【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體結構及其形成方法，特別是涉及一種具有改進可靠性的凸塊結構的半導體結構及其形成方法。
技術介紹
1、近年來，先進的集成電路(ic)設備變得越來越多功能化，并且在尺寸上不斷縮小。盡管縮小過程通常會提高生產效率并降低相關成本，但也增加了處理和制造ic設備的復雜性。例如，在半導體制造過程中，需要轉向與低介電常數(low-k)介質集成的銅(cu)基互連，以顯著降低芯片的電阻(r)和電容(c)。銅的電阻率低于基于鋁(al)的合金。因此，使用cu基互連制造的半導體設備將顯示出減少的電阻-電容(rc)延遲。然而，當沒有形成自鈍化層以防止底層銅進一步氧化時，銅的氧化速率很高。cu基互連的氧化在隨后的凸塊工藝的可靠性中成為一個嚴重的問題。
2、因此，期望一種具有改進可靠性的新的半導體結構。
技術實現思路
1、本專利技術的一個實施例提供了一種半導體結構。該半導體結構包括一個互連結構、一層鈍化層和一個導電凸塊結構。該互連結構包括位于該互連結構頂部的導電墊。該鈍化層設置在該互連結構上。該導電凸塊結構設置在并嵌入到該鈍化層和該導電墊中。在第一方向上，該鈍化層與該導電墊之間的第一接口位于并與該導電凸塊結構與該導電墊之間的第二接口不對齊。
2、此外，本專利技術的一個實施例提供了一種形成半導體結構的方法。該方法包括形成一個互連結構，包括位于互連結構頂部的導電墊。該方法進一步包括在互連結構上形成鈍化層。該方法進一步包括形成第一開口，穿過鈍化層以暴露導電墊的頂表面。該方法
3、由于在本專利技術實施例的方案中需要對暴露的導電墊進行表面處理過程，因此會相應地形成導電墊的獨特凹槽。后續的導電凸塊結構可以進一步嵌入導電墊中，以增強導電凸塊結構的剪切強度，從而提高導電凸塊結構的可靠性。
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1.一種半導體結構，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構，其中在第二方向上，該導電墊的第一厚度與該第一接口與該第二接口之間的第一距離的比例在1到75之間。
3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構嵌入到該鈍化層和該導電墊中的嵌入部分具有柱形、倒錘形或錨形狀。
4.如權利要求3所述的半導體結構，其中該嵌入部分的導電凸塊結構包括：
5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電墊包括：
6.如權利要求5所述的半導體結構，其中該第一接口位于該導電墊的第一頂面上，且該第二接口位于該凹槽的導電墊的第一底面上。
7.如權利要求5所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構與該第一底面、該第一側面和該第二側面接觸。
8.如權利要求5所述的半導體結構，其中該凹槽的第一底面包括平面或凹面。
9.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一側面和該第一底面之間的第一角包括尖角或圓角。
10.如權利要求3所述的半導體結構，其中該鈍化層包括：
11.如權利要求10所述的半導體結構，其
12.如權利要求10所述的半導體結構，其中在該第一方向上，該第一突出部分的第三尺寸和該第二突出部分的第四尺寸在0.01μm和3μm之間。
13.如權利要求12所述的半導體結構，其中該第三尺寸與該第四尺寸的比例在0.03和3之間。
14.如權利要求10所述的半導體結構，其中該第一延伸部分、該第一側面和與該第一延伸部分重疊的第一底面部分形成該凹槽的側部分。
15.如權利要求14所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構填充該凹槽的側部分。
16.如權利要求14所述的半導體結構，其中該凹槽的側部分具有圓形、多邊形、扇形、條形或不規則形狀。
17.如權利要求4所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構包括：
18.如權利要求17所述的半導體結構，其中該第一子部分由該凸塊金屬層和該導電柱組成，且該第二子部分由該凸塊金屬層組成。
19.如權利要求3所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構包括：
20.如權利要求19所述的半導體結構，其中該基層從該鈍化層的頂面突出。
21.如權利要求3所述的半導體結構，進一步包括：
22.如權利要求21所述的半導體結構，其中感光應力緩沖層位于導電凸點結構的嵌入部分之上。
23.如權利要求21所述的半導體結構，其中感光應力緩沖層延伸進入鈍化層，并圍繞導電凸點結構的嵌入部分。
24.一種形成半導體結構的方法，包括：
25.如權利要求24所述的形成半導體結構的方法，其中凹槽的對面側表面具有垂直輪廓、過切輪廓或欠切輪廓。
26.如權利要求24所述的形成半導體結構的方法，其中形成導電凸點結構包括：
27.如權利要求24所述的形成半導體結構的方法，其中形成導電凸點結構包括：
28.如權利要求24所述的形成半導體結構的方法，進一步包括：
29.如權利要求28所述的形成半導體結構的方法，進一步包括：
30.如權利要求28所述的形成半導體結構的方法，進一步包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構，其中在第二方向上，該導電墊的第一厚度與該第一接口與該第二接口之間的第一距離的比例在1到75之間。
3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構嵌入到該鈍化層和該導電墊中的嵌入部分具有柱形、倒錘形或錨形狀。
4.如權利要求3所述的半導體結構，其中該嵌入部分的導電凸塊結構包括：
5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電墊包括：
6.如權利要求5所述的半導體結構，其中該第一接口位于該導電墊的第一頂面上，且該第二接口位于該凹槽的導電墊的第一底面上。
7.如權利要求5所述的半導體結構，其中該導電凸塊結構與該第一底面、該第一側面和該第二側面接觸。
8.如權利要求5所述的半導體結構，其中該凹槽的第一底面包括平面或凹面。
9.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一側面和該第一底面之間的第一角包括尖角或圓角。
10.如權利要求3所述的半導體結構，其中該鈍化層包括：
11.如權利要求10所述的半導體結構，其中該嵌入部分與該第一突出部分和該第二突出部分相鄰。
12.如權利要求10所述的半導體結構，其中在該第一方向上，該第一突出部分的第三尺寸和該第二突出部分的第四尺寸在0.01μm和3μm之間。
13.如權利要求12所述的半導體結構，其中該第三尺寸與該第四尺寸的比例在0.03和3之間。
14.如權利要求10所述的半導體結構，其中該第一延伸部分、該第一側面和與該第一延伸部分重疊的第一底面部分形成該凹...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃震麟，楊挺立，
申請(專利權)人：聯發科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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