【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體裝置的領域，特別是涉及一種具有不對稱剖面的氧化層的半導體元件及其制作方法。
技術介紹
1、在中高壓集成電路的制造中，常使用雙擴散漏極金屬氧化物半導體場效晶體管(double-diffusion?drain?mos,dddmos)來提供較大的輸出電流。然而，當操作電壓較高時，dddmos容易產生柵極引發漏極漏電流(gate?induced?drain?leakage,gidl)的現象，而使dddmos的應用大受限制。
2、因此，如何改良dddmos的結構及制作方法，使其能降低gidl發生的機率，遂為相關業者的重要課題。
技術實現思路
1、本專利技術的一目的在于提供一種半導體元件及其制作方法，以解決上述問題。
2、依據本專利技術一實施方式是提供一種半導體元件，包含一第一氧化層以及一柵極結構。第一氧化層設置于一基底上。柵極結構設置于第一氧化層上，其中柵極結構包含一柵極以及一間隙壁，間隙壁圍繞柵極，第一氧化層包含一暴露段未被柵極結構覆蓋，第一氧化層于柵極正下方的厚度固定，且第一氧化層于柵極正下方的厚度大于暴露段的厚度。
3、依據本專利技術另一實施方式是提供一種半導體元件的制作方法，包含以下步驟。進行一熱氧化制作工藝，以于一基底上形成一氧化層，其中氧化層包含一第一氧化層以及一第二氧化層，第一氧化層的厚度大于第二氧化層的厚度。形成一柵極結構于氧化層上，其中柵極結構局部覆蓋第一氧化層，而使第一氧化層包含一暴露段未被柵極結構覆蓋。移除暴露段的
4、相較于現有技術，本專利技術通過第一氧化層包含一暴露段未被柵極結構覆蓋，而使第一氧化層具有不對稱剖面，有利于增大柵極結構與漏極區之間的距離，而有利于降低gidl發生的機率，使半導體元件可承受較高的電壓并具有省電的優勢，進而有利于擴大其應用范圍。
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1.一種半導體元件，包含：
2.如權利要求1所述的半導體元件，還包含：
3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第二輕摻雜漏極區位于該暴露段的下方，且該第二輕摻雜漏極區的寬度大于該第一輕摻雜漏極區的寬度。
4.如權利要求2所述的半導體元件，還包含：
5.如權利要求4所述的半導體元件，其中該漏極區的一部分位于該暴露段的下方且與該柵極結構的外側邊緣切齊。
6.如權利要求4所述的半導體元件，其中該第一輕摻雜漏極區包圍該源極區，且該第二輕摻雜漏極區包圍該漏極區。
7.如權利要求1所述的半導體元件，其中該暴露段的寬度與該間隙壁的側壁的寬度比值大于或等于2。
8.如權利要求1所述的半導體結構，還包含：
9.如權利要求8所述的半導體結構，其中一該鳥嘴結構位于該間隙壁的側壁的下方，另一該鳥嘴結構位于該間隙壁的另一側壁的外側。
10.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一氧化層遠離該暴露段的一側與該柵極的側表面切齊。
11.一種制作半導體元件的方法，包含：
12.如
13.如權利要求12所述的方法，在形成該圖案化材料層于該基底上之前，還包含：
14.如權利要求13所述的方法，其中該第二輕摻雜漏極區位于該暴露段的下方，且該第二輕摻雜漏極區的寬度大于該第一輕摻雜漏極區的寬度。
15.如權利要求14所述的方法，還包含：
16.如權利要求15所述的方法，其中該漏極區的一部分位于該暴露段的下方且與該柵極結構的外側邊緣切齊。
17.如權利要求15所述的方法，其中該第一輕摻雜漏極區包圍該源極區，且該第二輕摻雜漏極區包圍該漏極區。
18.如權利要求11所述的方法，其中形成該柵極結構于該氧化層上包含：
19.如權利要求18所述的方法，其中該暴露段的寬度與該間隙壁的側壁的寬度的比值大于或等于2。
20.如權利要求18所述的方法，其中該氧化層還包含二鳥嘴結構分別一體延伸于該第一氧化層的兩側，且該二鳥嘴結構與該柵極于垂直方向上不重疊。
21.如權利要求20所述的方法，其中一該鳥嘴結構位于該間隙壁的側壁的下方，另一該鳥嘴結構位于該間隙壁的另一側壁的外側。
22.如權利要求18所述的方法，其中該第一氧化層遠離該暴露段的一側與該柵極的側表面切齊。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體元件，包含：
2.如權利要求1所述的半導體元件，還包含：
3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第二輕摻雜漏極區位于該暴露段的下方，且該第二輕摻雜漏極區的寬度大于該第一輕摻雜漏極區的寬度。
4.如權利要求2所述的半導體元件，還包含：
5.如權利要求4所述的半導體元件，其中該漏極區的一部分位于該暴露段的下方且與該柵極結構的外側邊緣切齊。
6.如權利要求4所述的半導體元件，其中該第一輕摻雜漏極區包圍該源極區，且該第二輕摻雜漏極區包圍該漏極區。
7.如權利要求1所述的半導體元件，其中該暴露段的寬度與該間隙壁的側壁的寬度比值大于或等于2。
8.如權利要求1所述的半導體結構，還包含：
9.如權利要求8所述的半導體結構，其中一該鳥嘴結構位于該間隙壁的側壁的下方，另一該鳥嘴結構位于該間隙壁的另一側壁的外側。
10.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一氧化層遠離該暴露段的一側與該柵極的側表面切齊。
11.一種制作半導體元件的方法，包含：
12.如權利要求11所述的方法，在進行該熱氧化制作工藝之前，還包含：
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李信宏，何承育，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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