【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于ook調制解調的數(shù)字隔離器，具體地指一種增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路。
技術介紹
1、ook調制解調(on-off?keying)是一種簡單的二進制調制方法，通過開關電路的通斷來控制信號的有無，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。ook調制解調技術主要用于無線通信系統(tǒng)，其基本原理是通過改變信號的有無來傳輸信息。當發(fā)送端需要發(fā)送一個比特時，它會將信號開啟一段時間；當不需要發(fā)送比特時，信號則保持關閉狀態(tài)。由于電容隔離的數(shù)字隔離器內部有兩個完全獨立的地，在實際應用中這兩個地之間的電壓差是瞬態(tài)變化的。若兩個地之間的電壓差瞬態(tài)變化率超過一定的極限值，就會破壞數(shù)字信號的正常傳輸，這個極限值就是數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度，共模瞬變抗擾度是數(shù)字隔離器產(chǎn)品重要的性能參數(shù)。
2、共模瞬變抗擾度指出了隔離電路對高速瞬變信號穿過隔離層而破壞輸出狀態(tài)的抑制能力，也體現(xiàn)隔離電路對快速瞬態(tài)信號干擾的敏感性。更高的共模瞬變抗擾度指標意味著隔離電路或隔離器件在以其限定的測試條件下可以在更高的上升或下降速率的共模電壓沖擊隔離屏障時能保證輸出(out)沒有發(fā)生錯誤。
技術實現(xiàn)思路
1、為了克服現(xiàn)有技術的不足，本申請?zhí)峁┮环N增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，可以有效提供電路的共模瞬變抗擾度。
2、本專利技術提供了一種增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，所述增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路包括：發(fā)射端tx和接收端rx，所述發(fā)射
3、其中，所述發(fā)射端tx包括負向共模電壓變化率檢測電路，所述負向共模電壓變化率檢測電路由晶體管mn11、晶體管mn12、晶體管mn13、晶體管mn14以及第三電阻r3組成，所述晶體管mn11和所述晶體管mn12的輸出端連接所述晶體管mn13和所述晶體管mn14的控制端，所述晶體管mn13的輸出端、所述晶體管mn14的輸出端和所述第三電阻r3連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1；
4、所述接收端rx包括：
5、由多個晶體管組成的交叉耦合的共柵極預驅放大器，所述共柵極預驅放大器把所述發(fā)射端tx發(fā)送的信號進行放大；所述共柵極預驅放大器包括晶體管mn1、晶體管mn2、晶體管mn3以及晶體管mn4，所述晶體管mn1和所述晶體管mn4共柵極，所述晶體管mn2和所述晶體管mn3共柵極，所述體管mn1、所述晶體管mn2、所述晶體管mn3以及所述晶體管mn4均連接所述接收端rx的輸入電源vdd2和所述接收端rx的接地端gnd2；
6、包絡比較器，所述包絡比較器的輸入端連接所述共柵極預驅放大器的輸出端，所述包絡比較器對所述共柵極預驅放大器的輸出電壓進行比較，并輸出相應的高電平信號或低電平信號；
7、正向共模電壓變化率檢測電路，所述正向共模電壓變化率檢測電路由晶體管mn5、晶體管mn6、晶體管mn7、晶體管mn8以及第四電阻r4組成，所述晶體管mn5和所述晶體管mn6的控制端連接所述發(fā)射端tx的輸出端，所述晶體管mn5和所述晶體管mn6的輸出端連接所述晶體管mn7和所述晶體管mn8的控制端，所述晶體管mn7的輸出端、所述晶體管mn8的輸出端和所述第四電阻r4連接所述接收端rx的接地端gnd2。
8、根據(jù)本申請所提供的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，所述晶體管mn1、所述晶體管mn2、所述晶體管mn3、所述晶體管mn4、所述晶體管mn5、所述晶體管mn6、所述晶體管mn7、所述晶體管mn8、所述晶體管mn11、所述晶體管mn12、所述晶體管mn13以及所述晶體管mn14均為nmos晶體管。
9、根據(jù)本申請所提供的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1與接地端gnd1和所述接收端rx的輸入電壓vdd2與接地端gnd2均不相同。
10、根據(jù)本申請所提供的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，在所述發(fā)射端tx還包括驅動輸出單元；所述驅動輸出單元由晶體管mp3、晶體管mp4、晶體管mn9以及晶體管mn10組成；
11、所述晶體管mp3的柵極接上級電路，所述晶體管mp3的源極連接所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1，所述晶體管mp3的漏極輸出電壓inp_tx；
12、所述晶體管mp4的柵極接上級電路，所述晶體管mp4的源極連接所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1，所述晶體管mp4的漏極輸出電壓inn_tx；
13、所述晶體管mn9的柵極接上級電路，所述晶體管mn9的源極連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1，所述晶體管mn9的漏極連接所述晶體管mp3的漏極；
14、所述晶體管mn10的柵極接上級電路，所述晶體管mn10的源極連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1，所述晶體管mn10的漏極連接所述晶體管mp4的漏極；
15、其中，所述晶體管mp3和所述晶體管mp4為pmos晶體管；所述晶體管mn9和所述晶體管mn10為nmos晶體管。
16、根據(jù)本申請所提供的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，在所述負向共模電壓變化率檢測電路中，所述晶體管mn11的柵極連接所述輸出電壓inp_tx，所述晶體管mn11的源極連接所述第三電阻r3的一端，所述晶體管mn11的漏極連接所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1；
17、所述晶體管mn12的柵極連接所述輸出電壓inn_tx，所述晶體管mn12的源極連接所述第三電阻r3的一端，所述晶體管mn12的漏極連接所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1；
