【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶硅，尤其涉及一種單晶硅的生長設備。
技術介紹
1、目前，隨著太陽能技術對高光電轉換效率的追求和降低成本的要求，n型單晶硅片大規模應用，topcon(tunnel?oxide?passivated?contact)技術不斷發展。但topcon電池技術會產生一定比例的氧環，對氧含量有很高的要求。因此降低硅棒中的氧含量成為當前的主要技術難點。降低氧含量主要方法是降低與硅料接觸的坩堝內表面的溫度，特別是坩堝底部的溫度，因此如何降低坩堝底部的溫度是當前行業迫切需要解決的問題。
2、有鑒于此，有必要對現有的單晶硅的生長設備予以改進，以解決上述問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種能夠有效降低坩堝底部溫度、減少氧雜質含量的單晶硅的生長設備。
2、為實現上述專利技術目的，本專利技術提供了一種單晶硅的生長設備，包括：
3、坩堝組件，其用以容納硅料；
4、加熱組件，設置在坩堝組件的外側以對容納在坩堝組件內的硅料進行加熱，包括位于所述坩堝組件外圍的第一加熱器；
5、隔熱組件，其呈環狀設置于所述坩堝組件的外側且在高度方向上延伸，所述隔熱組件向上延伸至所述第一加熱器的下側、向下延伸超出所述坩堝組件的堝托的底端。
6、作為本專利技術的進一步改進，所述單晶硅的生長設備還包括設置在所述坩堝組件外側的保溫組件，所述保溫組件包括位于所述坩堝組件下側的底保溫壁，所述隔熱組件包括支撐于所述底保溫壁上的第一隔熱環，所述
7、作為本專利技術的進一步改進，所述加熱組件還包括位于所述坩堝組件下側的第二加熱器，所述第一隔熱環向下延伸超過所述第二加熱器。
8、作為本專利技術的進一步改進，所述第一隔熱環包括上下相連的上隔熱環和下隔熱環，所述上隔熱環的外徑不大于所述第一加熱器的外徑，所述上隔熱環的內徑大于所述坩堝組件的堝邦的外徑，且所述上隔熱環向上延伸至所述堝邦的外側。
9、作為本專利技術的進一步改進，所述上隔熱環的底端低于所述堝托的底端，所述下隔熱環的內徑大于所述堝托的外徑。
10、作為本專利技術的進一步改進，在上下方向上，所述上隔熱環呈內徑相同、外徑相同的直筒狀，所述下隔熱環也呈內徑相同、外徑相同的直筒狀，且所述上隔熱環自所述下隔熱環平直地向上延伸形成。
11、作為本專利技術的進一步改進，所述上隔熱環與所述下隔熱環的內徑不同、外徑也不同，所述下隔熱環的外徑小于所述第一加熱器的內徑，所述第一隔熱環還具有將所述上隔熱環和下隔熱環相連的連接環。
12、作為本專利技術的進一步改進，所述隔熱組件還包括與所述堝托相連的第二隔熱環，所述第二隔熱環在所述坩堝組件的徑向方向上位于所述下隔熱環的內側，且在高度方向上與所述下隔熱環至少部分地重疊。
13、作為本專利技術的進一步改進，所述第二隔熱環的下端緣不高于所述托桿頂端設置的托盤的下端緣。
14、作為本專利技術的進一步改進，所述隔熱組件由石墨、石英、氮化硅、氧化鋁、陶瓷材料、石墨纖維中的一種或多種材料制成。
15、本專利技術的有益效果：本專利技術單晶硅的生長設備通過在坩堝組件的外側設置沿高度方向延伸的隔熱組件，并使得所述隔熱組件向上延伸至所述第一加熱器的下側、向下延伸超出所述坩堝組件的堝托的底端，從而通過在熱場底部增加隔熱組件的方式，有效地減少所述第一加熱器向坩堝的底部輻射熱量，降低坩堝底部的溫度，減緩坩堝與熔硅反應，一氧化硅生成量明顯減少，從而在不影響現有熱場整體結構的條件下，降低晶棒中的氧含量。
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1.一種單晶硅的生長設備，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述單晶硅的生長設備還包括設置在所述坩堝組件外側的保溫組件，所述保溫組件包括位于所述坩堝組件下側的底保溫壁，所述隔熱組件包括支撐于所述底保溫壁上的第一隔熱環，所述第一隔熱環自所述底保溫壁向上延伸超出所述堝托的頂端。
3.如權利要求2所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述加熱組件還包括位于所述坩堝組件下側的第二加熱器，所述第一隔熱環向下延伸超過所述第二加熱器。
4.如權利要求2所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述第一隔熱環包括上下相連的上隔熱環和下隔熱環，所述上隔熱環的外徑不大于所述第一加熱器的外徑，所述上隔熱環的內徑大于所述坩堝組件的堝邦的外徑，且所述上隔熱環向上延伸至所述堝邦的外側。
5.如權利要求4所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述上隔熱環的底端低于所述堝托的底端，所述下隔熱環的內徑大于所述堝托的外徑。
6.如權利要求4所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：在上下方向上，所述上隔熱環呈內徑相同、外徑相同的直筒狀
7.如權利要求4所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述上隔熱環與所述下隔熱環的內徑不同、外徑也不同，所述下隔熱環的外徑小于所述第一加熱器的內徑，所述第一隔熱環還具有將所述上隔熱環和下隔熱環相連的連接環。
8.如權利要求4所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述隔熱組件還包括與所述堝托相連的第二隔熱環，所述第二隔熱環在所述坩堝組件的徑向方向上位于所述下隔熱環的內側，且在高度方向上與所述下隔熱環至少部分地重疊。
9.如權利要求8所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述第二隔熱環的下端緣不高于所述托桿頂端設置的托盤的下端緣。
10.如權利要求1至9中任一項所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述隔熱組件由石墨、石英、氮化硅、氧化鋁、陶瓷材料、石墨纖維中的一種或多種材料制成。
...【技術特征摘要】
1.一種單晶硅的生長設備，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述單晶硅的生長設備還包括設置在所述坩堝組件外側的保溫組件，所述保溫組件包括位于所述坩堝組件下側的底保溫壁，所述隔熱組件包括支撐于所述底保溫壁上的第一隔熱環，所述第一隔熱環自所述底保溫壁向上延伸超出所述堝托的頂端。
3.如權利要求2所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述加熱組件還包括位于所述坩堝組件下側的第二加熱器，所述第一隔熱環向下延伸超過所述第二加熱器。
4.如權利要求2所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述第一隔熱環包括上下相連的上隔熱環和下隔熱環，所述上隔熱環的外徑不大于所述第一加熱器的外徑，所述上隔熱環的內徑大于所述坩堝組件的堝邦的外徑，且所述上隔熱環向上延伸至所述堝邦的外側。
5.如權利要求4所述的單晶硅的生長設備，其特征在于：所述上隔熱環的底端低于所述堝托的底端，所述下隔熱環的內徑大于所述堝托的外徑。
6.如權利要求4所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：武鵬，賈晨晨，何金凱，王成龍，劉磊，
申請(專利權)人：協鑫新上海光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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