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    一種晶圓pad層鋁膜及其鍍膜加工工藝制造技術
    
                            
    技術編號：44474957 閱讀：4 留言：0更新日期：2025-03-04 17:44
    
                        
    
                        
    
                            
                            本發明專利技術提供一種晶圓pad層鋁膜及其鍍膜加工工藝，其包括第一含AL層和第三含AL層，所述第一含AL層的材料選自鋁和/或銅，所述第一含AL層與晶圓PAD層材料的基層連接，所述第三含AL層的材料選自鋁，所述第一含AL層的硬度大于等于100g/cm<supgt;2</supgt;，所述第三含AL層的硬度小于等于50g/cm<supgt;2</supgt;，所述第一含AL層、第三含AL層的厚度比為1:1。所述第一含AL層的硬度大于等于100g/cm<supgt;2</supgt;，所述第二含AL層的硬度為60?80g/cm<supgt;2</supgt;之間，所述第三含AL層的硬度小于等于50g/cm<supgt;2</supgt;。制備時，所述第一層AL層的鍍膜速率為0.45?0.5nm/s，所述第二層AL層的鍍膜速率為0.3?0.45nm/s，所述第三層AL層的鍍膜速率為0.25?0.35nm/s。本發明專利技術解決了封裝植球倒裝后面的IMC不良的問題，將成膜后AL層關鍵性能提升。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術實現步驟摘要】
    
                                
    本專利技術屬于晶圓鍍膜加工，具體涉及到鍍膜al材料的鍍膜工藝，優化后的工藝促進了后道封裝中植球、倒裝等工序，改善imc(金屬間化合物)性能，推動晶圓半導體鍍膜封裝的發展。

    技術介紹
    1、目前晶圓鍍膜的m2(pad)層材料al一般鍍膜2000nm-2500nm左右。成膜結構一般分3種。①ti+al②ti+alcu+ti+al③ti+alcu+ti+au。前兩者性能不穩定，而ti+alcu+ti+au的成本價格太高。在實際應用的過程中發現成膜結束后al材料的本身應力、粗糙度，反射值等重要性能指標都會發生不可控的變化形態。不同形態下的al層對封裝的質量影響都是不同的。所以我們需要變更晶圓的鍍膜工藝，對影響al層重要性能的鍍膜指標進行工藝改善，重點管控。從而解決晶圓半導體這一個重要難題。

    技術實現思路
    1、為了克服現有技術中存在的不足，本專利技術提供一種晶圓pad層鋁膜及其鍍膜加工工藝。
    2、為實現上述目的，本專利技術提供一種鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構，其包括第一含al層和第三含al層，所述第一含al層的材料選自鋁和/或銅，所述第一含al層與晶圓pad層材料的基層連接，所述第三含al層的材料選自鋁，所述第一含al層的硬度大于等于100g/cm2，所述第三含al層的硬度小于等于50g/cm2，所述第一含al層、第三含al層的厚度比為1:1。
    3、優選的，所述銅鋁合金中，銅含量為3％-5％。
    4、優選的，在所述第一含al層和所述第三含鋁層之間外還設置第二含al層，所述第二含al層的材料選自鋁，所述第二含al層的硬度為60-80g/cm2。
    5、優選的，所述第一含al層、第二含al層和含第三al層的厚度比為2:1:2。
    6、優選的，al層結構的厚度為1800nm-2500nm。
    7、優選的，所述晶圓pad層材料的基層包括基板層和金屬層，所述金屬層包括鈦層。
    8、本專利技術還提供一種用于制備所述鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構的方法，其中，所述第一含al層的鍍膜速率為0.45-0.5nm/s，所述第三層al層的鍍膜速率為0.25-0.35nm/s。
    9、優選的，采用銅鋁合金進行所述第一含al層鍍膜時，鋁的鍍膜速率為0.5nm/s，銅的鍍膜速率0.1-0.16nm/s。
    10、優選的，所述第二含al層的鍍膜速率為0.30-0.45nm/s。
    11、本專利技術的有益效果如下：
    12、本專利技術解決了封裝植球倒裝后面的imc不良的問題，將成膜后al層關鍵性能提升。
    本文檔來自技高網...
                            
    
                            
    【技術保護點】
    
                                
    1.一種鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：包括第一含AL層和第三含AL層，所述第一含AL層的材料包括鋁、銅或銅鋁合金中的一種或幾種。，所述第一含AL層與晶圓PAD層材料的基層連接，所述第三含AL層的材料選自鋁，所述第一含AL層的硬度大于等于100g/cm2，所述第三含AL層的硬度小于等于50g/cm2，所述第一含AL層、第三含AL層的厚度比為1:1。
    2.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：所述銅鋁合金中，銅含量為3％-5％。
    3.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：在所述第一含AL層和所述第三含鋁層之間外還設置第二含AL層，所述第二含AL層的材料選自鋁，所述第二含AL層的硬度為60-80g/cm2。
    4.根據權利要求3所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：所述第一含AL層、第二含AL層和含第三AL層的厚度比為2:1:2。
    5.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：AL層結構的厚度為1800nm-2500nm。
    6.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構，其特征在于：所述晶圓PAD層材料的基層包括基板層和金屬層，所述金屬層包括鈦層。
    7.一種用于制備權利要求1-6任一項所述的鍍膜于晶圓PAD層材料層的AL層結構的方法，其特征在于：所述第一含AL層的鍍膜速率為0.45-0.5nm/s，所述第三層AL層的鍍膜速率為0.25-0.35nm/s。
    8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述第二含AL層的鍍膜速率為0.30-0.45nm/s。
    9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：采用銅鋁合金進行所述第一含AL層鍍膜時，鋁的鍍膜速率為0.5nm/s，銅的鍍膜速率0.1-0.16nm/s。
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    【技術特征摘要】
    
                                
    1.一種鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構，其特征在于：包括第一含al層和第三含al層，所述第一含al層的材料包括鋁、銅或銅鋁合金中的一種或幾種。，所述第一含al層與晶圓pad層材料的基層連接，所述第三含al層的材料選自鋁，所述第一含al層的硬度大于等于100g/cm2，所述第三含al層的硬度小于等于50g/cm2，所述第一含al層、第三含al層的厚度比為1:1。
    2.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構，其特征在于：所述銅鋁合金中，銅含量為3％-5％。
    3.根據權利要求1所述的鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構，其特征在于：在所述第一含al層和所述第三含鋁層之間外還設置第二含al層，所述第二含al層的材料選自鋁，所述第二含al層的硬度為60-80g/cm2。
    4.根據權利要求3所述的鍍膜于晶圓pad層材料層的al層結構，其特征在于：所述第一含al層、第二含...
                            
    
                            
    【專利技術屬性】
    
                                技術研發人員：姜美榮，
    
        申請(專利權)人：杭州美迪凱光電科技股份有限公司，
    
        類型：發明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
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