【技術實現步驟摘要】
本申請涉及晶體生長爐，尤其是指一種硅芯生長爐和硅料生長的控制方法。
技術介紹
1、硅芯爐是一種在充氣(保護氣體)條件下，采用直拉法，用多晶硅棒拉制硅芯的專用設備，主要用于多晶硅生長載體——硅芯的生產，在太陽能光伏產業和半導體生產中具有重要的應用價值。
2、現有的硅芯生長爐一般都使用主爐體和副爐體結合的方法進行加工，副爐體通常被放置在主爐體上方，同時副爐體和主爐體之間通過主爐體上的隔離閥進行隔離；當副爐體落位在隔離閥上后，由于副爐體本身的重量過大，會導致隔離閥在受力過度時發生一定程度的形變，這就會導致副爐體及預先設置在副爐體內的水冷熱屏發生偏轉，進一步使得水冷熱屏所在平面相對于位于主爐體內的熱場所在平面有一定的傾斜，從而導致硅芯拉制過程中坩堝內的內外液面的溫度存在差異，使得硅芯棒生長過程中內外圈直徑差異大，成品率低。
3、因此，現有技術的問題在于，硅芯棒生長過程中內外圈直徑差異大。
技術實現思路
1、為了解決現有技術的不足，本申請的目的在于提供一種硅芯生長爐，其可以改變拉晶通道中水冷熱屏本體的加工狀態，使拉晶過程中的熱場分布均勻，以提高硅芯生長爐的拉晶效率和質量。
2、為實現上述目的，本申請采用如下的技術方案：
3、一種硅芯生長爐，其特征在于，包括：主爐體、副爐體、提拉裝置、水冷熱屏裝置以及位置調整裝置，所述主爐體內設有坩堝；所述副爐體設置于所述主爐體上方，所述副爐體與所述主爐體連通形成拉晶通道；所述提拉裝置包括提拉頭，所述提拉頭具有多
4、優選的，還包括導向裝置，所述導向裝置包括至少一第三導向桿，所述第三導向桿設置于所述拉晶通道內，所述第三導向桿用于限定所述水冷熱屏的移動方向；所述第三導向桿包括：第一桿體和第二桿體，所述第一桿體的第一端與所述副爐體固定連接；所述第一桿體的第二端和所述第二桿體的第一端鉸接，所述第二桿體具有繞所述鉸接點轉動的轉動自由度。
5、優選的，所述導向裝置還包括安裝法蘭，所述安裝法蘭安裝于所述副爐體頂端，所述安裝法蘭具有多個方向上的移動自由度，所述安裝法蘭與所述第二桿體的第二端連接，所述安裝法蘭用于帶動所述第二桿體轉動。
6、優選的，所述第一桿體長度大于所述第二桿體長度。
7、優選的，所述調整裝置包括內置驅動塊，所述內置驅動塊設置于所述拉晶通道內，所述內置驅動塊與所述水冷熱屏連接，所述內置驅動塊至少具有水平方向上的移動自由度，所述內置驅動塊用于驅動所述水冷熱屏水平方向上的位移。
8、優選的，所述調整裝置還包括外置驅動件，所述外置驅動件具有多個，多個所述外置驅動件環繞設置于所述副爐體外壁，所述驅動件的輸出端貫穿所述副爐體與所述內置驅動塊連接。
9、優選的，所述調整裝置包括第一驅動組件，所述第一驅動組件安裝于所述副爐體外壁，所述第一驅動組件的輸出端與所述提升件連接，所述第一驅動組件的輸出端至少具有沿第一方向和/或第二方向的移動自由度。
10、優選的，所述第一驅動組件包括：安裝環、第一移動件以及第二移動件，所述安裝環與所述副爐體連接，所述第一移動件與所述安裝環滑移連接，所述第一移動件具有沿第一方向的移動自由度；所述第二移動件的第一端與所述提升件固定連接，且所述第二移動件的第二端與所述第一移動件滑移連接，所述第二移動件具有沿第二方向的移動自由度。
11、優選的，所述主爐體還包括隔離閥，所述隔離閥設置于所述主爐體上部，所述隔離閥與副爐體連接，所述隔離閥用于控制所述所述主爐體和所述副爐體的連通和閉合。
12、本申請還提供一種硅料生長的控制方法，用于前述的硅芯生長爐，包括以下步驟：按照硅芯位置進行劃分，獲取不同組別內硅芯的生長情況；根據生長情況對應調整水冷熱屏方向；獲取所述生長情況包括：按照區域對硅料進行劃分，并依次標號；獲取不同區域內硅料的長度、直徑、重量情況；獲取各區域內硅芯的平均生長情況；對比不同區域內的硅芯平均生長情況，根據對比結果控制水冷熱屏位置。
13、與現有技術相比，本申請的有益效果在于：
14、1、本申請提供一種硅芯生長爐，包括位置調整裝置，通過設置調整裝置帶動水冷熱屏裝置同步進行移動，使得水冷熱屏裝置能夠對應調整坩堝內外液面的溫度，使不同高度的提拉頭在拉制硅芯棒時所對應的長晶狀態接近一致，減小了硅芯棒生長過程中內外圈的徑差異，提高了成品率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種硅芯生長爐，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，還包括導向裝置(800)，所述導向裝置(800)包括至少一第三導向桿(810)，所述第三導向桿(810)設置于所述拉晶通道內，所述第三導向桿(810)用于限定所述水冷熱屏的移動方向；所述第三導向桿(810)包括：
