【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及柵極，特別是一種隱埋分裂型柵極及場效應晶體管。
技術介紹
1、目前在電源管理電路領域，無論時ac/dc電源管理類ic，led驅動類ic，已或是高壓柵驅動類ic，采用ldmos、vdmos、亦或隱埋柵場效應晶體管，亦或是分裂柵場效應晶體管等做為末級功率驅動晶體管，而ldmos屬于表面晶體管類型，隨著驅動電流的增加，晶體管面積也越來越大，而vdmos雖然屬于縱向晶體管類型，但是由于體區的存在，從而做為功率驅動的晶體管導通電阻增加，影響了整體電路的工作效率，隱埋柵場效應晶體管，由于深槽內源多晶上方全部填充控制柵多晶，柵源電容太大，而分裂柵場效晶體管，由于多晶周圍全部填充控制柵多晶，因此柵源電容更大，同時無論是ldmos，亦或是vdmos，都存在較大的柵漏寄生電容及米勒電容，以上器件類型均不利于開關損耗的降低，從而增加了晶體管的開關損耗，降低了整個電路系統的工作效率。
技術實現思路
1、本申請提供一種隱埋分裂型柵極及場效應晶體管，解決上述問題。
2、本專利技術提供如下技術方案：一種隱埋分裂型柵極，包括深槽以及位于深槽內的下部的作為源極場板的隱埋型多晶硅層以及位于深槽內的上部的作為控制柵極的沿橫向截面為環形的控制柵多晶硅層，控制柵多晶硅層與深槽的外壁之間具有沿橫向截面為環形的絕緣柵介質層，所述隱埋型多晶硅層與所述控制柵多晶硅層之間的橫向的最小距離為a，0μm≤a≤0.5μm，縱向的最小距離為b，0μm≤b≤0.5μm；所述隱埋型多晶硅層的橫向的尺寸為c，0.1μm≤
3、源極場板和控制柵極之間沒有正對的面，從而降低了米勒電容。
4、一種具有上述的隱埋分裂型柵極的場效應晶體管，包括由下到上依次堆疊的第一金屬層、襯底層、埋層、外延層和介質絕緣層，所述外延層內的上部具有隱埋分裂型柵極，所述隱埋分裂型柵極的兩側的外延層內的上部具有對稱設置的第一阱區和第二阱區，所述第一阱區內的上部具有沿水平方向從左向右依次排列的第一擴散區和第二擴散區，所述第二阱區內的上部具有沿水平方向從左向右依次排列的第三擴散區和第四擴散區；所述第一擴散區和第二擴散區通過第二金屬層引出，所述控制柵多晶硅層通過第三金屬層引出，所述第三擴散區和第四擴散區通過第四金屬層引出。
5、進一步地，所述襯底層為p型襯底層，所述埋層為n+型埋層，所述外延層為n型外延層，所述第一阱區和第二阱區為p型阱區，所述第一擴散區和第四擴散區為p+擴散區，所述第二擴散區和第三擴散區為n+擴散區。
6、進一步地，所述襯底層為n型襯底層，所述埋層為p+型埋層，所述外延層為p型外延層，所述第一阱區和第二阱區為n型阱區，所述第一擴散區和第四擴散區為n+擴散區，所述第二擴散區和第三擴散區為p+擴散區。
7、進一步地，所述第一金屬層和襯底層之間還具有p+背面襯底層，從而形成n溝道絕緣柵雙極型晶體管。
8、所述隱埋型多晶硅層為n+或p+摻雜，控制柵多晶硅層為n+或p+摻雜或n+和p+交替摻雜，其目的是為了導電，并且n+和p+交替摻雜可以提高耐壓。
9、本專利技術的有益效果如下：
10、通過對深槽以及深槽內的隱埋型多晶硅層和控制柵多晶硅層的尺寸及相互之間的位置、距離控制，減小了米勒電容，降低了開關損耗，從而提高電路系統的工作效率。
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1.一種隱埋分裂型柵極，其特征在于，包括深槽以及位于深槽內的下部的作為源極場板的隱埋型多晶硅層以及位于深槽內的上部的作為控制柵極的沿橫向截面為環形的控制柵多晶硅層，控制柵多晶硅層與深槽的外壁之間具有沿橫向截面為環形的絕緣柵介質層，所述隱埋型多晶硅層與所述控制柵多晶硅層之間的橫向的最小距離為a，0μm≤a≤0.5μm，縱向的最小距離為b，0μm≤b≤0.5μm；所述隱埋型多晶硅層2的橫向的尺寸為c，0.1μm≤c≤1μm，縱向的尺寸為d，0.1μm≤d≤20μm；所述控制柵多晶硅層的橫向的環形的厚度尺寸為e，0.05μm≤e≤0.5μm，縱向的尺寸為f，0.2μm≤f≤2μm；深槽的寬度方向為橫向，深槽的深度方向為縱向，同時垂直于橫向和縱向的方向為深槽的厚度方向，槽深D為0.4μm~25μm。
2.一種具有權利要求1所述的隱埋分裂型柵極的場效應晶體管，其特征在于，包括由下到上依次堆疊的第一金屬層、襯底層、外延層和介質絕緣層，所述外延層內的上部具有隱埋分裂型柵極，所述隱埋分裂型柵極的兩側的外延層內的上部具有對稱設置的第一阱區和第二阱區，所述第一阱區內的上部具有沿水平方向從
3.根據權利要求2所述的場效應晶體管，其特征在于，所述襯底層為N+型襯底層，所述外延層為N型外延層，所述第一阱區和第二阱區為P型阱區，所述第一擴散區和第四擴散區為P+擴散區，所述第二擴散區和第三擴散區為N+擴散區。
4.根據權利要求2所述的場效應晶體管，其特征在于，所述襯底層為P+型襯底層，所述外延層為P型外延層，所述第一阱區和第二阱區為N型阱區，所述第一擴散區和第四擴散區為N+擴散區，所述第二擴散區和第三擴散區為P+擴散區。
5.根據權利要求3所述的場效應晶體管，其特征在于，所述第一金屬層和襯底層之間還具有P+背面襯底層，從而形成N溝道絕緣柵雙極型晶體管。
...【技術特征摘要】
1.一種隱埋分裂型柵極，其特征在于，包括深槽以及位于深槽內的下部的作為源極場板的隱埋型多晶硅層以及位于深槽內的上部的作為控制柵極的沿橫向截面為環形的控制柵多晶硅層，控制柵多晶硅層與深槽的外壁之間具有沿橫向截面為環形的絕緣柵介質層，所述隱埋型多晶硅層與所述控制柵多晶硅層之間的橫向的最小距離為a，0μm≤a≤0.5μm，縱向的最小距離為b，0μm≤b≤0.5μm；所述隱埋型多晶硅層2的橫向的尺寸為c，0.1μm≤c≤1μm，縱向的尺寸為d，0.1μm≤d≤20μm；所述控制柵多晶硅層的橫向的環形的厚度尺寸為e，0.05μm≤e≤0.5μm，縱向的尺寸為f，0.2μm≤f≤2μm；深槽的寬度方向為橫向，深槽的深度方向為縱向，同時垂直于橫向和縱向的方向為深槽的厚度方向，槽深d為0.4μm~25μm。
2.一種具有權利要求1所述的隱埋分裂型柵極的場效應晶體管，其特征在于，包括由下到上依次堆疊的第一金屬層、襯底層、外延層和介質絕緣層，所述外延層內的上部具有隱埋分裂型柵極，所述隱埋分裂型柵極的兩側的外延層內的上...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張占龍，宋賓，丁一，
申請(專利權)人：杭州致善微電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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