【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種膜厚信號處理裝置、研磨裝置以及膜厚信號處理方法。本申請要求基于2023年8月31日提交的日本專利申請第2023-140929號的優先權。包括日本專利申請第2023-140929號的說明書、權利要求、附圖和摘要在內的所有公開內容通過引用整體并入本文。
技術介紹
1、近年來，隨著半導體器件的高集成化、高密度化，電路的布線越來越微細化，多層布線的層數也在增加。為了在實現電路的微細化的同時實現多層布線，需要高精度地對半導體器件表面進行平坦化處理。
2、作為半導體器件表面的平坦化技術，已知有化學機械研磨(cmp(chemicalmechanical?polishing))。用于進行cmp的研磨裝置具備：粘貼有研磨墊的研磨臺、和用于保持研磨對象物(例如半導體晶片等基板或形成于基板表面的各種膜)的頂圈(保持部)。研磨裝置一邊利用能夠驅動研磨臺旋轉的電機(驅動部)使研磨臺旋轉，一邊將保持于頂圈的研磨對象物按壓于研磨墊，從而研磨研磨對象物。
3、研磨裝置為了根據研磨對象物的膜厚進行研磨工序的終點檢測而具備膜厚測定裝置。膜厚測定裝置具備檢測研磨對象物的膜厚的膜厚傳感器。膜厚傳感器通常包括電渦流傳感器或光學式傳感器。
4、電渦流傳感器或光學式傳感器設置在形成于研磨臺的孔中，并且一邊隨著研磨臺的旋轉而旋轉，一邊當與研磨對象相對時檢測膜厚。電渦流傳感器使導電膜等研磨對象物感應電渦流，根據由研磨對象物感應的電渦流產生的磁場的變化檢測研磨對象物的厚度的變化。另一方面，光學式傳感器向研磨對象物照射光，通過測
5、基于膜厚傳感器的膜厚分布將基于來自傳感器的測定點(在電渦流傳感器的情況下，在晶片存在感應出的電渦流的晶片上的測定范圍。在光學式傳感器的情況下，晶片上的光的照射范圍。以下稱為“測定范圍”)的整體的檢測信號的膜厚的測定值(膜厚數據)與晶片上的測定點的位置對應起來。例如，作為測定點的位置，有時使用傳感器中心的位置。測定范圍在晶片中以一定的范圍存在，而其測定值與作為晶片上的特定位置的測定點的位置相關聯。因此，在測定范圍內的膜厚分布的精度、即空間分辨率方面有提高的余地。
6、現有技術文獻
7、專利文獻
8、專利文獻1：日本特許6795337號
技術實現思路
1、專利技術要解決的技術問題
2、本專利技術的一個方式是解決這樣的問題，其目的在于提供一種改善了測定范圍內的膜厚分布的精度的膜厚信號處理裝置。
3、解決技術問題的技術方案
4、為了解決上述技術問題，在第一方式中，采用一種膜厚信號處理裝置的結構，其中，具有：接收部，該接收部接收從用于檢測研磨對象物的膜厚的膜厚傳感器輸出的傳感器數據來生成第一膜厚數據及第二膜厚數據；以及校正部，該校正部對由所述接收部生成的所述第一膜厚數據及所述第二膜厚數據進行校正，所述校正部基于在所述膜厚傳感器的一次測定中作為測定對象的所述研磨對象物上的測定范圍的尺寸、在所述研磨對象物上的第一測定點測定出的所述第一膜厚數據和在所述研磨對象物上的第二測定點測定出的所述第二膜厚數據來求出校正后的膜厚數據，所述第一測定點和所述第二測定點的距離為所述測定范圍的尺寸以下。
5、在本實施方式中，校正部基于在膜厚傳感器的一次測定中作為測定對象的研磨對象物上的測定范圍的尺寸、在研磨對象物上的第一測定點測定出的第一膜厚數據、在研磨對象物上的第二測定點測定出的第二膜厚數據來求出校正后的膜厚數據。特別是由于將測定范圍的尺寸用于校正，因此能夠提供改善了測定范圍內的膜厚分布的精度的膜厚信號處理裝置。
6、在第二方式中，采用第一方式所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，從所述第一測定點到所述研磨對象物的中心為止的第一距離和從所述第二測定點到所述研磨對象物的所述中心為止的第二距離不同。
7、在第三方式中，采用第一方式或第二方式所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，在測定了所述第一膜厚數據后的最初的測定中測定所述第二膜厚數據。
8、在第四方式中，采用第一方式至第三方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，所述校正部求出與在所述研磨對象物上相距所述尺寸的距離的第三測定點和第四測定點對應的第三膜厚數據和第四膜厚數據中的至少一方，作為基于所述第一膜厚數據和所述第二膜厚數據校正的所述膜厚數據。
9、在第五方式中，采用第五方式所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，所述第三膜厚數據與所述第四膜厚數據之差與所述第一膜厚數據與所述第二膜厚數據之差成比例。
