【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及sic基板及sic外延晶片。本申請(qǐng)基于2023年8月24日在日本提出申請(qǐng)的特愿2023-136613主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用于此。
技術(shù)介紹
1、碳化硅(sic)與硅(si)相比，絕緣擊穿電場(chǎng)大一個(gè)數(shù)量級(jí)，帶隙為3倍大。另外，碳化硅(sic)具有與硅(si)相比，熱導(dǎo)率為3倍左右高等特性。因此，期待著將碳化硅(sic)應(yīng)用于功率器件、高頻器件、高溫工作器件等。因而，近年來(lái)，會(huì)對(duì)如上所述的半導(dǎo)體器件使用sic外延晶片。
2、sic外延晶片是通過(guò)在sic基板的表面層疊sic外延層來(lái)獲得的。以下，將層疊sic外延層之前的基板稱(chēng)為sic基板，將層疊sic外延層之后的基板稱(chēng)為sic外延晶片。sic基板是通過(guò)從sic晶錠(ingot)切出而制作的。功率器件、高頻器件、高溫工作器件等sic器件是在sic外延晶片的sic外延層形成器件之后對(duì)sic外延晶片進(jìn)行芯片化來(lái)獲得的。
3、為了增加能夠從一個(gè)sic外延晶片取得的sic器件的數(shù)量，要求sic基板以及sic外延晶片的大口徑化。然而，sic基板以及sic外延晶片的大口徑化并不容易。例如，非專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載了當(dāng)sic基板以及sic外延晶片的直徑變大時(shí)，缺陷的數(shù)量會(huì)大幅地增加。
4、另外，作為sic基板所包含的缺陷之一，具有微管(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。微管是對(duì)后工序和sic器件產(chǎn)生惡劣影響的致命缺陷之一。微管例如會(huì)引起sic器件的耐壓不良。微管是內(nèi)部中空、直徑為亞μm～數(shù)μm左右、且在六方晶碳化硅的c軸方向上傳播的晶體缺陷。認(rèn)為微管是由于具有大的伯格斯矢量
5、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
6、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2016-127201號(hào)公報(bào)
7、非專(zhuān)利文獻(xiàn)1：n.piluso,e.carria,r.anzalone,a?severino.microelectronicengineering?273(2023)111962.
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專(zhuān)利技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題
2、如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中也記載的那樣，微管是難以完全消除的缺陷。另外，當(dāng)sic基板變?yōu)榇罂趶綍r(shí)，該傾向更加顯著。
3、本專(zhuān)利技術(shù)是鑒于上述問(wèn)題而完成的，目的在于提供大口徑且微管少的sic基板及sic外延晶片。
4、用于解決問(wèn)題的技術(shù)方案
5、本專(zhuān)利技術(shù)人制作了即便為大口徑、微管也少的sic基板及sic外延晶片。
6、(1)第1技術(shù)方案涉及的sic基板的直徑為195mm以上，微管密度為0.01個(gè)/cm2以下。
7、(2)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，除了距外周為3mm以?xún)?nèi)的邊緣排除區(qū)域之外的有效區(qū)域中的微管的數(shù)量為3個(gè)以下。
8、(3)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，除了距外周為3mm以?xún)?nèi)的邊緣排除區(qū)域之外的有效區(qū)域中的微管的數(shù)量為1個(gè)以下。
9、(4)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為4mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第1區(qū)域中的7209個(gè)以上的第1區(qū)域沒(méi)有微管。
10、(5)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為9mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第2區(qū)域中的3168個(gè)以上的第2區(qū)域沒(méi)有微管。
11、(6)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為16mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第3區(qū)域中的1764個(gè)以上的第3區(qū)域沒(méi)有微管。
12、(7)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為25mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第4區(qū)域中的1116個(gè)以上的第4區(qū)域沒(méi)有微管。
13、(8)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為36mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第5區(qū)域中的764個(gè)以上的第5區(qū)域沒(méi)有微管。
14、(9)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為49mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第6區(qū)域中的556個(gè)以上的第6區(qū)域沒(méi)有微管。
15、(10)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為64mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第7區(qū)域中的421個(gè)以上的第7區(qū)域沒(méi)有微管。
16、(11)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為81mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第8區(qū)域中的329個(gè)以上的第8區(qū)域沒(méi)有微管。
17、(12)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為100mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第9區(qū)域中的262個(gè)以上的第9區(qū)域沒(méi)有微管。
18、(13)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為225mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第10區(qū)域中的112個(gè)以上的第10區(qū)域沒(méi)有微管。
19、(14)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，以面積為400mm2的正方形對(duì)表面進(jìn)行劃分而得到的多個(gè)第11區(qū)域中的58個(gè)以上的第11區(qū)域沒(méi)有微管。
20、(15)上述技術(shù)方案涉及的sic基板也可以是，直徑為205mm以下。
21、(16)第2技術(shù)方案涉及的sic外延晶片具備上述技術(shù)方案涉及的sic基板和層疊于所述sic基板的sic外延層。
22、專(zhuān)利技術(shù)效果
23、上述技術(shù)方案涉及的sic基板及sic外延晶片為大口徑且微管少。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種SiC基板，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC基板，
16.一種SiC外延晶片，具備權(quán)利要求1所述的SiC基板和層疊于所述SiC基板的SiC外延層。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種sic基板，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sic基板，...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周防裕政，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：株式會(huì)社力森諾科，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。