【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、終端設(shè)備和芯片封裝載板。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體工業(yè)的新近趨勢是產(chǎn)品集成度高、薄、輕、快、多功能并且高效，從而具有高可靠性。為了迎合上述趨勢，芯片堆疊封裝技術(shù)被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要技術(shù)，目前一般在封裝結(jié)構(gòu)中將芯片進行堆疊設(shè)置。芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)中，多個芯片需要彼此電連接，目前主要是使用貫穿芯片的貫通電極將芯片彼此電連接，然而受限于相關(guān)技術(shù)，現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)實現(xiàn)芯片堆疊的效果并不理想。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、終端設(shè)備和芯片封裝載板。
2、本申請第一方面提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：
3、基底，基底具有在第一方向上相對設(shè)置的第一側(cè)和第二側(cè)；基底包括至少一個第一凹槽和多個通孔，第一凹槽的開口位于第一側(cè)，通孔沿第一方向貫穿第一凹槽的底壁；
4、至少一個第一芯片，位于第一凹槽中，第一芯片具有引腳的表面朝向第二側(cè)；
5、至少一個第二芯片，位于基底的第二側(cè)，第二芯片具有引腳的表面朝向第一側(cè)；
6、第一布線層，位于基底的第一側(cè)，第一布線層與第一芯片的引腳電連接；
7、第二布線層，位于基底的第二側(cè)，第二布線層與第二芯片的引腳電連接；以及
8、連接線，位于通孔中，且與第一布線層和第二布線層電連接。
9、在一個實施例中，基底還包括至少一個第二凹槽，第二凹槽的開口位于第二側(cè)，至少一個第二芯片位于第二凹槽中；>
10、第一凹槽在基底所在平面上的正投影與第二凹槽在基底所在平面上的正投影至少部分重疊。
11、在一個實施例中，芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括填充層，位于第二芯片與第二凹槽的槽壁圍成的空隙中，和/或，位于第一芯片與第一凹槽的槽壁圍成的空隙中；
12、和/或，基底的材質(zhì)為玻璃。
13、在一個實施例中，第一芯片包括至少一個位于第一凹槽中邏輯芯片；
14、第二芯片包括多個分別位于一個第二凹槽中的存儲芯片。
15、在一個實施例中，第一布線層包括第一部、第二部和第三部，第一部與連接線電連接，第二部與第一部電連接，第三部位于基底的第一側(cè)并與第二部電連接；
16、第二部位于第一凹槽槽壁上；第一凹槽槽壁與第一方向之間的夾角為30°～60°，或者，第一凹槽槽壁與第一方向平行。
17、在一個實施例中，第一側(cè)為信號輸出側(cè)，第一芯片為邏輯芯片。
18、在一個實施例中，還包括：第一保護層，位于基底的第一側(cè)，第一保護層在基底所在平面上的正投影覆蓋第一芯片在基底所在平面上的正投影；
19、第一保護層的材料包括聚酰亞胺、芳香族苯并環(huán)丁烷薄膜和雙馬來酰亞胺三嗪樹脂中的至少一種。
20、在一個實施例中，還包括：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于第三部背離基底的一側(cè)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第三部電連接；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)部分嵌入第一保護層中。
21、在一個實施例中，第二布線層還包括第四部、第五部和第六部，第四部與連接線電連接，第五部與第四部電連接，第六部位于基底的第二側(cè)并與第五部電連接；
22、第五部位于第二凹槽槽壁上，第二凹槽槽壁與第一方向之間的夾角為30°～60°，或者，第二凹槽槽壁與第一方向平行。
23、在一個實施例中，還包括：第二保護層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，第二保護層位于基底的第二側(cè)，第二保護層在基底所在平面上的正投影覆蓋第二芯片在基底所在平面上的正投影；第二保護層覆蓋第六部；
24、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第六部背離基底的一側(cè)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第六部電連接；
25、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)部分嵌入第二保護層中；
26、第二保護層的材料包括聚酰亞胺、芳香族苯并環(huán)丁烷薄膜和雙馬來酰亞胺三嗪樹脂中的至少一種。
27、在一個實施例中，第二芯片包括第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片和第二子芯片的功能不同；
28、第一布線層包括第一部、第二部和第三部，第一部與連接線電連接，第二部與第一部電連接，第三部位于基底的第一側(cè)并與第二部電連接，第二布線層包括第四部；
29、第四部與第一子芯片和第二子芯片電連接，第一部與第一芯片電連接；
30、一個第二凹槽中包括至少一個第一子芯片和至少一個第二子芯片；和/或，一個第二凹槽中包括至少一個第一子芯片，另一個第二凹槽中包括至少一個第二子芯片。
31、在一個實施例中，還包括：密封層，位于第二芯片背離基底的一側(cè)，密封層包覆第二芯片，且與基底密接。
32、在一個實施例中，基底還包括至少一個第二凹槽，第二凹槽的開口位于第二側(cè)，至少一個第二芯片位于第二凹槽中；
33、芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括填充層，位于第二芯片與第二凹槽的槽壁圍成的空隙中，和，位于第一芯片與第一凹槽的槽壁圍成的空隙中；
34、第一布線層包括第一部、第二部和第三部，第一部與連接線電連接，第二部與第一部電連接，第三部位于基底的第一側(cè)并與第二部電連接；第二部位于第一凹槽槽壁上，第一凹槽槽壁與第一方向之間的夾角為30°～60°；
35、芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括第一保護層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，第一保護層位于基底的第一側(cè)，第一保護層在基底所在平面上的正投影覆蓋第一芯片在基底所在平面上的正投影，第一保護層覆蓋第三部；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第三部背離基底的一側(cè)，部分嵌入第一保護層中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第三部電連接。
36、本申請第二方面提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：
37、基底，基底包括至少一個第一凹槽以及多個通孔，通孔與第一凹槽相連通；
38、至少一個第一芯片和至少一個第二芯片，第一芯片和第二芯片位于基底相對的兩側(cè)；至少一個第一芯片位于第一凹槽中；通孔位于第一芯片和第二芯片之間；
39、布線層，位于基底的至少一側(cè)，布線層與第一芯片和第二芯片電連接；以及
40、連接線，位于通孔中，且與布線層電連接。
41、本申請第三方面提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：
