【技術實現步驟摘要】
本專利技術總體涉及原子層蝕刻(ale)方法，尤其涉及使用退火步驟比如微波或紅外輻射來幫助反應物與蝕刻目標表面反應的ale方法。
技術介紹
1、原子層蝕刻是循環的、原子層水平的蝕刻，使用吸附在目標膜上并與受激物質反應的蝕刻劑。與常規蝕刻技術相比，ale可以在亞納米量級上進行精確的、原子層水平的連續蝕刻，以形成精細、狹窄的凸凹圖案，并且可以適用于例如雙圖案化過程。已知氟基蝕刻劑比如hf會導致某些應用的集成問題。此外，大多數已知的ale示例具有將表面暴露于等離子體產生的物質的一個或多個步驟。通常需要所謂的等離子體增強ale(或pe-ale)來提供產生表面反應的反應性，所述表面反應是產生允許膜去除的揮發性副產物所需要的。不幸地，對于許多應用來說，由于高縱橫比特征中蝕刻的不均勻性、各向異性的高可能性以及等離子體損傷的可能性，等離子體的使用是不理想的。
2、與相關技術相關的問題和解決方案的上述及任何其他討論已經包括在本公開中，僅僅是為了提供本專利技術的背景，并且不應被認為是承認在做出本專利技術時任何或所有討論是已知的。
技術實現思路
1、提供本
技術實現思路
是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實施例的描述中被進一步詳細描述。本
技術實現思路
不旨在標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。
2、本公開的各種實施例涉及從材料的第一表面蝕刻材料的方法。在該方法中，將具有材料的第一表面的襯底提供到反應室中，并執行蝕刻步驟。
3、在一些實施例中，該方法包括襯底，襯底包括器件側和背面。第一材料位于器件側。此外，器件側包括第二材料。蝕刻步驟包括相對于第二材料選擇性地蝕刻第一材料。
4、在一些方面，公開了包括根據本公開的蝕刻過程的形成半導體器件的方法。
5、在一些方面，公開了通過包括根據本公開的蝕刻過程的方法形成的半導體器件。
6、在又一方面，公開了一種用于處理襯底的半導體處理系統。該處理系統包括：蝕刻空間，其被構造和布置成保持具有第一材料的襯底；用于蝕刻反應物的容器，其被構造和布置成容納蝕刻反應物；以及發生器，用于通過存在于襯底上的水分子的極化和振蕩來加熱襯底，所述發生器設置在所述蝕刻空間的外部，并適于通過所述蝕刻空間的連續壁向所述蝕刻空間施加微波或紅外輻射。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種用于蝕刻的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，
3.根據權利要求1所述的方法，所述蝕刻循環還包括蝕刻前體脈沖，其中蝕刻前體脈沖包括將襯底暴露于蝕刻前體。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述退火脈沖至少部分地與所述蝕刻前體脈沖同時發生。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述退火脈沖至少部分地與所述蝕刻反應物脈沖同時發生。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述多個蝕刻循環中的蝕刻循環還包括一次或多次吹掃。
7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一材料包括金屬氧化物、元素金屬或金屬氮化物。
8.根據權利要求3至7中任一項所述的方法，其中，所述蝕刻前體包含氧化劑或氯化劑。
9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述蝕刻反應物包括選自以下的試劑：烷基化劑、環戊二烯、烷基環戊二烯、三甲基甲硅烷基環戊二烯、N,N’-二烷基碳二亞胺、二烷基胺、醇和鹵化劑。
10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述退
11.根據權利要求10所述的方法，其中，微波以0.3-300GHz的頻率施加。
12.根據權利要求10所述的方法，其中，紅外線以1-800μm的波長施加。
13.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述蝕刻循環重復至少兩次。
14.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，其中，重復所述蝕刻循環，直到所述第一材料從襯底去除。
15.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二材料包括聚合物。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述聚合物具有4.1或更小的介電常數。
17.一種形成半導體器件的方法，包括根據前述權利要求中任一項所述的蝕刻過程。
18.一種半導體器件，由包括根據權利要求1至16中任一項所述的蝕刻過程的方法形成。
19.一種用于處理襯底的半導體處理系統，該處理系統包括：
20.根據權利要求19所述的半導體處理系統，其中，所述襯底還包括第二材料。
...【技術特征摘要】
1.一種用于蝕刻的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，
3.根據權利要求1所述的方法，所述蝕刻循環還包括蝕刻前體脈沖，其中蝕刻前體脈沖包括將襯底暴露于蝕刻前體。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述退火脈沖至少部分地與所述蝕刻前體脈沖同時發生。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述退火脈沖至少部分地與所述蝕刻反應物脈沖同時發生。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述多個蝕刻循環中的蝕刻循環還包括一次或多次吹掃。
7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一材料包括金屬氧化物、元素金屬或金屬氮化物。
8.根據權利要求3至7中任一項所述的方法，其中，所述蝕刻前體包含氧化劑或氯化劑。
9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述蝕刻反應物包括選自以下的試劑：烷基化劑、環戊二烯、烷基環戊二烯、三甲基甲硅烷基環戊二烯、n,n’-二烷基碳二亞胺、二烷基胺、醇和鹵化劑。
10.根據前述權利...
【專利技術屬性】
技術研發人員：C·德澤拉，P·德明斯基，
申請(專利權)人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。