【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件，具體涉及一種發光裝置及顯示裝置。
技術介紹
1、led芯片由于可靠性高、壽命長、功耗低的特點，廣泛應用于顯示裝置、車輛用燈具、普通照明燈等多個領域，例如，led芯片可作為各種顯示裝置的背光光源。目前，微小芯片(micro-led芯片，一般小于100nm)的尺寸太小，抓取芯片固定在顯示面板上工藝較為困難。因此，采取將rgb三顆芯片形成為一個單元像素封裝體，這樣抓取單元像素進行貼片固定至顯示面板上時，工藝較為簡單。
2、然而，現有單元像素封裝體也存在一些有待解決的問題。例如，隨著單元像素趨向微型化，對單元像素固定至顯示基板上時的難度加大；單元像素封裝體內部結構的設置不合理會導致單元像素發光強度的降低或者是存在出光損失問題；單元像素封裝體內部發光元件出光角度較小導致整個封裝體的出光不均勻等。上述問題，嚴重影響單元像素的出光效率、可靠性以及良率等，是本領域技術人員亟需解決的問題。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種發光裝置及顯示裝置，以進一步提高發光裝置的出光率。
2、為了實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種發光裝置，包括：
3、多個發光元件，多個發光元件間隔設置；
4、填充層，設置于相鄰發光元件之間，以填充相鄰發光元件之間的間隙；填充層包括第一填充結構，第一填充結構至少設置于每個發光元件的側壁處，且第一填充結構包括第一子層和形成在第一子層上的第二子層，第一子層的厚度
5、布線層，設置于多個發光元件及填充于相鄰發光元件的填充層上，布線層與每個發光元件電性連接；
6、絕緣層，形成于布線層上。
7、根據本專利技術的另一個方面，本專利技術還提供一種顯示裝置，包括：
8、顯示基板；
9、至少一個發光裝置，設置于顯示基板的表面，發光裝置與顯示基板形成電性連接，發光裝置為上述的發光裝置。
10、與現有技術相比，本專利技術所述的發光裝置以及顯示裝置至少具備如下有益效果：
11、本專利技術發光裝置中在相鄰發光元件之間形成有填充層，該填充層包括第一填充結構，該第一填充結構至少設置于每個發光元件的側壁處，第一填充結構包括第一子層以及形成在第一子層上的第二子層，第一子層的厚度小于第二子層的厚度。其中，第一子層能夠吸收來自相鄰發光元件發出的光，避免相鄰發光元件之間產生光串擾，同時與第二子層形成較好的對比度。第二子層能夠反射發光元件側壁處的光至出光方向，同樣能夠避免相鄰發光元件之間的光串擾。同時，由于第二子層的存在，也能夠提高發光裝置的對比度，有利于顯示效果的提升。
12、本專利技術所述的顯示裝置包括上述任一所述的發光裝置，同樣具備上述技術效果。
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1.一種發光裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一填充結構形成為整個所述填充層，所述第一填充結構自一個發光元件的側壁處延伸至相鄰發光元件的側壁處。
3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述填充層還包括第二填充結構，所述第二填充結構與所述發光元件的側壁之間具有一間隙，所述第一填充結構填充于所述間隙內。
4.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于，所述第二填充結構的材料與所述第一子層的材料相同。
5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一子層的厚度與所述第二子層的厚度的比值為0.2～1。
6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第二子層為反光層。
7.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述反光層為DBR反射層或者白色反光材料層。
8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一子層含有黑色填充成分，所述黑色填充成分包括炭黑、氮化鈦、氧化鐵、四氧化三鐵或者鐵粉中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的發光
10.根據權利要求9所述的發光裝置，其特征在于，所述黑色吸光材料層含有黑色填充成分，所述黑色填充成分包括炭黑、氮化鈦、氧化鐵、四氧化三鐵或者鐵粉中的至少一種。
11.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光裝置還包括：
12.根據權利要求11所述的發光裝置，其特征在于，所述粘合層的材料為環氧樹脂。
13.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述多個發光元件包括第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件，所述第一發光元件為紅光發光元件，第二發光元件為綠光發光元件，第三發光元件為藍光發光元件。
14.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述布線層包括：
15.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述布線層的材料為鈦、銅或者是鈦銅合金。
16.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光裝置還包括：
17.根據權利要求16所述的發光裝置，其特征在于，所述保護電極的材料為錫、金或者錫金合金。
18.一種顯示裝置，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種發光裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一填充結構形成為整個所述填充層，所述第一填充結構自一個發光元件的側壁處延伸至相鄰發光元件的側壁處。
3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述填充層還包括第二填充結構，所述第二填充結構與所述發光元件的側壁之間具有一間隙，所述第一填充結構填充于所述間隙內。
4.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于，所述第二填充結構的材料與所述第一子層的材料相同。
5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一子層的厚度與所述第二子層的厚度的比值為0.2～1。
6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第二子層為反光層。
7.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述反光層為dbr反射層或者白色反光材料層。
8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一子層含有黑色填充成分，所述黑色填充成分包括炭黑、氮化鈦、氧化鐵、四氧化三鐵或者鐵粉中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊顯鏡，時軍朋，林振瑞，曾智洋，陳偉鴻，余長志，徐宸科，王杰凌，
申請(專利權)人：湖北三安光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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