【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及外延片生長，特別涉及了一種多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，對外延片的需求量也大大增加，同時對外延片的質(zhì)量要求也逐漸提高，因此提高外延片生長效率及質(zhì)量是一個重要發(fā)展趨勢。目前外延生長多采用氣相外延法，單片生產(chǎn)時多采用熱壁水平臥式腔室，采用該種生產(chǎn)方式生產(chǎn)的外延片質(zhì)量較為穩(wěn)定；多片生產(chǎn)時則多采用溫壁行星式腔室，這種方式能夠同時生長多片外延片，但是由于該種生產(chǎn)方式的生產(chǎn)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，導(dǎo)致難以控制產(chǎn)品一致性。因此如何采用熱壁水平臥式生長多片外延片是實(shí)現(xiàn)同時生長多片優(yōu)質(zhì)外延片的重要方向。
2、本申請所要解決的技術(shù)問題為：設(shè)計(jì)一款能夠同時生長多片外延片的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)的目的在于提供一款能夠同時生長多片外延片的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)。
2、本專利技術(shù)所采用的技術(shù)方案為：一種多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，包括上加熱環(huán)和與上加熱環(huán)連接的下加熱環(huán)，下加熱環(huán)設(shè)有與之轉(zhuǎn)動配合的大基座，大基座上設(shè)有若干個與之轉(zhuǎn)動配合的小基座，每個小基座上均設(shè)有用于放置原料生長外延片的托盤，大基座內(nèi)設(shè)有若干個氣道結(jié)構(gòu)，每個氣道結(jié)構(gòu)對應(yīng)驅(qū)動一個小基座轉(zhuǎn)動。
3、在一些實(shí)施方式中，氣道結(jié)構(gòu)包括若干位于大基座內(nèi)部的縱向氣道和與縱向氣道連通的橫向氣道，橫向氣道內(nèi)設(shè)有若干連通于大基座上表面的出氣孔，氣道結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于大基座底部的若干第一環(huán)形氣流道，縱向氣道與第一環(huán)形氣流道連通。
4、在一些實(shí)施方式中
5、在一些實(shí)施方式中，下加熱環(huán)分別設(shè)有若干個環(huán)形槽，大基座的底部對應(yīng)環(huán)形槽分別設(shè)有若干個凸環(huán)，凸環(huán)與環(huán)形槽之間限位轉(zhuǎn)動配合，第一環(huán)形氣流道設(shè)于相鄰?fù)弓h(huán)之間。
6、在一些實(shí)施方式中，下加熱環(huán)設(shè)有若干第二環(huán)形氣流道，第二環(huán)形氣流道位于相鄰兩個環(huán)形槽之間，每個第二環(huán)形氣流道均設(shè)有一個與之貫通的進(jìn)氣道，進(jìn)氣道與外界氣源連接，凸環(huán)與環(huán)形槽之間限位配合后第一環(huán)形氣流道和第二環(huán)形氣流道之間形成環(huán)形氣流腔室。
7、在一些實(shí)施方式中，大基座的底部設(shè)有與之連接的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸貫穿于下加熱環(huán)且與下加熱環(huán)之間轉(zhuǎn)動配合。
8、在一些實(shí)施方式中，大基座的表面設(shè)有若干限位槽，每個限位槽的中間設(shè)有一個插銷，小基座位于限位槽內(nèi)且與插銷之間轉(zhuǎn)動連接，每個氣道結(jié)構(gòu)的出氣端對應(yīng)一個限位槽。
9、在一些實(shí)施方式中，下加熱環(huán)上還分別設(shè)有上游防護(hù)板、下游防護(hù)板以及用于反應(yīng)氣體流入的過渡件，上游防護(hù)板的一端設(shè)有導(dǎo)氣斜面，過渡件設(shè)有過氣腔，導(dǎo)氣斜面對應(yīng)過氣腔設(shè)置。
10、在一些實(shí)施方式中，下加熱環(huán)在靠近下游防護(hù)片的這一端還設(shè)有中央防護(hù)板，大基座位于上游防護(hù)板、下游防護(hù)板和中央防護(hù)板之間，下加熱環(huán)的兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋板，側(cè)擋板的上端與上加熱環(huán)連接。
11、在一些實(shí)施方式中，大基座的上表面還分別設(shè)有圓周蓋板和中央蓋板，圓周蓋板和中央蓋板之間對應(yīng)限位槽設(shè)有通孔，小基座的側(cè)邊設(shè)有防脫圓環(huán)，防脫圓環(huán)的直徑大于通孔的直徑。
12、本專利技術(shù)具有如下技術(shù)效果：通過在大基座上設(shè)有若干個與之轉(zhuǎn)動配合的小基座，然后再在每個小基座上放置有可以用于放置襯底原料生長外延片的托盤，并且大基座內(nèi)還設(shè)有若干個氣道結(jié)構(gòu)，每個氣道結(jié)構(gòu)都對應(yīng)驅(qū)動一個小基座轉(zhuǎn)動，這樣當(dāng)生產(chǎn)外延片時，由于每個氣道結(jié)構(gòu)都能單獨(dú)驅(qū)動其對應(yīng)的小基座自轉(zhuǎn)，當(dāng)襯底放置在位于小基座上方的托盤上進(jìn)行外延片生長時，所以能夠同時實(shí)現(xiàn)多片外延片的同步生產(chǎn)，從而提高生產(chǎn)效率；并且每個小基座都由單獨(dú)的氣道結(jié)構(gòu)供氣驅(qū)動轉(zhuǎn)動，所以能夠保證每片外延片表面的溫度和流場分布均勻，從而保證外延片的生長均勻度，進(jìn)而提高生產(chǎn)質(zhì)量。