42、在基底的第一側(cè)開設(shè)至少一個第一凹槽；
43、在第一凹槽的底壁上開設(shè)多個通孔，通孔沿第一方向貫穿第一凹槽的底壁；
44、在通孔中制備連接線；
45、在基底的第一側(cè)制備第一布線層，在基底的第二側(cè)制備第二布線層，第一布線層和第二布線層通過連接線電連接，第一側(cè)和第二側(cè)在第一方向上相對設(shè)置；
46、在第一凹槽中設(shè)置至少一個第一芯片，在基底的第二側(cè)設(shè)置至少一個第二芯片，第一芯片具有引腳的表面朝向第二側(cè)，第二芯片具有引腳的表面朝向第一側(cè)；第一布線層與第一芯片的引腳電連接，第二布線層與第二芯片的引腳電連接。
47、在一個實施例中，在基底的第二側(cè)設(shè)置至少一個第二芯片的步驟包括：在基底的第二側(cè)開設(shè)至少一個第二凹槽，在第二凹槽中設(shè)置至少一個第二芯片。
48、在一個實施例中，在第一凹槽中設(shè)置至少一個第一芯片，在基底的第二側(cè)設(shè)置至少一個第二芯片本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括至少一個第二凹槽，所述第二凹槽的開口位于所述第二側(cè)，至少一個所述第二芯片位于所述第二凹槽中；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括填充層，位于所述第二芯片與所述第二凹槽的槽壁圍成的空隙中，和/或，位于所述第一芯片與所述第一凹槽的槽壁圍成的空隙中；
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片包括至少一個位于所述第一凹槽中的邏輯芯片；
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一側(cè)為信號輸出側(cè)，所述第一芯片為邏輯芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第一保護層，位于所述基底的第一側(cè)，所述第一保護層在所述基底所在平面上的正投影覆蓋所述第一芯片在所述基底所在平面上的正投影；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二布線層還包括第四部、第五部和第六部，所述第四部與所述連接線電連接，所述第五部與所述第四部電連接，所述第六部位于所述基底的第二側(cè)并與所述第五部電連接；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二保護層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二保護層位于所述基底的第二側(cè)，所述第二保護層在所述基底所在平面上的正投影覆蓋所述第二芯片在所述基底所在平面上的正投影；所述第二保護層覆蓋所述第六部；
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片包括第一子芯片和第二子芯片，所述第一子芯片和所述第二子芯片的功能不同；
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：密封層，位于所述第二芯片背離所述基底的一側(cè)，所述密封層包覆所述第二芯片，且與所述基底密接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括至少一個第二凹槽，所述第二凹槽的開口位于所述第二側(cè)，至少一個所述第二芯片位于所述第二凹槽中；
14.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
15.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，在所述基底的第二側(cè)設(shè)置至少一個第二芯片的步驟包括：在所述基底的第二側(cè)開設(shè)至少一個第二凹槽，在所述第二凹槽中設(shè)置至少一個第二芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽中設(shè)置至少一個第一芯片，在所述基底的第二側(cè)設(shè)置至少一個第二芯片的步驟包括：
18.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
19.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1~14任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，或者，包括權(quán)利要求15~18任一項所述的制備方法制備得到的芯片封裝結(jié)構(gòu)。
20.一種芯片封裝載板，其特征在于，包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的芯片封裝載板，其特征在于，所述布線層包括第一布線層和第二布線層，所述第一布線層位于所述基底的第一側(cè)，所述第二布線層位于所述基底的第二側(cè)，所述第一布線層和所述第二布線層均與所述連接線電連接；
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的芯片封裝載板，其特征在于，還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括至少一個第二凹槽，所述第二凹槽的開口位于所述第二側(cè)，至少一個所述第二芯片位于所述第二凹槽中；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括填充層，位于所述第二芯片與所述第二凹槽的槽壁圍成的空隙中，和/或，位于所述第一芯片與所述第一凹槽的槽壁圍成的空隙中；
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片包括至少一個位于所述第一凹槽中的邏輯芯片；
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一側(cè)為信號輸出側(cè)，所述第一芯片為邏輯芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第一保護層，位于所述基底的第一側(cè)，所述第一保護層在所述基底所在平面上的正投影覆蓋所述第一芯片在所述基底所在平面上的正投影；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述第三部背離所述基底的一側(cè)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第三部電連接；
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二布線層還包括第四部、第五部和第六部，所述第四部與所述連接線電連接，所述第五部與所述第四部電連接，所述第六部位于所述基底的第二側(cè)并與所述第五部電連接；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二保護層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二保護層位于所述基底的第二側(cè)，所述第二保護層在所述基底所在平面上的正投影覆蓋所述第二芯片在所述基底所在平面上的正投影；所述第二保護層覆蓋所述第六部；
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張文斌，呂奎，周衍旭，
申請(專利權(quán))人：江蘇匯顯顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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