【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管(organic?light?emitting?transistor，簡(jiǎn)稱olet)同時(shí)具備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(organic?field-effect?transistor，簡(jiǎn)稱ofet)的電路調(diào)制功能，以及有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，簡(jiǎn)稱oled)的發(fā)光功能，理論上來說，olet能夠具有比oled更高的載流子遷移率，以及更好的發(fā)光效率和發(fā)光強(qiáng)度，其在平板顯示、光通訊、固體照明等領(lǐng)域中將存在巨大的應(yīng)用價(jià)值。
2、但目前，在olet的應(yīng)用中，仍然存在一定的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。
2、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括沿第一方向依次疊置的柵極、柵極絕緣層、源極、有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層以及漏極，所述柵極絕緣層包括沿所述第一方向依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層以及阻擋層。
3、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述隧穿層的介電常數(shù)，且所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述阻擋層的介電常數(shù)。
4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隧穿層包括sio2或高k材料。
5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電荷捕獲層包括al2o3或者sin。
6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層包括sio2或高k材料，所述
7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隧穿層的厚度范圍為1nm-30nm。
8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電荷捕獲層的厚度范圍為1nm-50nm。
9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層的厚度范圍為10nm-100nm。
10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層包括沿第一方向依次疊置的空穴注入層、發(fā)光層以及電子傳輸層。
11、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，提供一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，包括：
12、在襯底上形成柵極；
13、在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面以及所述襯底上未覆蓋柵極的至少部分表面形成柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層包括依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層以及阻擋層；
14、在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)依次形成源極、有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層以及漏極。
15、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，將傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的柵極絕緣層設(shè)置為依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層、阻擋層，即，將有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管與存儲(chǔ)器件相結(jié)合，由此可以實(shí)現(xiàn)晶體管發(fā)光和存儲(chǔ)雙重功能，豐富了有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管的功能，且簡(jiǎn)化了各器件的整體制備工藝。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括沿第一方向依次疊置的柵極、柵極絕緣層、源極、有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層以及漏極，所述柵極絕緣層包括沿所述第一方向依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層以及阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述隧穿層的介電常數(shù)，且所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述阻擋層的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述隧穿層包括SiO2或高k材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電荷捕獲層包括Al2O3或者SiN。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述阻擋層包括SiO2或高k材料，所述阻擋層與所述隧穿層的材料相同或不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述隧穿層的厚度范圍為1nm-30nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電荷捕獲層的厚度范圍為1nm-50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層包括沿第一方向依次疊置的空穴注入層、發(fā)光層以及電子傳輸層。
10.一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括沿第一方向依次疊置的柵極、柵極絕緣層、源極、有機(jī)發(fā)光功能復(fù)合層以及漏極，所述柵極絕緣層包括沿所述第一方向依次疊置的隧穿層、電荷捕獲層以及阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述隧穿層的介電常數(shù)，且所述電荷捕獲層的介電常數(shù)低于所述阻擋層的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述隧穿層包括sio2或高k材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述電荷捕獲層包括al2o3或者sin。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉啟迪，郭子棟，馬應(yīng)海，陳發(fā)祥，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：合肥維信諾科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。