【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示，更具體地，涉及一種發光器件及其制備方法、以及顯示裝置。
技術介紹
1、疊層發光器件將至少兩個發光單元串聯在一起，實現在相同亮度下器件所需的電流密度降低，從而提升器件的壽命，因此是當前發光器件壽命提升的一個重要方向。在疊層發光器件中，一部分載流子由驅動電壓提供，另一部分載流子在電荷產生層中生成。目前主流的電荷產生層中通常采用金屬氧化物作為載流子注入層，但其具有較差的穩定性，在使用溶液法制備其他膜層時，容易與之發生化學反應，導致其電學特性發生改變，進而影響器件性能。
技術實現思路
1、基于此，本申請實施例在于提供一種發光器件及其制備方法、以及顯示裝置。
2、為了解決上述技術問題，本申請實施例提供一種發光器件，采用了如下所述的技術方案：
3、一種發光器件，包括依次層疊設置的第一電極、第一發光單元、電荷產生單元、第二發光單元和第二電極；
4、所述電荷產生單元包括層疊設置的載流子注入層和載流子產生層，所述載流子注入層靠近所述第一發光單元設置，所述載流子產生層靠近所述第二發光單元設置；
5、所述載流子注入層的材料包括n型石墨烯。
6、進一步地，所述n型石墨烯為n型石墨烯量子點；和/或
7、所述n型石墨烯的平均粒徑小于20nm；和/或
8、所述載流子產生層的透光率大于70％；和/或
9、所述載流子注入層的透光率大于70％；和/或
10、所述載流子注入層與所述載流子產生層的厚
11、進一步地，所述載流子產生層的可透過光的峰值波長為380～780nm；和/或
12、所述載流子注入層的可透過光的峰值波長為440～650nm；和/或
13、所述n型石墨烯量子點包括n型石墨烯量子點和摻雜n型石墨烯量子點的至少一種；所述摻雜n型石墨烯量子點包括摻雜有n原子的n型石墨烯量子點、摻雜有s原子的n型石墨烯量子點中的至少一種；
14、所述摻雜有n原子的n型石墨烯量子點中，所述n原子與所述n型石墨烯量子點的質量比為(1:20)～(1:100)；和/或
15、所述摻雜有s原子的n型石墨烯量子點中，所述s原子與所述n型石墨烯量子點的質量比為(1:20)～(1:100)。
16、進一步地，所述載流子注入層的材料還包括修飾劑。
17、進一步地，所述n型石墨烯與所述修飾劑的質量比選自1:0～1:1；和/或
18、所述修飾劑為脂肪胺修飾劑，所述脂肪胺修飾劑選自聚乙烯亞胺、聚乙氧基乙烯亞胺、聚醚胺中的至少一種；和/或
19、所述修飾劑的質均分子量mw>1000。
20、進一步地，所述載流子產生層的材料為p型半導體材料或n型半導體材料；
21、所述載流子產生層的材料為p型半導體材料時，所述載流子產生層與所述載流子注入層之間形成p-n異質結；或者
22、所述載流子產生層的材料為n型半導體材料時，所述載流子產生層與所述第二發光單元之間形成p-n異質結。
23、進一步地，所述p型半導體材料包括主體材料和客體材料，所述的主體材料選自pedot、tfb、poly-tpd、vnpb、ptaa、1f-ptaa、vb-fnpd、qupd、otpd、cuscn、nio中的至少一種；所述客體材料選自moo3納米顆粒、wo3納米顆粒、乙醇鉬、乙醇鎢、磷鉬酸、磷鎢酸、偏釩酸銨、偏鎢酸銨、鉬酸銨、硫酸、苯磺酸、五氟苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、fecl3、ascl3、sbcl5、aucl3、bcf、magic-blue、hatcn、f6tcnq、cn6-cp、ndp-9、mo(tfd)3、mo(tfd-cocf3)3、mo(tfd-co2me)3中的至少一種；或，
24、所述n型半導體材料選自moo3納米顆粒、wo3納米顆粒、乙醇鉬、乙醇鎢、磷鉬酸、磷鎢酸、偏釩酸銨、偏鎢酸銨、鉬酸銨、hatcn、f6tcnq、cn6-cp、ndp-9中的一種；和/或
25、所述n型半導體材料的lumo能級絕對值≥4.5ev。
26、進一步地，所述第一發光單元包括第一發光層，所述第一發光層一側靠近所述第一電極，另一側靠近所述載流子注入層；和/或
27、所述第二發光單元包括第二發光層，所述第二發光層一側靠近所述載流子產生層，另一側靠近所述第二電極；和/或
28、所述第一發光單元還包括第一空穴功能層和/或第一電子功能層，所述第一空穴功能層設于所述第一電極與所述發光層之間，所述第一電子功能層設于所述發光層與所述載流子注入層之間；和/或
29、所述第二發光單元還包括第二空穴功能層和/或第二電子功能層，所述第二空穴功能層設于所述載流子產生層與所述第二發光層之間，所述第二電子功能層設于所述第二發光層與第二電極之間。
30、為了解決上述技術問題，本申請實施例提供一種發光器件的制備方法，采用了如下所述的技術方案：
31、一種發光器件的制備方法，包括以下步驟：
32、提供發光器件預制件，所述發光器件預制件包括依次設置的第一電極和第一發光單元；
33、在所述第一發光單元上設置載流子注入材料溶液，制備載流子注入層；
34、在所述載流子注入層上制備載流子產生層；
35、在所述載流子產生層上依次制備第二發光單元和第二電極，得到發光器件；
36、其中，所述載流子注入材料溶液包括載流子注入材料，所述載流子注入材料包括n型石墨烯。
37、進一步地，所述在所述第一發光單元上設置載流子注入材料溶液，制備載流子注入層的步驟，具體包括：
38、在所述第一發光單元上設置載流子注入材料溶液，得到第一前驅薄膜；
39、對所述第一前驅薄膜進行第一退火處理，得到所述載流子注入層；和/或
40、所述在所述載流子注入層上制備載流子產生層的步驟，具體包括：
41、在所述載流子注入層上設置載流子產生材料溶液，得到第二前驅體薄膜；
42、對所述第二前驅體薄膜進行第二退火處理，得到所述載流子產生層。
