【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開一般而言涉及電子電路，例如集成電子電路。本公開更特別地涉及被配置為接收第一電源電壓并基于第一電源電壓輸送第二電源電壓的電路，這些電路被稱為例如電壓調(diào)節(jié)器。
技術(shù)介紹
1、許多已知的電子系統(tǒng)由例如在系統(tǒng)的電源焊盤上接收的第一直流(dc)電壓供電。為了用值低于第一電壓的第二dc電源電壓為它們所包括的內(nèi)部電路中的全部或部分供電，這些已知系統(tǒng)包括電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器被配置為基于第一dc電壓生成第二dc電壓。
2、在使用這些已知系統(tǒng)的階段中，例如在開發(fā)階段期間和/或在制造結(jié)束時(shí)的測(cè)試階段期間，可能期望知道這些系統(tǒng)從輸送第一電壓的電壓源汲取的電流，以便例如估計(jì)用第二電壓供電的系統(tǒng)的內(nèi)部電路的功耗。
3、在這些已知系統(tǒng)的其他使用階段，例如在系統(tǒng)由最終用戶使用的階段期間和/或在系統(tǒng)在其應(yīng)用環(huán)境中部署的階段期間，可能期望這些系統(tǒng)從輸送第一電壓的電壓源汲取的電流是恒定的，以便例如掩蓋用第二電壓供電的系統(tǒng)的內(nèi)部電路的功耗。例如，這使得能夠避免攻擊者基于對(duì)用第二電壓供電的電路的功耗的了解而訪問機(jī)密信息(有時(shí)在本領(lǐng)域中稱為側(cè)信道攻擊的過程)。
4、存在對(duì)克服已知電壓調(diào)節(jié)器的全部或部分缺點(diǎn)的需要。
5、例如，存在對(duì)克服已知電壓調(diào)節(jié)器的全部或部分缺點(diǎn)的需要，該電壓調(diào)節(jié)器被配置為接收第一電源dc電壓并基于第一dc電源電壓輸送第二電源dc電壓，第二電壓的值低于第一電壓的值。
6、例如，存在對(duì)這樣一種電壓調(diào)節(jié)器的需要：其可以交替地在第一模式和第二模式下操作，在第一模式下，從輸送第一電壓的電壓源汲
7、例如，存在對(duì)克服能夠根據(jù)上述第一和第二模式交替操作的已知調(diào)節(jié)器的全部或部分缺點(diǎn)的需要。
8、存在對(duì)克服已知電壓調(diào)節(jié)器的全部或部分缺點(diǎn)的需要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、實(shí)施例提供了一種裝置，包括：第一mos晶體管，連接在被配置為接收第一電源電壓的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；可選擇性激活的電流源，連接在第二節(jié)點(diǎn)和被配置為接收參考電位的第三節(jié)點(diǎn)之間；第一電路，被配置為控制第一晶體管以將第二節(jié)點(diǎn)的電壓調(diào)節(jié)為至少部分地由第一設(shè)定點(diǎn)電壓確定的第一設(shè)定點(diǎn)值；第二mos晶體管，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間，并且其柵極連接到第一晶體管的柵極；第三mos晶體管，連接在第四節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間；開關(guān)，連接在第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間；以及第二電路，被配置為控制第三晶體管以將第四節(jié)點(diǎn)的電壓調(diào)節(jié)為至少部分地由第二設(shè)定點(diǎn)電壓確定的第二設(shè)定點(diǎn)值。
2、根據(jù)實(shí)施例，第四節(jié)點(diǎn)被配置為輸送第二電源電壓，當(dāng)開關(guān)接通時(shí)，該第二電源電壓的值由第一設(shè)定點(diǎn)值確定，并且當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，該第二電源電壓的值由第二設(shè)定點(diǎn)值確定。
3、根據(jù)實(shí)施例，第一電路包括：連接在第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的第一電阻分壓橋；以及誤差放大器，被配置為接收第一設(shè)定點(diǎn)電壓和第一橋的中間節(jié)點(diǎn)的電壓，并向第一晶體管的柵極供應(yīng)由兩個(gè)所接收的電壓之間的差確定的電壓。
4、根據(jù)實(shí)施例，第二電路包括：連接在第四節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的第二電阻橋；以及誤差放大器，被配置為接收第二設(shè)定點(diǎn)電壓和第二橋的中間節(jié)點(diǎn)的電壓，并向第三晶體管的柵極供應(yīng)由兩個(gè)所接收的電壓之間的差確定的電壓。
5、根據(jù)實(shí)施例，第一晶體管的縱橫比與第二晶體管的縱橫比的比率大于1，優(yōu)選地大于100，例如約為300。
6、根據(jù)實(shí)施例，該裝置還包括控制電路，該控制電路被配置為：在第一操作模式下，停用第二電路和電流源，并控制開關(guān)為接通狀態(tài)；以及在第二操作模式下，激活第二電路和電流源，并控制開關(guān)為關(guān)斷狀態(tài)。
7、根據(jù)實(shí)施例，第一電路和第二電路被配置為使得穩(wěn)定狀態(tài)下的第一模式中的第一設(shè)定點(diǎn)值等于穩(wěn)定狀態(tài)下的第二模式中的第二設(shè)定點(diǎn)值。
8、根據(jù)實(shí)施例，控制電路還被配置為在從第一操作模式轉(zhuǎn)變到第二操作模式期間依次執(zhí)行以下：控制第二電路，使得第二設(shè)定點(diǎn)值高于第一設(shè)定點(diǎn)值；激活電流源；控制開關(guān)以切換至關(guān)斷狀態(tài)以從第一操作模式切換到第二操作模式；以及控制第二電路以使得第二設(shè)定點(diǎn)值等于第一設(shè)定點(diǎn)值。
9、根據(jù)實(shí)施例：第一晶體管和第二晶體管具有相同類型的溝道；并且第三晶體管具有與第一晶體管和第二晶體管的溝道類型相反的類型的溝道。
10、根據(jù)實(shí)施例，第一電源電壓和第二電源電壓相對(duì)于參考電位為正，并且第一晶體管具有p溝道。
11、根據(jù)實(shí)施例，電流源包括與開關(guān)串聯(lián)在第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電阻元件。
