【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本申請要求基于2022年7月12日的韓國專利申請no.10-2022-0085868的優先權權益，該韓國專利申請的公開的全部內容以引用方式并入本文中。本申請涉及形成三維電極結構的方法、存儲該方法的硬件裝置和用于形成分析的三維電極結構的系統。
技術介紹
1、數字孿生技術是一種通過在計算機內的虛擬空間中創建真實物體的孿生并且模擬能夠在現實中發生的情形來預測結果的技術。
2、這種數字孿生技術可以應用于各種領域。
3、例如，數字孿生技術可以用于二次電池的研究和開發。
4、二次電池是可以被充電和放電的在電能被轉換成化學能的形式儲存起來之后在有必要時可以產生電力的裝置。隨著電動車輛市場的擴大，要求開發具有優異穩定性并且能夠實現高能量密度的二次電池，并且數字孿生技術可以應用于這種二次電池的開發。
5、例如，專利文獻1公開了一種利用數字孿生技術進行三維電極結構建模的方法。
6、在專利文獻1中公開的方法中，通過結合所謂的三維形成技術(3d形成)和三維重建技術(3d重建)來形成電極結構。
7、然而，在以上方法中，無論電極的類型如何，電極結構都以相同的方式形成，由此存在的問題是，與實際電極的匹配程度降低，不能形成反映電極體積特性的結構以及所形成的電極結構的驗證技術系統性低。
8、[現有技術文獻]
9、[專利文獻1]
10、(專利文獻1)韓國特許專利公開no.10-2021-0063821
技術實現思路
...【技術保護點】
1.一種形成三維電極結構的方法，該方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括提供電極樣本的設計參數以確認所述樣本結構體積。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述設計參數是從包括電極材料的種類、電極材料的量、電極材料的形狀、電極材料的機械性能、電極負載水平、電極密度和材料沿著電極厚度方向的分布率的組中選擇的一個或更多個。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述樣本結構體積的確認包括：(1)使用設計參數形成樣本電極結構；以及(2)通過縮小所述樣本電極結構的尺寸來確認樣本電極結構體積。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，(2)所述樣本電極結構體積的確認包括減小所述樣本電極結構的體積以及確認體積已減小的每個電極結構的結構參數。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述結構參數是從包括導電材料的彎曲度、比表面積和體積比的組中選擇的一個或更多個。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，在步驟(2)中已減小體積的電極結構的結構參數與所述樣本電極結構的結構參數的誤差比為10％或更小的最小體積被指定
8.根據權利要求5所述的方法，其中，執行所述電極結構的體積減小，使得所述體積是所述電極結構在體積減小之前的體積的0.1至0.5倍。
9.根據權利要求4所述的方法，其中，當形成所述樣本電極結構時，以所述電極中大體積比的次序形成電極材料。
10.根據權利要求1所述的方法，其中，當形成所述初始電極結構時，以所述電極中大體積比的次序形成電極材料。
11.根據權利要求1所述的方法，其中，在驗證所述初始電極結構的步驟中，執行將所述初始電極結構的結構參數與電極樣本的結構參數進行比較的步驟。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述結構參數是從包括空隙彎曲度、活性材料與空隙之間的界面面積和導電材料的有效導電率的組中選擇的一個或更多個。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，當所述結構參數之間的誤差比的絕對值為5％或更大時，進一步執行校正所述電極結構的步驟。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，當作為結構參數的所述導電材料的有效導電率的誤差比為5％或更大時，電極材料當中的活性材料與導電材料或所述活性材料與結合劑之間的接觸角在90度方向上被校正，并且當所述誤差比為-5％或更小時，所述接觸角在遠離90度的方向上被校正。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，當作為所述結構參數的空隙彎曲度的誤差比為5％或更大時，電極材料當中的所述活性材料與所述導電材料之間或所述活性材料與結合劑之間的接觸角減小，并且當所述誤差比為-5％或更小時，所述接觸角增大。
16.根據權利要求14所述的方法，其中，當作為所述結構參數的所述活性材料與所述空隙之間的界面面積的誤差比為5％或更大時，所述電極材料當中的所述活性材料與所述導電材料之間或所述活性材料與所述結合劑之間的接觸角減小，并且當所述誤差比為-5％或更小時，所述接觸角增大。
17.一種存儲有根據權利要求1至16中的任一項所述的方法的硬件裝置。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種形成三維電極結構的方法，該方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括提供電極樣本的設計參數以確認所述樣本結構體積。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述設計參數是從包括電極材料的種類、電極材料的量、電極材料的形狀、電極材料的機械性能、電極負載水平、電極密度和材料沿著電極厚度方向的分布率的組中選擇的一個或更多個。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述樣本結構體積的確認包括：(1)使用設計參數形成樣本電極結構；以及(2)通過縮小所述樣本電極結構的尺寸來確認樣本電極結構體積。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，(2)所述樣本電極結構體積的確認包括減小所述樣本電極結構的體積以及確認體積已減小的每個電極結構的結構參數。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述結構參數是從包括導電材料的彎曲度、比表面積和體積比的組中選擇的一個或更多個。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，在步驟(2)中已減小體積的電極結構的結構參數與所述樣本電極結構的結構參數的誤差比為10％或更小的最小體積被指定為所述樣本結構體積。
8.根據權利要求5所述的方法，其中，執行所述電極結構的體積減小，使得所述體積是所述電極結構在體積減小之前的體積的0.1至0.5倍。
9.根據權利要求4所述的方法，其中，當形成所述樣本電極結構時，以所述電極中大體積比的次序形成電極材料。
10.根據權利要求1所述的方法，其中，當形成所述初始電極結構時，以所述電極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：樸主南，高約翰，金炯奭，
申請(專利權)人：株式會社LG新能源，
類型：發明
國別省市：
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