43、進一步地，所述n型石墨烯為n型石墨烯量子點；和/或
44、所述n型石墨烯的平均粒徑小于20nm；和/或
45、所述載流子產生層的透光率大于70％；和/或
46、所述載流子注入層的透光率大于70％；和/或
47、所述載流子注入層與所述載流子產生層的厚度比為(5～50):(10～150)。
48、進一步地，所述載流子產生層的可透過光的峰值波長為400～600nm；和/或
49、所述載流子注入層的可透過光的峰值波長為440～650nm；和/或
50、所述n型石墨烯量子點包括n型石墨烯量子點和摻雜n型石墨烯量子點的至少一種；所述摻雜n型石墨烯本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種發光器件，其特征在于，包括依次層疊設置的第一電極、第一發光單元、電荷產生單元、第二發光單元和第二電極；
2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述載流子產生層的可透過光的峰值波長為380～780nm；和/或
4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述載流子注入層的材料還包括修飾劑。
5.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述載流子產生層的材料為p型半導體材料或n型半導體材料；
7.根據權利要求6所述的發光器件，其特征在于，所述p型半導體材料包括主體材料和客體材料，所述的主體材料選自PEDOT、TFB、Poly-TPD、VNPB、PTAA、1F-PTAA、VB-FNPD、QUPD、OTPD、CuSCN、NiO中的至少一種；所述客體材料選自MoO3納米顆粒、WO3納米顆粒、乙醇鉬、乙醇鎢、磷鉬酸、磷鎢酸、偏釩酸銨、偏鎢酸銨、鉬酸銨、硫酸、苯磺酸、五氟苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、FeCl3、As
8.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第一發光單元包括第一發光層，所述第一發光層一側靠近所述第一電極，另一側靠近所述載流子注入層；和/或
9.一種發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據權利要求9所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述在所述第一發光單元上設置載流子注入材料溶液，制備載流子注入層的步驟，具體包括：
11.根據權利要求9所述的發光器件的制備方法，其特征在于，
12.根據權利要求11所述的發光器件的制備方法，其特征在于，
13.根據權利要求10所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述載流子注入材料溶液還包括第一溶劑，所述第一溶劑選自醇類溶劑、醚類溶劑和酮類溶劑中的至少一種；和/或
14.根據權利要求10所述的發光器件的制備方法，其特征在于，載流子產生材料溶液包括載流子產生材料和第二溶劑，所述載流子產生材料包括p型半導體材料或n型半導體材料；和/或
15.根據權利要求10所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述第一退火處理的溫度為100～200℃；和/或
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至8任一項所述的發光器件，或者包括利用如權利要求9至15任一項所述的制備方法制成的發光器件。
...【技術特征摘要】
1.一種發光器件，其特征在于，包括依次層疊設置的第一電極、第一發光單元、電荷產生單元、第二發光單元和第二電極；
2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述載流子產生層的可透過光的峰值波長為380～780nm；和/或
4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述載流子注入層的材料還包括修飾劑。
5.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述載流子產生層的材料為p型半導體材料或n型半導體材料；
7.根據權利要求6所述的發光器件，其特征在于，所述p型半導體材料包括主體材料和客體材料，所述的主體材料選自pedot、tfb、poly-tpd、vnpb、ptaa、1f-ptaa、vb-fnpd、qupd、otpd、cuscn、nio中的至少一種；所述客體材料選自moo3納米顆粒、wo3納米顆粒、乙醇鉬、乙醇鎢、磷鉬酸、磷鎢酸、偏釩酸銨、偏鎢酸銨、鉬酸銨、硫酸、苯磺酸、五氟苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、fecl3、ascl3、sbcl5、aucl3、bcf、magic-blue、hatcn、f6tcnq、cn6-cp、ndp-9、mo(tfd)3、mo(tfd-cocf3)3、mo(tfd-co2me)3...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張凱旋，吳婷婷，陳穎，付東，
申請(專利權)人：廣東聚華印刷顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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