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，包括上加熱環(huán)和與上加熱環(huán)連接的下加熱環(huán)，其特征在于，所述下加熱環(huán)設(shè)有與之轉(zhuǎn)動配合的大基座，所述大基座上設(shè)有若干個與之轉(zhuǎn)動配合的小基座，每個所述小基座上均設(shè)有用于放置原料生長外延片的托盤，所述大基座內(nèi)設(shè)有若干個氣道結(jié)構(gòu)，每個所述氣道結(jié)構(gòu)對應(yīng)驅(qū)動一個小基座轉(zhuǎn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氣道結(jié)構(gòu)包括若干位于大基座內(nèi)部的縱向氣道和與縱向氣道連通的橫向氣道，所述橫向氣道內(nèi)設(shè)有若干連通于大基座上表面的出氣孔，所述氣道結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于大基座底部的若干第一環(huán)形氣流道，所述縱向氣道與第一環(huán)形氣流道連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述小基座的底部設(shè)有若干條形槽，所述條形槽在小基座的底部呈極軸陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下加熱環(huán)分別設(shè)有若干個環(huán)形槽，所述大基座的底部對應(yīng)環(huán)形槽分別設(shè)有若干個凸環(huán)，所述凸環(huán)與環(huán)形槽之間限位轉(zhuǎn)動配合，所述第一環(huán)形氣流道設(shè)于相鄰?fù)弓h(huán)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大基座的底部設(shè)有與之連接的轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸貫穿于下加熱環(huán)且與下加熱環(huán)之間轉(zhuǎn)動配合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大基座的表面設(shè)有若干限位槽，每個所述限位槽的中間設(shè)有一個插銷，所述小基座位于限位槽內(nèi)且與插銷之間轉(zhuǎn)動連接，每個所述氣道結(jié)構(gòu)的出氣端對應(yīng)一個限位槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下加熱環(huán)上還分別設(shè)有上游防護(hù)板、下游防護(hù)板以及用于反應(yīng)氣體流入的過渡件，所述上游防護(hù)板的一端設(shè)有導(dǎo)氣斜面，所述過渡件設(shè)有過氣腔，所述導(dǎo)氣斜面對應(yīng)過氣腔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下加熱環(huán)在靠近下游防護(hù)片的這一端還設(shè)有中央防護(hù)板，所述大基座位于上游防護(hù)板、下游防護(hù)板和中央防護(hù)板之間，所述下加熱環(huán)的兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋板，所述側(cè)擋板的上端與上加熱環(huán)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大基座的上表面還分別設(shè)有圓周蓋板和中央蓋板，所述圓周蓋板和中央蓋板之間對應(yīng)限位槽設(shè)有通孔，所述小基座的側(cè)邊設(shè)有防脫圓環(huán)，所述防脫圓環(huán)的直徑大于通孔的直徑。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，包括上加熱環(huán)和與上加熱環(huán)連接的下加熱環(huán)，其特征在于，所述下加熱環(huán)設(shè)有與之轉(zhuǎn)動配合的大基座，所述大基座上設(shè)有若干個與之轉(zhuǎn)動配合的小基座，每個所述小基座上均設(shè)有用于放置原料生長外延片的托盤，所述大基座內(nèi)設(shè)有若干個氣道結(jié)構(gòu)，每個所述氣道結(jié)構(gòu)對應(yīng)驅(qū)動一個小基座轉(zhuǎn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氣道結(jié)構(gòu)包括若干位于大基座內(nèi)部的縱向氣道和與縱向氣道連通的橫向氣道，所述橫向氣道內(nèi)設(shè)有若干連通于大基座上表面的出氣孔，所述氣道結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于大基座底部的若干第一環(huán)形氣流道，所述縱向氣道與第一環(huán)形氣流道連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述小基座的底部設(shè)有若干條形槽，所述條形槽在小基座的底部呈極軸陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下加熱環(huán)分別設(shè)有若干個環(huán)形槽，所述大基座的底部對應(yīng)環(huán)形槽分別設(shè)有若干個凸環(huán)，所述凸環(huán)與環(huán)形槽之間限位轉(zhuǎn)動配合，所述第一環(huán)形氣流道設(shè)于相鄰?fù)弓h(huán)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多片式外延爐腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下加熱環(huán)設(shè)有若干第二環(huán)形氣流道，所述第二環(huán)形氣流道位于相鄰兩個環(huán)形槽之間，每個所述第二環(huán)形氣流道均設(shè)有一個與之貫通的進(jìn)氣道，所述進(jìn)氣道與外界氣源連接，所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳佳枚，林逸，陳蛟，楊軍偉，
申請(專利權(quán))人：廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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