3.根據權利要求2所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述導向裝置(800)還包括安裝法蘭(820)，所述安裝法蘭(820)安裝于所述副爐體(200)頂端，所述安裝法蘭(820)具有多個方向上的移動自由度，所述安裝法蘭(820)與所述第二桿體(812)的第二端連接，所述安裝法蘭(820)用于帶動所述第二桿體(812)轉動。
4.根據權利要求2所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述第一桿體(811)長度大于所述第二桿體(812)長度。
5.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述位置調整裝置(700)包括內置驅動塊(710)，所述內置驅動塊(710)設置于所述拉晶通道內，所述內置驅動塊(710)與所述水冷熱屏本體(510)連接，所述內置驅動
6.根據權利要求5所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述位置調整裝置(700)還包括外置驅動件(720)，所述外置驅動件(720)具有多個，多個所述外置驅動件(720)環繞設置于所述副爐體(200)外壁，所述驅動件的輸出端貫穿所述副爐體(200)與所述內置驅動塊(710)連接。
7.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述位置調整裝置(700)包括第一驅動組件(730)，所述第一驅動組件(730)安裝于所述副爐體(200)外壁，所述第一驅動組件(730)的輸出端與所述提升件連接，所述第一驅動組件(730)的輸出端至少具有沿第一方向和/或第二方向的移動自由度。
8.根據權利要求7所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述第一驅動組件(730)包括：
9.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，其特征在于，所述主爐體(100)還包括隔離閥(130)，所述隔離閥(130)設置于所述主爐體(100)上部，所述隔離閥(130)與副爐體(200)連接，所述隔離閥(130)用于控制所述所述主爐體(100)和所述副爐體(200)的連通和閉合。
10.一種硅料生長的控制方法，用于如權利要求1-9中任意一項所述的硅芯生長爐，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種硅芯生長爐，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，還包括導向裝置(800)，所述導向裝置(800)包括至少一第三導向桿(810)，所述第三導向桿(810)設置于所述拉晶通道內，所述第三導向桿(810)用于限定所述水冷熱屏的移動方向；所述第三導向桿(810)包括：
3.根據權利要求2所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述導向裝置(800)還包括安裝法蘭(820)，所述安裝法蘭(820)安裝于所述副爐體(200)頂端，所述安裝法蘭(820)具有多個方向上的移動自由度，所述安裝法蘭(820)與所述第二桿體(812)的第二端連接，所述安裝法蘭(820)用于帶動所述第二桿體(812)轉動。
4.根據權利要求2所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述第一桿體(811)長度大于所述第二桿體(812)長度。
5.根據權利要求1所述的硅芯生長爐，其特征在于，所述位置調整裝置(700)包括內置驅動塊(710)，所述內置驅動塊(710)設置于所述拉晶通道內，所述內置驅動塊(710)與所述水冷熱屏本體(510)連接，所述內置驅動塊(710)至少具有水平方向上的移動自由度，所述內置驅動塊(710)用于驅動所述水冷熱屏于水平方向上的位移。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹建偉，朱亮，倪軍夫，王嘉杰，田川川，
申請(專利權)人：浙江晶盛機電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。