【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及離子研磨裝置。
技術介紹
1、在專利文獻1中公開了一種離子研磨裝置，該離子研磨裝置在離子源中生成等離子并引出離子，照射所引出的離子并對基板等實施加工處理。該離子研磨裝置公開例如對4英寸(φ100)基板進行加工，為了得到均勻或期望的分布的大口徑離子束，通過對離子源內的等離子分布進行電控制來控制引出離子束的分布。作為控制方法的一例，公開了使用法拉第杯測定離子束的分布狀態，根據測定結果調整施加于等離子控制電極的電壓。
2、在先技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2002-216653號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的課題
2、離子研磨裝置是用于對試樣(例如金屬、半導體、玻璃、陶瓷等)照射非聚焦離子束，通過濺射現象使試樣表面的原子以無應力彈飛，由此對其表面或剖面進行研磨的裝置。離子研磨裝置中有作為用于觀察基于掃描電子顯微鏡(sem：scanning?electronmicroscope)、透射電子顯微鏡(tem：transmission?electron?microscope)的試樣的表面或剖面的預處理裝置的裝置。對于面向這樣的預處理裝置的離子產生源，為了使結構小型化而采用有效的潘寧(pinning)方式的情況較多。
3、來自潘寧型離子源的離子束在不收斂的狀態下向試樣照射，因此試樣的離子束照射點附近的離子分布具有中心部的離子密度最高、離子密度從中心向外側變低的特性。另一方面，特別是在利用電子顯微鏡
4、關于潘寧方式離子源，已知從其結構產生并射出的離子使內部的結構部件磨損。另外，對試樣進行加工的結果是，從加工面產生并浮游的微小粒子附著于離子產生源的特別是離子射出口，成為污染的原因。由于這些因素等，如果繼續使用離子研磨裝置，則離子束的特性發生變化，進而存在試樣加工面的加工形狀的再現性降低的情況。在以量產工序管理目的進行電子顯微鏡進行的觀察的情況下，要求對多個試樣實施相同的加工，因此離子研磨裝置的加工形狀的再現性的降低有可能導致缺陷檢測精度的降低。
5、本專利技術鑒于這樣的課題，提供適合于進行觀察試樣的表面或剖面的預處理加工的離子研磨裝置的離子束調整法以及能夠調整離子束的照射條件的離子研磨裝置。
6、用于解決課題的手段
7、本專利技術的一個實施方式的離子研磨裝置具有：離子源；試樣臺，其載置通過照射來自離子源的非聚焦的離子束而加工的試樣；驅動單元，其配置在離子源與試樣臺之間，且使在第一方向上延伸的線狀的離子束測定部件在與第一方向正交的第二方向上移動；以及控制部，控制部在從離子源以第一照射條件輸出有離子束的狀態下，通過驅動單元使離子束測定部件在離子束的照射范圍內移動，通過向離子束測定部件照射離子束來測定流過離子束測定部件的離子束電流。
8、另外，作為本專利技術的另一實施方式的離子研磨裝置具有：試樣室；離子源位置調整機構，其設置于試樣室；離子源，其經由離子源位置調整機構而安裝于試樣室；試樣臺，其載置有通過照射來自離子源的非聚焦的離子束而被加工的試樣；以及控制部，控制部基于從離子源在第一照射條件下向試樣照射了離子束時的離子分布，來求出第一照射條件的調整值，離子源是潘寧型離子源，作為求出第一調整條件的調整值的參數，包含離子源的放電電壓、離子源的氣體流量、及離子源與試樣的距離中的至少一個。
9、專利技術效果
10、能夠提高離子研磨裝置的離子分布的再現性。
11、根據本說明書的描述和附圖，其他問題和新穎特征將變得清楚。
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1.一種離子研磨裝置，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種離子研磨裝...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鴨志田齊，高須久幸，上野敦史，
申請(專利權)人：株式會社日立高新技術，
類型：發明
國別省市：
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