【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜沉積，尤其涉及一種薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，以及一種半導體器件的加工裝置。
技術介紹
1、薄膜沉積設備的氣體傳輸系統中，需要同時將反應氣體和稀釋氣體的混合氣體通入反應腔室，以進行薄膜沉積。然而，由于現有技術中缺少對反應氣體和稀釋氣體的混合結構，導致反應氣體濃度不均，從而影響原子層沉積等高精度的薄膜沉積工藝中薄膜厚度分布的均勻性。
2、現有技術中采用在氣體傳輸管路中增設混氣結構，對反應氣體和稀釋氣體的混合結構進行改進。然而，這些設置在氣體傳輸管路中的混氣結構，可能由于氣體流阻過大而影響反應氣體供應的實時性，或者由于氣體流阻過小、氣體流動過快而導致混合不均勻，因而都無法達到原子層沉積等高精度的薄膜沉積工藝對供氣的實時性和薄膜厚度的均勻性的要求。
3、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種氣體緩沖罐技術，可以利用氣體緩沖罐預存反應氣體的時間，將反應氣體和稀釋氣體充分混合，再通過出氣口直接向工藝腔室提供充分混合的氣體，從而可以在保證整個工藝過程中實時供氣的同時，提升薄膜厚度的均勻性。
技術實現思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認出所有方面的關鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個或多個方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細的描述之前序。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種薄膜沉積工藝
3、具體來說，根據本專利技術第一方面提供的薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，位于氣源與工藝腔室之間。所述氣體緩沖罐中包括：罐體，包括進氣口及出氣口，用于預存目標氣壓的混合氣體，以定量、恒壓地向所述工藝腔室提供所述混合氣體；以及緩沖組件，設置在所述罐體內部，并位于所述進氣口與所述出氣口之間，用于徑向和/或周向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑，以在所述出口端獲得所述薄膜沉積工藝所需的混合氣體。
4、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述緩沖組件包括多個緩沖元件，其中，各所述緩沖元件之間保持預設的第一距離。
5、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述緩沖元件包括螺旋葉片，用于周向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑。
6、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，相鄰的各所述螺旋葉片的旋轉方向互為反向。
7、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述緩沖元件包括腰型管，用于徑向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑。
8、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述緩沖組件的進氣端和出氣端分別接觸所述氣體緩沖罐的所述進氣口和所述出氣口，或者所述緩沖組件的進氣端與所述氣體緩沖罐的所述進氣口保持預設的第二距離，或者所述緩沖組件的出氣端與所述氣體緩沖罐的所述出氣口保持預設的第三距離。
9、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述的氣體緩沖罐還包括：密封截斷閥，設于所述罐體的進氣口和/或出氣口，用于對所述罐體進行密封；以及閥開關，用于開啟或關閉所述密封截斷閥。
10、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述的氣體緩沖罐還包括：壓力表，用于檢測所述罐體內的所述混合氣體的氣壓；響應閥，設于所述氣體緩沖罐與所述工藝腔室之間的氣體管道；以及控制器，其被配置為：經由所述壓力表獲取所述罐體內的所述混合氣體的氣壓；以及響應于所述壓強達到預設的閾值，開啟所述響應閥，以將所述混合氣體定量、恒壓地導入所述反應腔室。
11、此外，根據本專利技術第二方面提供的半導體器件的加工裝置包括：工藝腔室，用于對所述半導體器件進行加工工藝；氣源，用于提供所述加工工藝所需的至少一種混合氣體；以及如第一方面提供的薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，位于所述氣源與所述工藝腔室之間，以定量、恒壓地向所述工藝腔室提供所述混合氣體。
12、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述加工裝置包括多個所述氣源和對應數量的多個所述氣體緩沖罐，其中，第一氣源包括前驅體儲液罐、載氣源及第一稀釋氣源，所述載氣源向所述前驅體儲液罐通入載氣，以形成攜帶前驅體的氣溶膠，所述第一稀釋氣源提供的第一稀釋氣體與所述氣溶膠一同通入第一氣體緩沖罐的進氣口，再經由所述第一氣體緩沖罐的出氣口，定量、恒壓地通入所述反應腔室，第二氣源包括反應氣源及第二稀釋氣源，所述第二稀釋氣源提供的第二稀釋氣體與所述反應氣體一同通入第二氣體緩沖罐的進氣口，再經由所述第二氣體緩沖罐的出氣口，定量、恒壓地通入所述反應腔室。
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1.一種薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，位于氣源與工藝腔室之間，其特征在于，所述氣體緩沖罐中包括：
2.如權利要求1所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖組件包括多個緩沖元件，其中，各所述緩沖元件之間保持預設的第一距離。
3.如權利要求2所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖元件包括螺旋葉片，用于周向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑。
4.如權利要求3所述的氣體緩沖罐，其特征在于，相鄰的各所述螺旋葉片的旋轉方向互為反向。
5.如權利要求2所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖元件包括腰型管，用于徑向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑。
6.如權利要求1所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖組件的進氣端和出氣端分別接觸所述氣體緩沖罐的所述進氣口和所述出氣口，或者
7.如權利要求1所述的氣體緩沖罐，其特征在于，還包括：
8.如權利要求7所述的氣體緩沖罐，其特征在于，還包括：
9.一種半導體器件的加工裝置，其特征在于，包括：
10.
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，位于氣源與工藝腔室之間，其特征在于，所述氣體緩沖罐中包括：
2.如權利要求1所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖組件包括多個緩沖元件，其中，各所述緩沖元件之間保持預設的第一距離。
3.如權利要求2所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖元件包括螺旋葉片，用于周向地改變從所述進氣口流入的多種輸入氣體在所述罐體內部的傳輸路徑。
4.如權利要求3所述的氣體緩沖罐，其特征在于，相鄰的各所述螺旋葉片的旋轉方向互為反向。
5.如權利要求2所述的氣體緩沖罐，其特征在于，所述緩沖...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫萌萌，潘英豪，馮嘉恒，劉英明，楊天奇，趙郁晗，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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