本公開涉及一種HEMT晶體管及裝置。HEMT晶體管包括：半導(dǎo)體溝道層；半導(dǎo)體勢(shì)壘層，位于所述半導(dǎo)體溝道層之上并與所述半導(dǎo)體溝道層接觸；以及半導(dǎo)體柵極，布置在所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層的與所述半導(dǎo)體溝道層相反的第一表面的之上并與該第一表面接觸，其中所述柵極包括上部和中央部，所述上部和所述中央部包括P型摻雜元素，并且所述上部包含在所述中央部和所述上部之間的界面處形成PN結(jié)的氧原子。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開一般而言涉及晶體管領(lǐng)域，并且更具體地涉及也稱為hemt的高電子遷移率晶體管領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
1、hemt晶體管依賴于具有在其表面形成的二維電子氣(也稱為2deg)的異質(zhì)結(jié)。
2、存在改進(jìn)hemt晶體管及其制造方法的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了實(shí)現(xiàn)此，
2、實(shí)施例提供了一種hemt晶體管，包括：
3、半導(dǎo)體溝道層；
4、半導(dǎo)體勢(shì)壘層，位于半導(dǎo)體溝道層之上并與半導(dǎo)體溝道層接觸；以及
5、半導(dǎo)體柵極，布置在半導(dǎo)體勢(shì)壘層的與半導(dǎo)體溝道層相反的第一表面之上并與該第一表面接觸，
6、其中柵極包括上部和中央部，上部和中央部包括p型摻雜元素，并且上部包括補(bǔ)償p型摻雜的氧原子，以在中央部和上部之間的界面處限定pn結(jié)。
7、根據(jù)一實(shí)施例，柵極包括外圍部分，該外圍部分包括p型摻雜元素并且包括補(bǔ)償p型摻雜的氧原子。
8、根據(jù)一實(shí)施例，晶體管包括在第一半導(dǎo)體層的第一表面和柵極的側(cè)面以及柵極的與第一半導(dǎo)體層相反的表面的外圍部分上延伸的鈍化層。
9、根據(jù)一實(shí)施例，第一鈍化層由氧化鋁制成。
10、根據(jù)一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層基于氮化鎵。
11、根據(jù)一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層由氮化鋁鎵制成。
12、根據(jù)一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體層包括從其第一表面開始減少的鋁含量。
13、根據(jù)一實(shí)施例，晶體管包括與第一半導(dǎo)體層的與第一表面相反的第二表面接觸的第二半導(dǎo)體層。
>14、根據(jù)一實(shí)施例，第二半導(dǎo)體層由氮化鎵制成。15、根據(jù)一實(shí)施例，半導(dǎo)體柵極由氮化鎵制成。
16、另外的實(shí)施例還提供了一種裝置，包括：導(dǎo)電層；半導(dǎo)體層，具有與所述導(dǎo)電層接觸的第一表面和與所述半導(dǎo)體層的第一表面相反的第二表面；以及柵極，具有耦合到所述半導(dǎo)體層的第二表面的第一表面、與所述柵極的第一表面相反的第二表面、以及橫向于所述柵極的第一表面和第二表面的第一側(cè)壁，所述柵極包括：具有第一導(dǎo)電類型的中央部；在所述柵極的第二表面處具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的外層；以及在所述柵極的第一側(cè)壁處具有第二導(dǎo)電類型的外圍層。
17、根據(jù)一實(shí)施例，所述柵極具有p型摻雜，并且所述外層和外圍層具有n型摻雜。
18、根據(jù)一實(shí)施例，所述裝置包括位于所述柵極的中央部與所述柵極的外圍層和外層之間的界面處的pn結(jié)。
19、根據(jù)一實(shí)施例，所述裝置包括位于所述半導(dǎo)體層的第二表面、所述柵極的外圍層和所述柵極的外層上的鈍化層。
20、根據(jù)一實(shí)施例，所述裝置包括在所述柵極的外層上的所述鈍化層中的間隙以及通過(guò)所述間隙直接耦合到所述柵極的柵極接觸金屬化部。
21、根據(jù)一實(shí)施例，所述裝置包括絕緣層，所述絕緣層完全覆蓋所述鈍化層并且包括在所述柵極接觸金屬化部和所述柵極的外層之間的部分。
22、另一個(gè)實(shí)施例提供了一種包括至少一個(gè)所描述的晶體管的功率轉(zhuǎn)換或匹配電路。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種HEMT晶體管，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT晶體管，其特征在于，其中所述柵極包括外圍部分，所述外圍部分包括P型摻雜元素并且包括補(bǔ)償P型摻雜的氧原子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT晶體管，其特征在于，包括鈍化層，所述鈍化層在所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層的第一表面和所述柵極的側(cè)面以及所述柵極的與所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層相反的表面的外圍部分上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT晶體管，其特征在于，包括與所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層的與第一表面相反的第二表面接觸的第二半導(dǎo)體層。
5.一種裝置，其特征在于，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，包括位于所述柵極的中央部與所述柵極的外圍層和外層之間的界面處的PN結(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，包括位于所述半導(dǎo)體層的第二表面、所述柵極的外圍層和所述柵極的外層上的鈍化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，包括在所述柵極的外層上的所述鈍化層中的間隙以及通過(guò)所述間隙直接耦合到所述柵極的柵極接觸金屬化部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，包括絕緣層，所述絕緣層完全覆蓋所述鈍化層并且包括在所述柵極接觸金屬化部和所述柵極的外層之間的部分。
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【技術(shù)特征摘要】
1.一種hemt晶體管，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hemt晶體管，其特征在于，其中所述柵極包括外圍部分，所述外圍部分包括p型摻雜元素并且包括補(bǔ)償p型摻雜的氧原子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hemt晶體管，其特征在于，包括鈍化層，所述鈍化層在所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層的第一表面和所述柵極的側(cè)面以及所述柵極的與所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層相反的表面的外圍部分上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hemt晶體管，其特征在于，包括與所述半導(dǎo)體勢(shì)壘層的與第一表面相反的第二表面接觸的第二半導(dǎo)體層。
5.一種裝置，其特征在于，包括：...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：A·康斯坦特，F·尤科納洛，C·特林加利，M·E·卡斯塔尼亞，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：意法半導(dǎo)體國(guó)際公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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