【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體而言，涉及一種發光二極管結構及發光二極管結構的制備方法。
技術介紹
1、微型發光二極管(led)陣列具有高色彩飽和度、高對比度、響應速度快、低耗能及使用壽命長等優勢。然而在現有技術中，由于微型發光二極管(led)尺寸較小，在微型發光二極管(led)的制作過程中，通常會對發光單元的側壁造成損傷，從而影響器件性能。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種發光二極管結構及發光二極管結構的制備方法，以解決現有技術中發光二極管結構的刻蝕工藝會損傷發光單元側壁的問題。
2、為了實現上述目的，根據本專利技術的一個方面，提供了一種發光二極管結構，發光二極管結構包括：基板；多個發光單元，間隔設置于基板的一側，相鄰兩個發光單元之間具有第一間隙；第一絕緣介質層，位于基板具有發光單元的一側，第一絕緣介質層覆蓋每個發光單元的側壁，且第一絕緣介質層在相鄰兩個發光單元之間具有第二間隙，第二間隙在第一方向上的間隔小于第一間隙在第一方向上的間隔，第一方向垂直于基板和第一絕緣介質層的層疊方向；第二絕緣介質層，位于基板具有發光單元的一側，第二絕緣介質層覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側的表面，且第二絕緣介質層在相鄰發光單元之間具有第三間隙，第三間隙在第一方向上的間隔小于第二間隙在第一方向上的間隔。
3、可選地，發光二極管結構還包括：多個金屬連接部，一一對應的位于多個發光單元和基板之間。
4、可選地，發光單元和金屬連接部呈臺階結構。
5
6、可選地，發光二極管結構還包括：阻擋件，位于相鄰發光單元之間，且填充第三間隙。
7、根據本專利技術的另一方面，提供了一種上述發光二極管結構的制備方法，制備方法包括：在基板的一側形成間隔設置的多個發光單元，相鄰發光單元之間具有第一間隙；在基板具有發光單元的一側形成第一絕緣介質層，第一絕緣介質層覆蓋每個發光單元的側壁，且第一絕緣介質層在相鄰發光單元之間具有第二間隙，第二間隙在第一方向上的間隔小于第一間隙在第一方向上的間隔，第一方向垂直于基板和第一絕緣介質層的層疊方向；在基板具有發光單元的一側形成第二絕緣介質層，第二絕緣介質層覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側的表面，且第二絕緣介質層在相鄰發光單元之間具有第三間隙，第三間隙在第一方向上的間隔小于第二間隙在第一方向上的間隔。
8、可選地，形成第一絕緣介質層的步驟包括：在發光單元遠離基板的一側覆蓋第一絕緣材料層，以使第一絕緣材料層填充第一間隙；去除第一絕緣材料層中位于相鄰發光單元之間的部分第一絕緣材料，以使第一絕緣材料層中剩余的部分第一絕緣材料覆蓋發光單元的側壁，并形成第一絕緣介質層。
9、可選地，覆蓋第一絕緣材料層的步驟之后，形成第一絕緣介質層的步驟包括：采用光刻工藝對第一絕緣材料層進行第一圖形化，以形成覆蓋多個發光單元的多個第一掩膜體，多個第一掩膜體與多個發光單元一一對應，且相鄰兩個第一掩膜體之間具有第二間隙；對第一絕緣材料層進行平坦化處理，以使發光單元形成裸露的平臺化表面，且第一絕緣材料中剩余的第一絕緣材料形成第一絕緣介質層。
10、可選地，形成第二絕緣介質層的步驟包括：在發光單元遠離基板的一側覆蓋第二絕緣材料層，以使第二絕緣材料層填充第二間隙；去除第二絕緣材料層中位于相鄰發光單元之間的部分第二絕緣材料，以使第二絕緣材料層中剩余的第二絕緣材料覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側的表面，并形成第二絕緣介質層。
11、可選地，形成第二絕緣材料層的步驟之后，形成第二絕緣介質層的步驟包括：對第二絕緣材料層進行平坦化處理，以使發光單元形成裸露的平坦化表面；采用光刻工藝對第二絕緣材料層進行第二圖形化，以形成覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側表面的多個第二掩膜體，且相鄰兩個第二掩膜體之間具有第三間隙。
12、可選地，形成發光單元的步驟包括：在基板的一側形成發光功能層；對發光功能層進行第三圖形化，以在發光功能層的表面形成間隔設置的多個發光單元。
13、可選地，形成發光功能層的步驟包括：提供發光功能層，發光功能層包括層疊設置的第一摻雜層、有源層和第二摻雜層；在基板的表面形成第一金屬層；在第一摻雜層遠離第二摻雜層的一側形成第二金屬層；鍵合第一金屬層和第二金屬層，以形成發光功能層。
14、可選地，第一金屬層和第二金屬層構成金屬連接部，形成第二絕緣介質層的步驟之前，制備方法還包括：采用第一絕緣介質層作為掩膜；刻蝕金屬連接部至基板，以形成多個金屬連接部，多個金屬連接部與多個發光單元一一對應。