18、所述第三電阻r3的另一端連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1；
19、所述第三電阻r3和所述晶體管mn11的源極、所述晶體管mn12的源極的連接電節(jié)點處連接所述晶體管mn13和所述晶體管mn14的柵極；
20、所述晶體管mn13的源極連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1，所述晶體管mn13的漏極連接所述輸出電壓inp_tx；
21、所述晶體管mn14的源極連接所述發(fā)射端tx的接地端gnd1，所述晶體管mn14的漏極連接所述輸出電壓inn_tx。
22、根據(jù)本申請所提供的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，所述發(fā)射端tx和所述接收端rx之間還連接第一耐高壓電容c1和第二耐高壓電容c2；
23、其中，所述第一耐高壓電容c1的一端連接所述發(fā)射端tx的所述輸出電壓inp_tx，所述第一耐高壓電容c1的另一端連接所述接收端rx的第一輸入端，并輸入電壓inp_rx；
24、所述第二耐高壓電容c2的一端連接所述發(fā)射端tx的所述輸出電壓inn_tx，所述第二耐高壓電容c2的另一端連接所述接收端rx的第二輸入端，并輸入電壓inn_rx。
25、根據(jù)本申請所提供的增加ook調本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路包括：發(fā)射端TX和接收端RX，所述發(fā)射端TX與所述接收端RX之間連接，所述發(fā)射端TX給所述接收端RX發(fā)送電壓信號；
2.根據(jù)權利要求1所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述晶體管MN1、所述晶體管MN2、所述晶體管MN3、所述晶體管MN4、所述晶體管MN5、所述晶體管MN6、所述晶體管MN7、所述晶體管MN8、所述晶體管MN11、所述晶體管MN12、所述晶體管MN13以及所述晶體管MN14均為NMOS晶體管。
3.根據(jù)權利要求1所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述發(fā)射端TX的輸入電壓VDD1與接地端GND1和所述接收端RX的輸入電壓VDD2與接地端GND2均不相同。
4.根據(jù)權利要求1所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，在所述發(fā)射端TX還包括驅動輸出單元；所述驅動輸出單元由晶體管MP3、晶體管MP4、晶體
5.根據(jù)權利要求4所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，在所述負向共模電壓變化率檢測電路中，所述晶體管MN11的柵極連接所述輸出電壓INP_TX，所述晶體管MN11的源極連接所述第三電阻R3的一端，所述晶體管MN11的漏極連接所述發(fā)射端TX的輸入電壓VDD1；
6.根據(jù)權利要求5所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述發(fā)射端TX和所述接收端RX之間還連接第一耐高壓電容C1和第二耐高壓電容C2；
7.根據(jù)權利要求6所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，在所述正向共模電壓變化率檢測電路中，所述晶體管MN5的柵極連接所述輸入電壓INP_RX，所述晶體管MN5的源極連接所述第四電阻R4的一端，所述晶體管MN5的漏極連接所述接收端RX的輸入電壓VDD2；
8.根據(jù)權利要求7所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述共柵極預驅放大器還包括晶體管MP1、晶體管MP2、第一電阻R1和第二電阻R2；
9.根據(jù)權利要求8所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述晶體管MP1和所述晶體管MP2均為PMOS晶體管。
10.根據(jù)權利要求8所述的增加OOK調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述包絡比較器的第一輸入端連接所述共柵極預驅放大器的第一輸出端，所述包絡比較器的第二輸入端連接所述共柵極預驅放大器的第二輸出端，所述包絡比較器的輸出端輸出所述OOK調制解調的數(shù)字隔離器的輸出信號。
...【技術特征摘要】
1.一種增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路包括：發(fā)射端tx和接收端rx，所述發(fā)射端tx與所述接收端rx之間連接，所述發(fā)射端tx給所述接收端rx發(fā)送電壓信號；
2.根據(jù)權利要求1所述的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述晶體管mn1、所述晶體管mn2、所述晶體管mn3、所述晶體管mn4、所述晶體管mn5、所述晶體管mn6、所述晶體管mn7、所述晶體管mn8、所述晶體管mn11、所述晶體管mn12、所述晶體管mn13以及所述晶體管mn14均為nmos晶體管。
3.根據(jù)權利要求1所述的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，所述發(fā)射端tx的輸入電壓vdd1與接地端gnd1和所述接收端rx的輸入電壓vdd2與接地端gnd2均不相同。
4.根據(jù)權利要求1所述的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，在所述發(fā)射端tx還包括驅動輸出單元；所述驅動輸出單元由晶體管mp3、晶體管mp4、晶體管mn9以及晶體管mn10組成；
5.根據(jù)權利要求4所述的增加ook調制解調的數(shù)字隔離器的共模瞬變抗擾度的電路，其特征在于，在所述負向共模電壓變化率檢測電路中，所述晶體管mn11的柵極連接所述輸出電壓inp_tx，所述晶體管mn...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李河清，姜帆，肖斌華，吳珊珊，
申請(專利權)人：廈門芯一代集成電路有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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