【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體集成電路，特別是涉及一種電流絕對值產生電路。
技術介紹
1、在人工智能和深度學習中，計算機視覺往往需要判斷圖像像素的灰度級別。一般的處理方法是把像素的灰度轉化成對應的電壓或電流的大小加以判斷。在神經網絡的學習過程中，一般采用有指導的學習，也就是預先設定神經網絡的訓練目標，與實時測量的目標圖像對比，以加快神經網絡學習的過程。這時就需要計算實時測量的目標圖像像素與訓練目標像素之間的差別，因此亟需一種電流絕對值產生電路來實現這種任務。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題是提供一種電流絕對值產生電路，能夠將實時測量的目標圖像像素與訓練目標像素之間差別轉換成電流的差值。
2、本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是：提供一種電流絕對值產生電路，包括：
3、電流比較電路，用于根據基爾霍夫定律產生等于第二電流源和第一電流源的差值的第一電流；
4、翻轉電流比較電路，用于根據基爾霍夫定律產生等于第一電流源和第二電流源的差值的第二電流，
5、電流絕對值輸出電路，用于輸出所述第一電流或所述第二電流的絕對值。
6、所述電流比較電路包括第一pmos管，所述第一pmos管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第一輸入端相連，所述第一pmos管的源極與電壓端相連，所述第一pmos管的漏極與所述第一pmos管的柵極相連，所述第一電流源的陽極與所述第一pmos管的漏極相連，陰極與所述電壓端相連；所述第二電流源的陽極接地，陰極與所
7、所述翻轉電流比較電路包括第二pmos管，所述第二pmos管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第二輸入端相連，所述第二pmos管的源極與電壓端相連，所述第二pmos管的漏極與所述第二pmos管的柵極相連，所述第二電流源的陽極與所述第二pmos管的漏極相連，陰極與所述電壓端相連；所述第一電流源的陽極接地，陰極與所述第二pmos管的漏極相連。
8、所述電流絕對值輸出電路包括第三pmos管和第四pmos管，所述第三pmos管的柵極與所述電流比較電路相連，并與所述電流比較電路中的第一pmos管構成一個鏡像電流源，所述第三pmos管的源極與電壓端相連，所述第三pmos管的漏極與所述第四pmos管的漏極相連；所述第四pmos管的柵極與所述翻轉電流比較電路相連，并與所述翻轉電流比較電路中的第二pmos管構成另一個鏡像電流源，所述第四pmos管的源極與電壓端相連。
9、有益效果
10、由于采用了上述的技術方案，本專利技術與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：本專利技術實現了對電流絕對值的產生，讓系統在兩個不同的電流源之間產生了等于其差值的正值的電流。
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1.一種電流絕對值產生電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電流絕對值產生電路，其特征在于，所述電流比較電路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第一輸入端相連，所述第一PMOS管的源極與電壓端相連，所述第一PMOS管的漏極與所述第一PMOS管的柵極相連，所述第一電流源的陽極與所述第一PMOS管的漏極相連，陰極與所述電壓端相連；所述第二電流源的陽極接地，陰極與所述第一PMOS管的漏極相連。
3.根據權利要求1所述的電流絕對值產生電路，其特征在于，所述翻轉電流比較電路包括第二PMOS管，所述第二PMOS管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第二輸入端相連，所述第二PMOS管的源極與電壓端相連，所述第二PMOS管的漏極與所述第二PMOS管的柵極相連，所述第二電流源的陽極與所述第二PMOS管的漏極相連，陰極與所述電壓端相連；所述第一電流源的陽極接地，陰極與所述第二PMOS管的漏極相連。
4.根據權利要求1所述的電流絕對值產生電路，其特征在于，所述電流絕對值輸出電路包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PM
...【技術特征摘要】
1.一種電流絕對值產生電路，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電流絕對值產生電路，其特征在于，所述電流比較電路包括第一pmos管，所述第一pmos管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第一輸入端相連，所述第一pmos管的源極與電壓端相連，所述第一pmos管的漏極與所述第一pmos管的柵極相連，所述第一電流源的陽極與所述第一pmos管的漏極相連，陰極與所述電壓端相連；所述第二電流源的陽極接地，陰極與所述第一pmos管的漏極相連。
3.根據權利要求1所述的電流絕對值產生電路，其特征在于，所述翻轉電流比較電路包括第二pmos管，所述第二pmos管的柵極與所述電流絕對值輸出電路的第二輸入端相連，所述第二pmos管的源極與電壓端相連，所述第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳致志，陳后鵬，陳小剛，李喜，宋三年，
申請(專利權)人：中國科學院上海微系統與信息技術研究所，
類型：發明
國別省市：
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