15、應用本專利技術的技術方案，提供了一種發光二極管結構，該發光二極管結構包括基板、多個發光單元、第一絕緣介質層和第二絕緣介質層。其中，多個發光單元間隔設置于基板的一側，且相鄰兩個發光單元之間具有第一間隙。第一絕緣介質層位于基板具有發光單元的一側，第一絕緣介質層覆蓋每個發光單元的側壁，且第一絕緣介質層在相鄰兩個發光單元之間具有第二間隙，第二間隙在第一方向上的間隔小于第一間隙在第一方向上的間隔，第一方向垂直于第一絕緣介質層的層疊方向。第二絕緣介質層位于基板具有發光單元的一側，第二絕緣介質層覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側的表面，且第二絕緣介質層在相鄰發光單元之間具有第三間隙，第三間隙在第一方向上的間隔小于第二間隙在第一方向上的間隔。基于此可以理解的是，在第一絕緣介質層中形成第二間隙的過程中，第一絕緣介質層始終覆蓋發光單元的側壁，從而第一絕緣介質層的第二間隙的形成不會對發光單元的側壁造成損傷；在第二絕緣介質層中形成第三間隙的過程中，第二絕緣介質層始終覆蓋第一絕緣介質層遠離發光單元一側的表面，從而第二絕緣介質層的第三間隙的形成不會對第一絕緣介質層造成損傷，進而更不會對發光單元的側壁造成損傷。因此，通過本申請，解決了現有技術中發光二極管結構的刻蝕工藝會損傷發光單元側壁的問題。
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1.一種發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構還包括：
3.根據權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光單元和所述金屬連接部呈臺階結構。
4.根據權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于，所述基板包括驅動電路層和間隔設置于所述驅動電路層和多個所述金屬連接部之間的多個焊盤，多個所述焊盤與多個所述金屬連接部一一對應，所述金屬連接部和所述焊盤呈T型結構。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構還包括：
6.一種如權利要求1至5中任一項所述發光二極管結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一絕緣介質層的步驟包括：
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，覆蓋所述第一絕緣材料層的步驟之后，形成所述第一絕緣介質層的步驟包括：
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，形成所述第二絕緣
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成所述第二絕緣材料層的步驟之后，形成所述第二絕緣介質層的步驟包括：
11.根據權利要求6至10中任一項所述的制備方法，其特征在于，形成所述發光單元的步驟包括：
12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，形成所述發光功能層的步驟包括：
13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層構成金屬連接部，形成所述第二絕緣介質層的步驟之前，所述制備方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構還包括：
3.根據權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光單元和所述金屬連接部呈臺階結構。
4.根據權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于，所述基板包括驅動電路層和間隔設置于所述驅動電路層和多個所述金屬連接部之間的多個焊盤，多個所述焊盤與多個所述金屬連接部一一對應，所述金屬連接部和所述焊盤呈t型結構。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構還包括：
6.一種如權利要求1至5中任一項所述發光二極管結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方士偉，王思維，
申請(專利權)人：星鑰珠海半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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