【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及一種發(fā)光裝置及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、led芯片由于可靠性高、壽命長、功耗低的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于顯示裝置、車輛用燈具、普通照明燈等多個領(lǐng)域，例如，led芯片可作為各種顯示裝置的背光光源。目前，微小芯片(micro-led芯片，一般小于100nm)的尺寸太小，抓取芯片固定在顯示面板上工藝較為困難。因此，采取將rgb三顆芯片形成為一個單元像素封裝體，這樣抓取單元像素進(jìn)行貼片固定至顯示面板上時，工藝較為簡單。
2、然而，現(xiàn)有單元像素封裝體也存在一些有待解決的問題。例如，隨著單元像素趨向微型化，對單元像素固定至顯示基板上時的難度加大；單元像素封裝體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)置不合理會導(dǎo)致單元像素發(fā)光強(qiáng)度的降低或者是存在出光損失問題；單元像素封裝體內(nèi)部發(fā)光元件出光角度較小導(dǎo)致整個封裝體的出光不均勻等。上述問題，嚴(yán)重影響單元像素的出光效率、可靠性以及良率等，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供一種發(fā)光裝置及顯示裝置，以提高單元像素的轉(zhuǎn)移良率，發(fā)光效果以及可靠性。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供一種發(fā)光裝置，包括：
3、多個發(fā)光元件，多個發(fā)光元件間隔設(shè)置；
4、布線層，形成于多個發(fā)光元件上，并與發(fā)光元件電連接；
5、絕緣層，形成于布線層上，絕緣層的邊緣具有多個缺口部，每個缺口部至少暴露出發(fā)光裝置的部分邊緣，缺口部的邊緣與發(fā)光裝置的
6、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，本專利技術(shù)還提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括：
7、顯示基板；
8、至少一個發(fā)光裝置，設(shè)置于顯示基板的表面，發(fā)光裝置與顯示基板形成電性連接，發(fā)光裝置為上述的發(fā)光裝置。
9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)所述的發(fā)光裝置以及顯示裝置至少具備如下有益效果：
10、本專利技術(shù)中發(fā)光裝置包括多個發(fā)光元件、布線層及絕緣層。多個發(fā)光元件間隔設(shè)置。布線層形成于多個發(fā)光元件上，并與每個發(fā)光元件電連接。絕緣層形成于布線層上，絕緣層的邊緣具有多個缺口部，每個缺口部至少暴露出發(fā)光裝置的部分邊緣，缺口部的邊緣與發(fā)光裝置的邊緣之間具有一最小距離，最小距離小于120μm。由于缺口部至少暴露出發(fā)光裝置的部分邊緣，進(jìn)而絕緣層的表面沒有形成凹陷，在對整個發(fā)光裝置進(jìn)行轉(zhuǎn)移時，發(fā)光裝置與藍(lán)膜之間不會產(chǎn)生負(fù)壓，進(jìn)而本實(shí)施例的發(fā)光裝置能夠提高轉(zhuǎn)移效率以及器件良率。
11、本專利技術(shù)所述的顯示裝置包括上述任一所述的發(fā)光裝置，同樣具備上述技術(shù)效果。
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1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述布線層包括第一部分和第二部分，所述第一部分被所述絕緣層覆蓋，所述第二部分被所述絕緣層的所述缺口部露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括保護(hù)電極，所述保護(hù)電極形成于所述布線層的第二部分上，且與所述布線層形成電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)電極的厚度小于所述絕緣層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)電極的面積小于所述布線層的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層具有與所述發(fā)光裝置齊平的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括透明層，所述多個發(fā)光元件間隔設(shè)置在所述透明層上，所述絕緣層在所述透明層上的投影面積占所述透明層的面積比例為0.4～0.8。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括透明層，所述多個發(fā)光元件間隔設(shè)置在所述透明層上，多個所述絕