10、在第六方式中，采用第一方式至第五方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，在所述第一膜厚數據或所述第二膜厚數據的與時間相關的變化量超過規定值時進行所述校正。
11、在第七方式中，采用第一方式至第六方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，在所述第一膜厚數據或所述第二膜厚數據的與位置相關的變化量超過規定值時進行所述校正。
12、在第八方式中，采用第一方式至第七方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，基于在所述研磨對象物的端部附近測定的所述第一膜厚數據和所述第二膜厚數據進行所述校正。
13、在第九方式中，采用第八方式所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，在所述膜厚傳感器的所述測定范圍內存在所述端部時進行所述校正。
14、在第十方式中，采用第一方式至第九方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置的結構，其中，將所述研磨對象物與所述膜厚傳感器的距離為第一長度時的所述尺寸設為第一尺寸，將所述研磨對象物與所述膜厚傳感器的距離為第二長度時的所述尺寸設為第二尺寸時，當所述第一長度比所述第二長度長時，所述第一尺寸比所述第二尺寸大。
15、在第十一方式中，采用一種研磨裝置的結構，其中，具有：第一方式至第十方式中任一項所述的膜厚信號處理裝置；研磨臺，該研磨臺能夠粘貼用于研磨所述研磨對象物的研磨墊；驅動部，該驅動部能夠驅動所述研磨臺旋轉；保持部，該保持部保持所述研磨對象物并能夠將所述研磨對象物按壓于所述研磨墊；以及所述膜厚傳感器，該膜厚傳感器配置在形成于所述研磨臺的孔中，能夠隨著所述研磨臺的旋轉而檢測所述研磨對象物的膜厚。
16、在第十二方式中，采用一種膜厚信號處理方法的結構，其中，使用具有膜厚傳感器、接收部和校正部的研磨裝置，由所述接收部接收從用于檢測研磨對象物的膜厚的所述膜厚傳感器輸出的傳感器數據來生成第一膜厚數據及第二膜厚數據，通過所述校正部，進行由所述接收部生成的所述第一膜厚數據及第二膜厚數據的校正，通過所述校正部，基于在所述膜厚傳感器的一次測定中作為測定對象的測定范圍的尺寸、在所述研磨對象物上的第一測定點測定出的所述第一膜厚數據和在所述研磨對象物上的第二測定點測定出的所述第二膜厚數據來求出校正后的膜厚數據，所述第一測定點和所述第二測定點的距離為所述測定范圍的尺寸以下。
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1.一種膜厚信號處理裝置，其特征在于，具有：
2.根據權利要求1所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
4.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
6.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
7.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
8.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
9.如權利要求8所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
10.如權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
11.一種研磨裝置，其特征在于，具有：
12.一種膜厚信號處理方法，使用具有膜厚傳感器、接收部和校正部的研磨裝置，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種膜厚信號處理裝置，其特征在于，具有：
2.根據權利要求1所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
4.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
6.根據權利要求1或2所述的膜厚信號處理裝置，其特征在于，
7.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：八木圭太，鹽川陽一，鈴木佑多，
申請(專利權)人：株式會社荏原制作所，
類型：發明
國別省市：
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