12、另一個(gè)實(shí)施例提供了一種集成電路芯片，其包括：諸如上面所描述的裝置；被配置為接收第一電源電壓的焊盤，該第一電源電壓與芯片的電源電壓對(duì)應(yīng)；以及連接到第四節(jié)點(diǎn)的集成電路，該集成電路被配置為由所述裝置的第四節(jié)點(diǎn)上可用的電壓供電。
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1.一種裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第四節(jié)點(diǎn)被配置為輸送第二電源電壓，當(dāng)開關(guān)接通時(shí)，第二電源電壓的值由第一設(shè)定點(diǎn)值確定，并且當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，第二電源電壓的值由第二設(shè)定點(diǎn)值確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一電路包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第二電路包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率大于1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率大于100。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率約為300。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括控制電路，所述控制電路被配置為：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中第一電路和第二電路被配置為使得穩(wěn)定狀態(tài)下的第一模式中的第一設(shè)定點(diǎn)值等于穩(wěn)定狀態(tài)下的第二模式中的第二設(shè)定點(diǎn)值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中控制電路還被配置為在從第一操作模
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中第一電源電壓和第二電源電壓相對(duì)于參考電位為正，并且第一MOS晶體管具有P溝道。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中可選擇性激活的電流源包括與開關(guān)串聯(lián)在第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電阻元件。
14.一種集成電路芯片，包括：
15.一種裝置，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的裝置：
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中第一調(diào)節(jié)電壓由被第一誤差放大器電路施加到第一MOS晶體管的柵極的電壓控制。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置：
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率大于1。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率大于100。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中第一MOS晶體管的縱橫比與第二MOS晶體管的縱橫比的比率約為300。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中可選擇性激活的電流源包括與開關(guān)串聯(lián)在第一輸出節(jié)點(diǎn)和接地節(jié)點(diǎn)之間的電阻元件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第四節(jié)點(diǎn)被配置為輸送第二電源電壓，當(dāng)開關(guān)接通時(shí)，第二電源電壓的值由第一設(shè)定點(diǎn)值確定，并且當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，第二電源電壓的值由第二設(shè)定點(diǎn)值確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一電路包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第二電路包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一mos晶體管的縱橫比與第二mos晶體管的縱橫比的比率大于1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一mos晶體管的縱橫比與第二mos晶體管的縱橫比的比率大于100。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一mos晶體管的縱橫比與第二mos晶體管的縱橫比的比率約為300。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括控制電路，所述控制電路被配置為：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中第一電路和第二電路被配置為使得穩(wěn)定狀態(tài)下的第一模式中的第一設(shè)定點(diǎn)值等于穩(wěn)定狀態(tài)下的第二模式中的第二設(shè)定點(diǎn)值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中控制電路還被配置為在從第一操作模式轉(zhuǎn)變到第二操作模式期間依次執(zhí)行以下：
11.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：M·喬森，M·布勒木納克爾，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：意法半導(dǎo)體國(guó)際公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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