【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體領域，尤其涉及一種外延裝置。
技術介紹
1、硅外延沉積技術是一種通過氣體化合物間化學反應生成固態物質，并且沉積在晶圓表面上的成膜方法，其能夠在單晶硅襯底上沿原晶體方向生長具有一定厚度、一定電阻率及不同導電類型的單晶硅薄膜。薄膜沉積過程中產生的副產物由設備排氣管路排入尾氣處理裝置進行燃燒和水洗后處理。
2、在實際使用過程中，硅外延沉積技術仍存在以下技術問題，例如asm?rp減壓型外延爐，其鍍金反射板為密閉性，中間沒有縫隙，導致在生產過程中，隨著做片數量的增加，容易在石英鐘罩的內壁上產生涂層。石英鐘罩內壁的涂層，一方面嚴重影響反應腔室的使用壽命，導致設備的保養維護周期縮短，增加生產成本，更嚴重的是，石英鐘罩內壁的涂層的顆粒進入到產品中，使得產品顆粒超標甚至工藝參數漂移。
3、如何提供一種外延裝置，在保障工藝溫度和參數的情況下，有效的降低石英鐘罩內壁表面的溫度，從而降低石英鐘罩內壁涂層的產生，提升設備使用壽命，延長設備的保養維護周期，提升設備利用率，提高生產效率，是亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本技術所要解決的技術問題是提供一種外延裝置，在保障工藝溫度和參數的情況下，有效的降低石英鐘罩內壁表面的溫度，從而降低石英鐘罩內壁涂層的產生。
2、為了解決上述問題，本技術提供了一種外延裝置，包括：反射板，所述反射板具有朝向一鐘罩的第一表面，所述反射板的第一表面設置有多根燈管，所述反射板上具有散熱通孔，所述散熱通孔設置在至少一個所述燈管在所述
3、在一些實施例中，所述反射板的第一表面鍍金。
4、在一些實施例中，所述反射板設置有固定所述燈管的底座，所述燈管通過螺絲鎖在反射板的第一表面。
5、在一些實施例中，所述散熱通孔垂直于所述燈管的軸線的截面的底面的寬度小于頂面的寬度。
6、在一些實施例中，所述散熱通孔為長條形，所述插塞為長條形，且所述插塞的長度小于或等于所述散熱通孔的長度。
7、在一些實施例中，所述插塞包括具有第一長度的第一插塞、以及具有第二長度的第二插塞，其中，所述第一長度大于所述第二長度。
8、在一些實施例中，所述散熱通孔內能夠插入一個所述第一插塞，或能夠插入多個所述第二插塞。
9、在一些實施例中，所述插塞的材料為石英。
10、在一些實施例中，所述散熱通孔垂直于所述燈管的軸線的截面的底面的寬度與頂面的寬度相同。
11、在一些實施例中，所述插塞包括本體和頭部，所述頭部的尺寸大于所述本體的尺寸。
12、在一些實施例中，所述反射板由包含所述散熱通孔的子反射板與不包含所述散熱通孔的子反射板拼接而成。
13、上述技術方案，提供了一種外延裝置，包括反射板以及插塞，所述反射板具有朝向一鐘罩的第一表面，并且所述反射板的第一表面設置有多根燈管，所述反射板上具有散熱通孔，所述散熱通孔設置在至少一個所述燈管在所述反射板的垂直投影的兩側，并將插塞插入所述散熱通孔內封堵所述散熱通孔，以調節所述反射板的散熱能力。通過調整所述散熱通孔內的插塞分布，使得所述反射板能夠保障所述鐘罩下面的石墨基座和晶圓的溫度滿足工藝需求的同時，使得所述鐘罩表面的溫度得到有效降低，從而減少了所述鐘罩內壁的涂層，進而提高產品的質量。
14、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本技術。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。
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1.一種外延裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述反射板的第一表面鍍金。
3.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述反射板設置有固定所述燈管的底座，所述燈管通過螺絲鎖在所述反射板的第一表面。
4.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔垂直于所述燈管的軸線的截面的底面的寬度小于頂面的寬度。
5.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔為長條形，所述插塞為長條形，且所述插塞的長度小于或等于所述散熱通孔的長度。
6.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述插塞包括具有第一長度的第一插塞、以及具有第二長度的第二插塞，其中，所述第一長度大于所述第二長度。
7.根據權利要求6所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔內能夠插入一個所述第一插塞，或能夠插入多個所述第二插塞。
8.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述插塞的材料為石英。
9.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔垂直于所述燈管的軸線
10.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述插塞包括本體和頭部，所述頭部的尺寸大于所述本體的尺寸。
11.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述反射板由包含所述散熱通孔的子反射板與不包含所述散熱通孔的子反射板拼接而成。
...【技術特征摘要】
1.一種外延裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述反射板的第一表面鍍金。
3.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述反射板設置有固定所述燈管的底座，所述燈管通過螺絲鎖在所述反射板的第一表面。
4.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔垂直于所述燈管的軸線的截面的底面的寬度小于頂面的寬度。
5.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述散熱通孔為長條形，所述插塞為長條形，且所述插塞的長度小于或等于所述散熱通孔的長度。
6.根據權利要求1所述的外延裝置，其特征在于，所述插塞包括具有第一長度的第一插塞、以及具有第二長度的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：夏歡，蔣文軍，嚴翔，閆曉暉，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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