述了本公開的某些目的和優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本公開的任何特定實(shí)施例或示例，不一定能夠?qū)崿F(xiàn)所有這些目的或優(yōu)點(diǎn)。因此，例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文公開的示例可以實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化本文教導(dǎo)或建議的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)的方式來實(shí)施，而不一定實(shí)現(xiàn)本文教導(dǎo)或建議的其他目的或優(yōu)點(diǎn)。
23、所有這些示例都在本公開的范圍內(nèi)。通過參考附圖對某些示例的以下詳細(xì)描述，這些和其他實(shí)施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得顯而易見，本公開不限于所討論的任何特定示例。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種襯底處理組件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板具有包括拋光碳化硅、拋光類金剛石碳涂層、氮化鋁層或類金剛石碳層或其組合的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板還包括在所述底表面上的板提升構(gòu)件觸點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件觸點(diǎn)包括凹部、配合表面、粗糙表面、粘合表面或緊固件，或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板包括從所述底表面延伸并且與基座頂表面中的配合腔的形狀一致的特征。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述基座包括從所述頂表面延伸并且與所述熱保護(hù)板中的配合腔的形狀一致的特征。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板安裝表面是凹形的，以限制橫向移動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件聯(lián)接到致動(dòng)器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，還包括設(shè)置在所述熱保護(hù)板的底表面上的多個(gè)觸點(diǎn)，其中，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件通孔中的一個(gè)或多個(gè)與所述多個(gè)觸點(diǎn)中的至少一個(gè)軸向?qū)?zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板的第一提升銷通孔與所述基座的第二提升銷通孔軸向?qū)?zhǔn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板還包括安裝表面，所述安裝表面包括凹部，所述凹部配置為向設(shè)置在凹部中的襯底提供周向支撐。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件包括位于末端的配合表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理組件，其中，所述配合表面包括以下中的至少一種：粗糙表面、粘合表面或緊固件，或其組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板安裝表面包括頂部安裝表面，所述頂部安裝表面包括傾斜側(cè)壁以限制橫向移動(dòng)。
16.一種半導(dǎo)體處理方法，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一溫度在約200℃和約600℃之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括將襯底暴露于第二過程，將襯底加熱到第二溫度，其中第二溫度低于所述第一溫度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一溫度在約200℃和約600℃之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二溫度在約10℃和約200℃之間。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種襯底處理組件，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板具有包括拋光碳化硅、拋光類金剛石碳涂層、氮化鋁層或類金剛石碳層或其組合的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板還包括在所述底表面上的板提升構(gòu)件觸點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件觸點(diǎn)包括凹部、配合表面、粗糙表面、粘合表面或緊固件，或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板包括從所述底表面延伸并且與基座頂表面中的配合腔的形狀一致的特征。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述基座包括從所述頂表面延伸并且與所述熱保護(hù)板中的配合腔的形狀一致的特征。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述熱保護(hù)板安裝表面是凹形的，以限制橫向移動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件聯(lián)接到致動(dòng)器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，還包括設(shè)置在所述熱保護(hù)板的底表面上的多個(gè)觸點(diǎn)，其中，所述多個(gè)觸點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)配置為聯(lián)接到所述多個(gè)板提升構(gòu)件中的一個(gè)或多個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理組件，其中，所述板提升構(gòu)件通孔中的一個(gè)或多個(gè)與所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張航，
申請(專利權(quán))人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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