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，每個所述保護(hù)電極包括四個側(cè)壁，依次分別為第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離所述發(fā)光裝置的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層包括兩個間隔設(shè)置的缺口部，每個所述缺口部內(nèi)暴露有兩個保護(hù)電極，所述兩個保護(hù)電極在所述缺口部內(nèi)間隔設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的第二側(cè)壁，以使所述絕緣層呈“|”字型。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的所述第二側(cè)壁，且至少部分覆蓋于所述第二側(cè)壁相鄰的第三側(cè)壁，以使所述絕緣層呈“工”字型。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層包括四個間隔設(shè)置的缺口部，每個所述缺口部內(nèi)暴露有一個所述保護(hù)電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的第一側(cè)壁及第二側(cè)壁，以使所述絕緣層呈“十”字型。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的第一側(cè)壁及第二側(cè)壁，且自所述第一側(cè)壁延伸至所述第四側(cè)壁上，至少部分覆蓋所述第四側(cè)壁；自所述第二側(cè)壁延伸至所述第三側(cè)壁上，且至少部分覆蓋所述第三側(cè)壁。
16.根據(jù)權(quán)利要求11、12、14或者15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層還覆蓋每個所述保護(hù)電極的部分表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述多個發(fā)光元件包括第一發(fā)光元件、第二發(fā)光元件以及第三發(fā)光元件，所述第一發(fā)光元件為紅光發(fā)光元件，第二發(fā)光元件為綠光發(fā)光元件，第三發(fā)光元件為藍(lán)光發(fā)光元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括第一邊、第二邊、第三邊及第四邊，所述第一邊和第三邊相對設(shè)置，所述第二邊和第四邊相對設(shè)置，所述第二邊的長度大于所述第一邊的長度，沿所述第二邊的延伸方向上，相鄰兩個保護(hù)電極之間的距離大于40μm。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置，其特征在于，每個所述缺口部包括第一邊緣和第二邊緣，所述缺口部的第一邊緣與所述第二邊平行設(shè)置，所述缺口部的第二邊緣與所述第一邊平行設(shè)置，所述第一邊緣至所述第二邊的最小距離與所述第一邊的比例為0.1～0.5，所述第二邊緣至所述第一邊的最小距離與所述第二邊的長度之比為0.3～0.6。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置，其特征在于，沿所述第二邊的延伸方向上，相鄰兩個保護(hù)電極之間的距離為40μm～100μm。
21.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述布線層的材料為鈦、銅或者是鈦銅合金，所述保護(hù)電極的材料為錫、金或者錫金合金。
23.一種顯示裝置，其特征在于，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述布線層包括第一部分和第二部分，所述第一部分被所述絕緣層覆蓋，所述第二部分被所述絕緣層的所述缺口部露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括保護(hù)電極，所述保護(hù)電極形成于所述布線層的第二部分上，且與所述布線層形成電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)電極的厚度小于所述絕緣層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)電極的面積小于所述布線層的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層具有與所述發(fā)光裝置齊平的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括透明層，所述多個發(fā)光元件間隔設(shè)置在所述透明層上，所述絕緣層在所述透明層上的投影面積占所述透明層的面積比例為0.4～0.8。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括透明層，所述多個發(fā)光元件間隔設(shè)置在所述透明層上，多個所述絕緣層的缺口部在所述透明層上的投影面積占所述透明層的面積比例為0.2～0.6。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，每個所述保護(hù)電極包括四個側(cè)壁，依次分別為第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離所述發(fā)光裝置的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層包括兩個間隔設(shè)置的缺口部，每個所述缺口部內(nèi)暴露有兩個保護(hù)電極，所述兩個保護(hù)電極在所述缺口部內(nèi)間隔設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的第二側(cè)壁，以使所述絕緣層呈“|”字型。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣層完全覆蓋每個所述保護(hù)電極的所述第二側(cè)壁，且至少部分覆蓋于所述第二側(cè)壁相鄰的第三側(cè)壁，以使所述絕緣層呈“工”字型。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述絕緣...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳偉鴻，林振瑞，時軍朋，曾智洋，楊顯鏡，余長志，徐宸科，王杰凌，
申請(專利權(quán))人：湖北三安光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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